一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法技术

本发明专利技术涉及一种高温热解封装芯片提金的方法，属于资源综合利用领域。首先将电路板芯片进行破碎，破碎至一定大小；将混合均匀的混合粉末置于热解炉进行高温热解；热解结束后将所得粉末进行浸出除铜；除铜后渣进行浸金，获得含金浸出液。本方法采用高温热解封装芯片提金的方法，采用热解芯片

【技术实现步骤摘要】
一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法


[0001]本专利技术涉及一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，属于资源综合利用
，特别是一种固废资源综合利用领域。

技术介绍

[0002]不断产生且数量巨大的电子垃圾已成为全球不可回避的问题，电路板作为最基础最活跃的电子元件在电器中比例极高，电路板含有大量电子芯片，随着废弃电路板的增加，废弃电子芯片数量也急剧增多。电子芯片量大面广，含有有毒重金属（Pd、Cd等）、稳定有机物（多环芳香烃、苯醚类）及贵重有价金属（Au、Ag等），属于易污染环境的电子垃圾，对环境和人类健康产生巨大威胁，同时其中含有的有价金属有极具价值，蕴含巨大的社会财富，对废弃电子芯片进行综合回收处理，不仅解决了环境压力，也是实现资源、经济可持续发展的重要方向。
[0003]如何加强这些废弃物的处理，并回收其中有价物质，已成为国内外关注的重要问题。然而，国内外对废弃芯片回收处理归类到电子废弃物中进行集中处理，少部分致力于芯片回收的企事业单位大多集中在芯片整形复用上，这就导致了彻底报废、无法整形回用的芯片中有价金属进一步稀释，降低了金属回收率。
[0004]本专利技术提供了一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，利用高温热解废芯片
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氧化浸出除铜
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氯化浸出溶金的工艺思路对芯片进行处理，避免了避免了直接将废芯片混入电子废弃物进行集中处理，对芯片中有价金属进行稀释，提高了金属回收率。本专利技术采用高温热解回收芯片中有价金属，填补了废芯片中有价资源回收方面的空白。同时，本专利技术可与现行整形回用芯片方法，可实现芯片的单独综合处理，处理量小，环境友好，资源节约。

技术实现思路

[0005]针对上述现有技术存在的问题及不足，本专利技术提供一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法。一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，其特征在于具体步骤如下：将电路板芯片进行破碎，破碎至一定大小；1) 将破碎后的粉末置于裂解炉进行高温裂解；2) 焙烧结束后，将所得裂解渣进行破碎、浸出除铜；除铜后渣进行浸金，获得含金浸出液。
[0006]所述的一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，其特征在于：步骤（1）中封装芯片为电路板拆解所得，含金0.5
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5g/kg，银0.1
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6kg，铜10
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30%等金属。
[0007]所述的一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，其特征在于：步骤（1）中对芯片进行破碎，破碎至60
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200目；所述的一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，其特征在于：步骤（2）中高温热解条件为400
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650℃，热解时间：5
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25min；所述的一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，其特征在于：步骤（3）中反应
结束后对所得粉末进行研磨至100
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200目；所述的一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，其特征在于：步骤（3）浸出除铜条件为硫酸：2
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10mol/L，双氧水：15
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40%。
[0008]所述的一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，其特征在于：步骤（4）浸金采用氯化浸出体系：盐酸：4
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8mol/L、氯化钠：100
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200g/L、次氯酸钠：，液固比为：2
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7，浸出时间2
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5h。
[0009]本专利技术的有益效果是：1)避免了现行方法：将废芯片混入电子废弃物进行集中处理，提高了有价金属回收率；2)采用高温热解回收芯片中有价金属，填补了芯片中有价资源回收方面的空白；3)热解产物可作为燃烧为热解反应提供热量。
[0010]4)可与现行整形回用芯片方法，可实现单独处理芯片，处理量小。
[0011]5)不采用氰化浸金，保障了人员操作安全。
附图说明
[0012]图1为实验所采用工艺流程图。
具体实施方式
[0013]下面结合附图和具体实施方式，对本专利技术作进一步说明。
[0014]实施例1取200目芯片200g置于马弗炉进行热解，热解温度：450℃，时间：15min，将热解后混合物进行研磨，取100g该热解后混合物粉末加入4mol/L硫酸溶液250mL，并加入100mL双氧水，除浸出条件为温度：常温，时间：4h；转速：200r/min。
[0015]除铜结束后将，除铜混合物进行过滤，将滤渣烘干
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研磨。
[0016]将除铜渣加入氯化钠200g/L，含盐酸4mol/L的混合溶液，通入氯气进行浸金，氯气通入量为0.2ml/min，浸出条件为：温度60℃，时间4h，转速150r/min. 该氧化焙烧封装芯片，金浸出率：98.6%；实施例2取200目芯片200g置于马弗炉进行热解，热解温度：550℃，时间：10min，将热解后混合物进行研磨，取100g该热解后混合物粉末加入4mol/L硫酸溶液250mL，并加入100mL双氧水，除浸出条件为温度：60℃，时间：3.5h；转速：200r/min。
[0017]除铜结束后将，除铜混合物进行过滤，将滤渣烘干
‑
研磨。
[0018]将除铜渣加入氯化钠200g/L，含盐酸4mol/L的混合溶液，通入氯气进行浸金，氯气通入量为0.4ml/min，浸出条件为：温度60℃，时间4h，转速150r/min. 该氧化焙烧封装芯片，金浸出率：99.1%；实施例2取200目芯片200g置于马弗炉进行热解，热解温度：550℃，时间：10min，将热解后混合物进行研磨，取100g该热解后混合物粉末加入4mol/L硫酸溶液250mL，并加入100mL双氧水，除浸出条件为温度：60℃，时间：3.5h；转速：200r/min。
[0019]除铜结束后将，除铜混合物进行过滤，将滤渣烘干
‑
研磨。
[0020]将除铜渣加入氯化钠200g/L，含盐酸4mol/L的混合溶液，通入氯气进行浸金，氯气通入量为0.6ml/min，浸出条件为：温度60℃，时间4h，转速150r/min. 该氧化焙烧封装芯片，金浸出率：99.6%；以上结合附图对本专利技术的具体实施方式作了详细说明，但是本专利技术并不限于上述实施方式，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本专利技术宗旨的前提下作出各种变化。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，其特征在于具体步骤如下：将电路板芯片进行破碎，破碎至一定大小；将破碎后的粉末置于裂解炉进行高温裂解；焙烧结束后，将所得裂解渣进行破碎、浸出除铜；除铜后渣进行浸金，获得含金浸出液。2.根据权利要求1所述的一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，其特征在于：步骤（1）中封装芯片为电路板拆解所得，含金0.5
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5g/kg，银0.1
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6kg，铜10
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30%等金属。3.根据权利要求1所述的一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，其特征在于：步骤（1）中对芯片进行破碎，破碎至60
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200目。4.根据权利要求1所述的一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，其特征在于：步骤（2）中高温热解条件为400
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【专利技术属性】
技术研发人员：邓晓辉，余霞，孟祥晨，申帅杰，
申请(专利权)人：河南海瑞智能科技集团有限公司，
类型：发明
国别省市：