一种显影液组合物制造技术

本发明专利技术公开了一种显影液组合物，所述显影液组合物包括有机胺、表面活性剂及有机溶剂，所述有机胺选自具有式Ⅰ、式Ⅱ或式Ⅲ结构的一种或多种有机胺。本发明专利技术的显影液，通过加入特定的有机胺，在确保分辨率的同时还可改善直线边缘的粗糙度及缺陷，扩大光刻工艺的窗口。扩大光刻工艺的窗口。

【技术实现步骤摘要】
一种显影液组合物


[0001]本专利技术涉及半导体、封装光刻
，用于曝光后的显影，具体涉及一种显影液组合物。

技术介绍

[0002]光学曝光过程中，为了将掩模上的图形转移到圆片上，辐照必须作用在光敏物质上，该光敏物质必须通过光照，改变材料性质，使在完成光刻工艺后，达到转移图形的目的。该光敏物质称为光刻胶。
[0003]光刻胶分正胶和负胶。正胶：曝光区在显影后溶化，非曝光区留下。负胶：曝光区在显影后留下，非曝光区在显影液中溶解。
[0004]目前用于193nm光刻的多数光刻胶是正性胶。然而，随着半导体工艺节点的不断缩小，使用传统的正胶以碱性水溶液显影液来印刷小特征例如小尺寸的沟槽和通孔已经变得更具挑战性，因为用来产生沟槽和通孔的暗场掩模的光学图像对比度差。为此，业界提出了负显影(negat ive tone develop，NTD)的概念，即使用正胶曝光，负显影液(而不是标准的TMAH水溶液)来实现和负胶显影相同的效果。负显影工艺的采用也使得亮掩模在正胶上能实现较窄的沟槽。
[0005]目前常用的负胶显影液为NBA溶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显影液组合物，其特征在于，所述显影液组合物包括有机胺、表面活性剂及有机溶剂，所述有机胺选自具有式Ⅰ、式Ⅱ或式Ⅲ结构的一种或多种有机胺，其中，式Ⅱ中，R1选自
‑
NH2、
‑
CH2‑
NH2中的任意一种，R2选自
‑
H、
‑
OH、
‑
CH3中的任意一种，n为大于等于1的整数。2.根据权利要求1所述的显影液组合物，其特征在于，所述表面活性剂采用了非离子表面活性剂。3.根据权利要求1所述的显影液组合物，其特征在于，所述显影液组合物为由如下各质量百分含量的组分组成：有机胺：0.01
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【专利技术属性】
技术研发人员：马晓明，王健，杨晓松，
申请(专利权)人：苏州润邦半导体材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：