本实用新型专利技术适用于芯片顶出装置技术领域，包括底座和连接于所述底座的顶出平台，所述顶出平台设置有用于吸附芯片底膜的真空孔位，所述真空孔位连接有负压吸附装置；所述顶出平台或所述底座连接有在初始状态下不凸出所述顶出平台的分段式顶出机构，所述分段式顶出机构至少包括可相对独立升降且具有不同顶出行程的第一段顶出组件和第二段顶出组件。本实用新型专利技术所提供的一种超薄芯片的分段式顶出装置，芯片与顶出平台接触增加了接触面积，通过负压吸附装置向下吸附，使芯片与芯片DAF膜底膜易于分离，有效避免发生芯片在顶出中崩裂。有效避免发生芯片在顶出中崩裂。有效避免发生芯片在顶出中崩裂。
【技术实现步骤摘要】
一种芯片的分段式顶出装置
[0001]本技术涉及一种芯片顶出装置
，尤其涉及一种芯片的分段式顶出装置。
技术介绍
[0002]传统芯片顶出结构是由顶针平台和顶针组成。顶针直径0.68mm，顶针顶出面为0.1
‑
0.3mm尖端。目前存储芯片内部组合，为4层8层16层等多层叠芯片产品，且多层叠芯片的厚度很薄，一般为30um
‑
50um。传统顶针在顶起芯片时，由于其顶出部十分尖锐，芯片接触面积小受力大，非常容易造成芯片破裂，生产成本增加，总体良率不高。
技术实现思路
[0003]本技术旨在至少解决上述技术问题之一，提供了一种芯片的分段式顶出装置，通过分段式顶出机构以增加接触面积，连接的负压吸附装置向下吸附，使芯片与芯片底膜DAF膜易于分离，有效避免芯片在顶出中崩裂。
[0004]本技术是这样实现的，一种芯片的分段式顶出装置，包括底座和连接于所述底座的顶出平台，所述顶出平台设置有用于吸附芯片底膜的真空孔位，所述真空孔位连接有负压吸附装置；所述顶出平台或所述底座连接有在初始状态下平齐于所述顶出平台的分段式顶出机构，所述分段式顶出机构至少包括可相对独立升降且具有不同顶出行程的第一段顶出组件和第二段顶出组件。
[0005]更进一步地，所述真空孔位设置有多个且位于所述分段式顶出机构的外周处。
[0006]更进一步地，所述分段式顶出装置包括连接于所述分段式顶出机构并用于控制所述分段式顶出机构按不同顶出行程分段顶出的电动部件。
[0007]更进一步地，所述分段式顶出机构还包括第三段顶出组件；所述第一段顶出组件、所述第二段顶出组件和所述第三段顶出组件由外到内依次套设。
[0008]更进一步地，所述第一段顶出组件、所述第二段顶出组件和所述第三段顶出组件的上端面均为平面结构。
[0009]更进一步地，所述第一段顶出组件、所述第二段顶出组件和所述第三段顶出组件的上端面在初始状态下平齐于所述顶出平台。
[0010]更进一步地，所述电动部件用于控制所述第一段顶出组件、所述第二段顶出组件、所述第三段顶出组件升至第一设定高度，并用于控制所述第二段顶出组件、所述第三段顶出组件继续升至第二设定高度，以及用于控制所述第三段顶出组件继续升至第三设定高度的控制器。
[0011]更进一步地，所述第一段顶出组件的中段相对两侧具有凹槽，所述顶出平台具有与所述凹槽匹配的凸沿；各所述真空孔位分别位于所述凸沿和所述第一段顶出组件的两侧。
[0012]更进一步地，所述第一段顶出组件、第二段顶出组件采用金属材料制成。
[0013]更进一步地，所述分段式顶出机构的上端面呈哑铃状。
[0014]本技术所提供的一种芯片的分段式顶出装置，通过顶出平台或所述底座连接有分段式顶出机构以增加芯片与顶针的接触面积，且连接负压吸附装置向下吸附，可增强对芯片底膜真空吸力，减少芯片受力，使芯片与芯片DAF膜底膜易于分离，有效避免芯片在顶出中崩裂，顶出效率高；通过电动部件的控制器控制三个顶出平台可同步顶出第一设定高度，第二顶出平台、第三顶出平台再继续顶出第二设定高度，以及第三顶出平台再继续顶出第三设定高度，逐步往上顶起将芯片与芯片底膜DAF膜分离，有效减震，顶出效果更佳，超薄芯片也能顺利顶出，保持完整不崩裂。
附图说明
[0015]图1是本技术提供的一种芯片的分段式顶出结构的俯视图。
[0016]图中标号：
[0017]1‑
底座；2
‑
顶出平台；3
‑
真空孔位；4
‑
第一段顶出组件；5
‑
第二段顶出组件；6
‑
第三段顶出组件。
具体实施方式
