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本发明提供一种应用于汉虹单晶炉的单晶退火产品的生长方法，属于单晶退火工艺的技术领域，在单晶炉内设置内热屏、水冷套，所述内热屏位于硅溶液的上方，所述内热屏的下端内壁与单晶炉中轴线形成的角度为22.5
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该专利属于宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司授权不得商用。

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