一种带隙基准、芯片、电子器件及电子设备制造技术

本申请提供一种带隙基准、芯片、电子器件及电子设备，包括：基准核心电路，所述基准核心电路包括PTAT电流产生模块；所述PTAT电流产生模块用于产生PTAT电流；启动电路，与所述基准核心电路连接，用于启动所述基准核心电路；电流检测模组，分别与所述启动电路和所述PTAT电流产生模块连接，用于在检测到所述PTAT电流产生模块产生PTAT电流之后，控制所述启动电路关断。上述方案可以有效避免启动电路在脱离简并区之前被提前关断，并可降低启动电路不能正常关断的风险。关断的风险。关断的风险。

【技术实现步骤摘要】
一种带隙基准、芯片、电子器件及电子设备


[0001]本申请涉及电子电路
，具体而言，涉及一种带隙基准、芯片、电子器件及电子设备。

技术介绍

[0002]带隙基准具有低噪声、低温度系数和高电源抑制比的优点，广泛地应用于电源管理、模数/数模转换、射频和传感器等芯片中。带隙基准分为电流模式带隙基准和电压模式带隙基准。
[0003]电流模式带隙基准的电路结构可以如图1所示，可在接近1V的电源电压下工作并且可得到任意值的基准电压，满足芯片电压需求。
[0004]电流模式带隙基准主要由PMOS(P
‑
Metal Oxide Semiconductor，P型金属氧化物半导体)管MP0～MP2、运算放大器OP、NPN三极管Q1～Q2和电阻R1～R4组成。其中，PMOS管MP0、MP1大小相同，电阻R2与R3相同，Q1和Q2大小不同。其中，运算放大器、MP0～MP1、Q1～Q2和电阻R1～R3组成电流模式带隙基准的基准核心电路，MP2和R4组成基准电压产生电路。MP2可以根据电压输出要求设计与MP0成一定比例，例如，MP2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带隙基准，其特征在于，包括：基准核心电路，所述基准核心电路包括PTAT电流产生模块；所述PTAT电流产生模块用于产生PTAT电流；启动电路，与所述基准核心电路连接，用于启动所述基准核心电路；电流检测模组，分别与所述启动电路和所述PTAT电流产生模块连接，用于在检测到所述PTAT电流产生模块产生PTAT电流之后，控制所述启动电路关断。2.如权利要求1所述的带隙基准，其特征在于，所述PTAT电流产生模块包括第一PTAT电流产生子模块和第二PTAT电流产生子模块；所述第一PTAT电流产生子模块和所述第二PTAT电流产生子模块配合，以在所述第一PTAT电流产生子模块和所述第二PTAT电流产生子模块中均产生所述PTAT电流；所述基准核心电路还包括第一PMOS管和第二PMOS管；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源极用于接收电源电压；所述第一PMOS管的漏极与所述第一PTAT电流产生子模块连接，所述第二PMOS管的漏极与所述第二PTAT电流产生子模块连接；所述启动电路包括第一受控开关，所述第一受控开关的第一连接端与所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的栅极连接，所述第一受控开关的第二连接端接地，所述第一受控开关的控制端与所述电流检测模组连接；所述电流检测模组用于在检测到所述第一PTAT电流产生子模块和所述第二PTAT电流产生子模块产生所述PTAT电流之后，控制所述第一受控开关的第一连接端和第二连接端关断。3.如权利要求1所述的带隙基准，其特征在于，所述PTAT电流产生模块包括第一PTAT电流产生子模块和第二PTAT电流产生子模块；所述第一PTAT电流产生子模块和所述第二PTAT电流产生子模块配合，以在所述第一PTAT电流产生子模块和所述第二PTAT电流产生子模块中均产生所述PTAT电流；所述基准核心电路还包括：第一PMOS管、第二PMOS管和运算放大器；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源极用于接收电源电压；所述第一PMOS管的漏极与所述第一PTAT电流产生子模块连接，并与所述运算放大器的负端连接；所述第二PMOS管的漏极与所述第二PTAT电流产生子模块连接，并与所述运算放大器的正端连接；所述启动电路包括第一受控开关，所述第一受控开关的第一连接端用于接收电源电压，所述第一受控开关的第二连接端与所述运算放大器的负端连接；所述电流检测模组用于在检测到所述第一PTAT电流产生子模块和所述第二PTAT电流产生子模块产生所述PTAT电流之后，控制所述第一受控开关的第一连接端和第二连接端关断。4.如权利要求2或3所述的带隙基准，其特征在于，所述第一受控开关为：所述第一受控开关的控制端接收到高电平信号时导通、接收到低电平信号时关断的开关器件；所述电流检测模组包括第二受控开关；所述第二受控开关用于在所述第一PTAT电流产生子模块和所述第二PTAT电流产生子模块产生所述PTAT电流之后导通；所述电流检测模组包括第一电阻，所述第一电阻的第一端用于接收所述电源电压，所述第一电阻的第二端通过所述第二受控开关接地，并与所述第一受控开关的控制端连接。5.如权利要求2或3所述的带隙基准，其特征在于，所述第一受控开关为：所述第一受控
开关的控制端接收到低电平信号时导通、接收到高电平信号时关断的开关器件；所述电流检测模组包括：第二电阻和第二受控开关；所述第二受控开关在所述第一PTAT电流产生子模块和所述第二PTAT...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂海英，刘勇江，顾艺，
申请(专利权)人：成都海光微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：