[0018]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0019]如图1所示，本技术实施例所提供的一种芯片的分段式顶出装置，包括底座1和连接于所述底座1的顶出平台2，所述顶出平台2设置有用于吸附芯片底膜的真空孔位3，所述真空孔位3连接有负压吸附装置；所述顶出平台2或所述底座1连接有在初始状态下不凸出所述顶出平台2的分段式顶出机构，所述分段式顶出机构至少包括可相对独立升降且具有不同顶出行程的第一段顶出组件4和第二段顶出组件5。本技术实施例所提供的一种芯片的分段式顶出装置，所述顶出平台2连接有所述分段式顶出机构，以增加接触面积，且连接负压吸附装置向下吸附，可增强对芯片底膜DAF膜的真空吸力，减少芯片受力，使芯片与芯片底膜DAF膜易于分离，有效避免芯片在顶出中崩裂，顶出芯片效率高。
[0020]作为本技术方案的进一步改进，所述真空孔位3设置有多个，且位于所述分段式顶出机构的外周处。所述第一段顶出组件4的中段相对两侧具有凹槽，所述顶出平台具有与所述凹槽匹配的凸沿；各所述真空孔位3分别位于所述凸沿和所述第一段顶出组件4的两侧。本技术所提供的实施例中，多个真空孔位3沿着所述第一段顶出组件4的四周对称设置，所述第一段顶出组件4的两侧和两个对称的凹槽各均匀设置有五个真空孔位3，以提供足够的真空吸附力且更为均匀，真空吸附力向下，与顶出平台2向上的作用力相反，使芯片顺利地与芯片底膜DAF膜分离。
[0021]作为本技术方案的进一步改进，所述第一段顶出组件4、所述第二段顶出组件5和所述第三段顶出组件6的上端面均为平面结构。所述第一段顶出组件4、所述第二段顶出组件5和所述第三段顶出组件6的上端面在初始状态下平齐于所述顶出平台2，以使顶出时增大接触面积，作用力更为均匀。
[0022]作为本技术方案的进一步改进，所述分段式顶出装置包括连接于所述分段式顶出
机构的电动部件，所述电动部件用于控制所述分段式顶出机构按不同顶出行程分段顶出。所述分段式顶出机构还包括第三段顶出组件6；所述第一段顶出组件4、所述第二段顶出组件5和所述第三段顶出组件6由外到内依次套设。所述电动部件具有控制器，所述控制器用于控制所述第一段顶出组件4、所述第二段顶出组件5、所述第三段顶出组件6升至第一设定高度，并用于控制所述第二段顶出组件5、所述第三段顶出组件6继续升至第二设定高度，以及用于控制所述第三段顶出组件6继续升至第三设定高度。作为一种可选的实施例，所述电动部件为伺服电机，伺服电机具有控制器，负压吸附装置与真空孔位3对接用于吸真空，分段式顶出机构同时顶出，需要说明的是，负压吸附装置吸附真空以产生向下的负压吸力与分段式顶出机构的顶出是同时作用于芯片底膜DAF膜，在真空吸附中通过分段式逐步的顶出动作以使芯片与芯片底膜DAF膜分离，芯片脱膜效率高，本技术实施例所提供的一种分段式顶出装置，操作简单，无需手动，对于超薄芯片也能顺利顶出且保持芯片完整不崩裂，减震效果好且效率高。
[0023]作为本技术方案的进一步改进，所述第一段顶出组件4、第二本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片的分段式顶出装置，包括底座和连接于所述底座的顶出平台，其特征在于，所述顶出平台设置有用于吸附芯片底膜的真空孔位，所述真空孔位连接有负压吸附装置；所述顶出平台或所述底座连接有在初始状态下不凸出所述顶出平台的分段式顶出机构，所述分段式顶出机构至少包括可相对独立升降且具有不同顶出行程的第一段顶出组件和第二段顶出组件。2.如权利要求1所述的分段式顶出装置，其特征在于，所述真空孔位设置有多个且位于所述分段式顶出机构的外周处。3.如权利要求1所述的分段式顶出装置，其特征在于，所述分段式顶出装置包括连接于所述分段式顶出机构并用于控制所述分段式顶出机构按不同顶出行程分段顶出的电动部件。4.如权利要求3所述的分段式顶出装置，其特征在于，所述分段式顶出机构还包括第三段顶出组件；所述第一段顶出组件、所述第二段顶出组件和所述第三段顶出组件由外到内依次套设。5.如权利要求4所述的分段式顶出装置，其特征在于，所述第一段顶出组件、所述第二段顶出组件和所述第三段顶出...
【专利技术属性】
技术研发人员：倪黄忠，胡燕波，
申请(专利权)人：深圳市时创意电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。