应用于汉虹单晶炉的单晶退火产品的生长方法技术

本发明专利技术提供一种应用于汉虹单晶炉的单晶退火产品的生长方法，属于单晶退火工艺的技术领域，在单晶炉内设置内热屏、水冷套，所述内热屏位于硅溶液的上方，所述内热屏的下端内壁与单晶炉中轴线形成的角度为22.5

【技术实现步骤摘要】
应用于汉虹单晶炉的单晶退火产品的生长方法


[0001]本专利技术涉及单晶退火工艺
，具体涉及一种应用于汉虹单晶炉的单晶退火产品的生长方法。

技术介绍

[0002]在集成电路中随着特征线宽的不断减小，集成电路对硅片表面质量的要求也越来越高，硅片表面质量的影响因素除了金属污染之外，空位缺陷（COP）也是影响硅片表面质量的主要缺陷之一；如果硅片近表面存在COP，将严重影响了集成电路GOI（Gate Oxide Integrity）。
[0003]现有技术中，消除硅片COP的方法主要有三种，降低单晶硅拉速、高温退火、外延。其中在高温退火中，如果高温退火工艺不佳，容易生成颗粒直径较大、密度低的COP，导致硅片近表面的COP无法被吸附。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，针对上述不足，有必要提出一种降低硅片近表面COP的应用于汉虹单晶炉的单晶退火产品的生长方法。
[0005]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种应用于汉虹单晶炉的单晶退火产品的生长方法，包括以下步骤：S1：在单晶炉内设置内热屏、水冷套，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于汉虹单晶炉的单晶退火产品的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在单晶炉内设置内热屏、水冷套，所述内热屏位于硅溶液的上方，所述内热屏的下端内壁与单晶炉中轴线形成的角度为22.5
°‑
30
°
，所述水冷套位于所述内热屏的上方，所述水冷套与所述单晶炉的内壁连接，所述水冷套距硅溶液液面的高度为100mm
‑
300mm；S2：在单晶炉内通入氩气，将单晶棒从硅溶液中拉出的拉速为1mm/min
‑
1.5mm/min。2.根据权利要求1所述的应用于汉虹单晶炉的单晶退火产品的生长方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：芮阳，王忠保，
申请(专利权)人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：