一种透射电镜样品的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种透射电镜样品的制备方法，包括：将载网和样品水平放置于样品台表面，并焊接样品至载网上；调整载网和样品与样品台表面垂直，沿第一方向对样品的第一表面进行切割，以减薄样品的第二表面；调整载网和样品与样品台表面平行，并将样品从载网上取下；调整载网与样品台表面垂直；重新焊接样品至载网上，沿第一方向对样品的第二表面进行切割，以减薄样品的第一表面，直至样品暴露待检测位置。本发明专利技术实施例提供的技术方案，在透射电镜样品的制备过程中，通过改变载网与样品台的相对位置，实现对于样品多个表面的观察与切割，提高切割的准确性；另外，通过旋转载网的方式调整切割面，无需技术人员调整样品位置，操作简单、容易实现。容易实现。容易实现。

【技术实现步骤摘要】
一种透射电镜样品的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造及分析领域，尤其涉及一种透射电镜样品的制备方法。

技术介绍

[0002]目前随着半导体的技术飞速发展，芯片研发和失效分析需求量日益剧增，针对小制成芯片或失效点较小的芯片，通常会对样品进行切割，将样品制成能够用透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope，TEM)观察的微小结构，从而对样品失效点进行分析。
[0003]目前行业内在制样时，往往只是对同一方向的样品表面进行切割，如图1和图2所示，图1中为平面下切割样品，图2中为截面下切割样品。但上述两种方法，在制样过程中均难以观察样品全貌，制样效率较低，并且有可能对目标位置造成破坏。

技术实现思路

[0004]针对上述问题，本专利技术实施例提供了一种透射电镜样品的制备方法，以对芯片失效位置进行精确切割，提升制样效率。
[0005]本专利技术实施例提供的一种透射电镜样品的制备方法，包括：
[0006]将载网和样品水平放置于样品台表面，并焊接样品至载网上；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种透射电镜样品的制备方法，其特征在于，包括：将载网和样品水平放置于样品台表面，并焊接所述样品至所述载网上；调整所述载网和所述样品与所述样品台表面垂直，沿第一方向对所述样品的第一表面进行切割，以减薄所述样品的第二表面，直至所述样品暴露待检测位置；所述第一表面与所述第二表面相接；调整所述载网和所述样品与所述样品台表面平行，并将所述样品从所述载网上取下；调整所述载网与所述样品台表面垂直；重新焊接所述样品至所述载网上，沿所述第一方向对所述样品的第二表面进行切割，以减薄所述样品的第一表面，直至所述样品暴露所述待检测位置，得到透射电镜样品。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述焊接所述样品至所述载网上之前，还包括：将初始样品固定在所述样品台上，根据所述待检测位置确定目标区域，所述目标区域包括所述待检测位置；对所述初始样品进行切割获得所述样品。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，沿第一方向对所述样品的第一表面进行切割，包括：采用离子束切割工艺，沿第一方向对所述样品的第一表面进行切割；沿所述第一方向对所述样品的第二表面进行切割，包括：采用离子束切割工艺，沿所述第一方向对所述样品的第二表面进行切割。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，沿第一方向对所述样品的第一表面进行切割，包括：在所述第一表面制备第一保护层，所述第一保护层覆盖所述待检测位置；沿第一方向对为未覆盖所述第一保护层的区域进行切割，保留覆盖所述第一保护层的区域；沿所述第一方向对所述样品的第二表面进行切割，包括：在所述第二表面制备第二保护层，所述第二保护层覆盖所述待检测位置；沿所述第一方向对为未覆盖所述第二保护层的区域进行切割，保留覆盖所述第二保护层的区域。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述第一表面制备第一保护层，包括：利用气体注入系统在所述样品上方沉积第一保护层；在所述第二表面制备第二保护层，包括：利用气体注入系统在所述样品上方沉积第二保护层。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：马旭文，季春葵，郑朝晖，
申请(专利权)人：上海季丰电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：