一种基准电压源制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种基准电压源，包括套筒式运算放大器和基准电压产生核电路；所述套筒式运算放大器包括第一PMOS管P31、第二PMOS管P32、第一NMOS管N31、第二NMOS管N32以及电流产生电路；所述基准电压产生核电路包括第三PMOS管P33、第一电阻R31、第二电阻R32、第三电阻R33、第一导通元件和第二导通元件，通过上述方式，有利于提高基准电压源的精度。有利于提高基准电压源的精度。有利于提高基准电压源的精度。

【技术实现步骤摘要】
一种基准电压源


[0001]本专利技术涉及电子
，尤其涉及一种基准电压源。

技术介绍

[0002]基准电压源是模拟电路极为重要的组成部分，它为串联型稳压电路、A/D和D/A转化器等提供基准电压，也是大多数传感器的稳压供电电源或激励源参阅。图1，图1是目前常见的基准电压源电路，其包括运算放大器OP1和用于产生基准电压的电流镜，电流镜由PMOS管P11、P12、P13构成，运算放大器OP1主要用于钳位作用。如图2所示，现有的运算放大器OP的实现电路中，由两级运算放大器构成，其中PMOS管P21、P22和NMOS管N21、N22组成第一级放大器，NMOS管N23为第二级放大器。
[0003]在上述结构的基准电压源电路中，运算放大器OP的输入失调电压和电流镜P11/P12/P13之间的失配会对基准电压源的精度造成较大的影响，降低基准电压源的精度，而运算放大器OP自身结构中的P21和P22的电压失配，N21和N22的失配以及N2和N3的失配，这三对器件的失配都会运算放大器OP的输入失调电压造成不良影响，从而影响基准电压源的精度。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基准电压源，其特征在于，包括套筒式运算放大器和基准电压产生核电路；所述套筒式运算放大器包括第一PMOS管P31、第二PMOS管P32、第一NMOS管N31、第二NMOS管N32以及电流产生电路；所述基准电压产生核电路包括第三PMOS管P33、第一电阻R31、第二电阻R32、第三电阻R33、第一导通元件和第二导通元件；所述第一PMOS管P31的栅极和漏极、所述第二PMOS管P32的栅极与所述第一NMOS管N31的漏极连接，所述第一PMOS管P31的源极和所述第二PMOS管P32的源极与电源电压VDD连接，所述第二PMOS管P32的漏极为所述套筒式运算放大器的输出端，并与所述第二NMOS管N32的漏极连接，所述第一NMOS管N31的源极与所述第二NMOS管N32的源极连接且通过所述电流产生电路接地，所述第一NMOS管N31的栅极和所述第二NMOS管N32的栅极分别为所述套筒式运算放大器的正输入端VP和负输入端VN；所述第三PMOS管P33的栅极与所述套筒式运算放大器的输出端连接，所述第三PMOS管P33的源极与所述电压电源VDD连接，所述第一电阻R31的一端和所述第二电阻R32的一端与所述第三PMOS管的漏极连接，所述第一电阻R31的另一端与所述负输入端VN连接，并通过所述第一导通元件接地，所述第二电阻R32的另一端与所述正输入端VP和所述第三电阻R33的一端连接，所述第三电阻R33的另一端通过所述第二导通元件接地，所述第三PMOS管的漏极为所述基准电压产生核电路的输出端，用于输出基准电压VREF。2.根据权利要求1所述的基准电压源，其特征在于，所述套筒式运算放大器还包括第三NMOS管N33和第四NMOS管N34，所述第一PMOS管P31的栅极和漏极通过所述第三NMOS管N33与所述第一NOMS管N31的漏极连接，所述第二PMOS管P32的漏极通过所述第四NMOS管N34与所述第二NMOS管N32的漏极连接；其中，所述第三NMOS管N33的栅极和漏极、所述第四NMOS管N34的栅极与所述第一PMOS管P31的栅极和漏极连接，所述第三NMO管N33的源极与所述第一NMOS管N31的漏极连接，所述第四NMOS管N34的漏极与所述第二PMOS管P32的漏极连接，所述第四NMOS管N34的源极与所述第二NMOS管N32的漏极连接。3.根据权利要求1所述的基准电压源，其特征在于，还包括用于提供第一偏置电压的第一偏置电路；所述套筒式运算放大器还包括第三NMOS管N33和第四NMOS管N34，所述第一PMOS管P31的栅极和漏极通过所述第三NMOS管N33与所述第一NOMS管N31的漏极连接，所述第二PMOS管P32的漏极通过所述第四NMOS管N34与所述第二NMOS管N32的漏极连接；其中，所述第三N...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉博，郭嘉帅，
申请(专利权)人：深圳飞骧科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：