气化器制造技术

技术编号:32868509 阅读:9 留言:0更新日期:2022-04-02 11:56
提供一种气化器,为了实现液体原料的高温加热,提高金属制内加热器块与耐热玻璃制的内管的紧贴性,提高从内加热器的导热。气化器(A)由雾化器(7)、气化器主体(Ah)以及加热部(Ak)构成。加热部(Ak)由内加热器块(3)和内加热器(9)构成。内管(2)由耐热玻璃制成,具有比中空的气化器主体(Ah)的内径小的外径。内加热器块(3)由沿着其中心轴(CL)分割的分割体(31~3n)和弹性材料(8)构成。弹性材料(8)配设在分割体(31~3n)之间,以将分割体(31~3n)向分离方向按压施力并使其按压于内管(2)的内周面的方式发挥作用。内加热器(91~9n)分别埋设于所述分割体(31~3n)。割体(31~3n)。割体(31~3n)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】气化器


[0001]本专利技术涉及一种导热优异的玻璃制气化器,特别是用于制造半导体以及用于形成光波导的玻璃制气化器。

技术介绍

[0002]作为Si和SiC等半导体材料的热氧化方法的种类,有湿式氧化和干式氧化。在湿式氧化中使用水。使H2O作为气体(水蒸气)流入炉中,将水中的氧用于氧化膜的生长。其特征是氧化速度快。因此,在需要较厚的膜厚的情况下使用该方法。另一方面,干式氧化在氧化膜生长中使用氧气。这与湿式氧化相反,生长速度慢。近年来,为了进一步提高氧化膜的生长速度,使用过氧化氢(H2O2)代替水(H2O)。另一方面,作为半导体以外的用途,有形成光波导(参照专利文献1)。在该情况下,为了沉积10~25μm的厚度的二氧化硅(SiO2),在利用H2O的氧化法中,需要长时间的沉积时间。如果利用过氧化氢(H2O2)代替H2O,则能够大幅缩短时间。
[0003]为此,需要使大量的过氧化氢溶液气化并送入反应炉。作为这样的目的的装置,提出了如专利文献1所示的装置。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本特开2001

337240号公报
[0007]专利文献2:日本专利6203207号公报

技术实现思路

[0008]本专利技术要解决的课题
[0009]专利文献1所记载的使过氧化氢溶液气化而产生氧化性气体的气化器用加热器从外部覆盖装有过氧化氢溶液的与烧瓶相似的中空球状容器的气化器的下半部分,中空球状容器被加热至100~130℃。含有气化的过氧化氢气体的水蒸气气体经由气体供给管流入反应炉。该装置是仅加热过氧化氢溶液而使其气化的装置,其缺点是随着气化器内的过氧化氢溶液的蒸发,过氧化氢的浓度发生变化。并且,除了也难以实现将过氧化氢的流量保持为恒定之外,还不清楚流动了多少的流量。
[0010]因此,专利技术人提出了专利文献2所记载的专利技术。该气化器由将液体原料雾化并喷出的雾化器、连接有雾化器的喷雾口的中空的外管、收纳在外管内的内管、设置于该外管的外侧的外加热器块、插入到内管的内侧的内加热器块、埋设于外加热器块的外加热器以及埋设于内加热器块的内加热器构成。
[0011]为了防止污染,该气化器除了两个加热器块和两个加热器以外由石英玻璃制成。而且,上述两个加热器块由传热性良好的铝制成。
[0012]外管内的、面对雾化器的喷雾口的空间是雾化空间,与该雾化空间相连的外管与内管之间的间隙是气化用间隙,上述液体原料在该气化用间隙内流动并被加热而气化。
[0013]在该加热作业中,由于内加热器块是热膨胀率比石英显著大的铝制的,因此,在设定为高温时,为了不使石英制内管由于铝制内加热器块的热膨胀而破损,使内加热器块的外径比石英的内径小,留出不受热膨胀的影响的程度的余量而取得较大的空间。但是,由于该间隙是隔热性高的空气层,因此,内加热器的热难以从内加热器块向内管传递,气化性能显著受到阻碍。
[0014]为了改善这种情况,在实际的产品中,为了填埋内加热器块与石英制内管之间的间隙而涂布有传热膏。但是,若增加要气化的液体原料的流量,则需要更高的温度,若设定为高温,则作为传热膏的成分的溶剂蒸发,仅残留固体成分。这样,溶剂蒸发后的间隙充满隔热性高的空气而使传热效率显著降低,气化性能降低,产生得不到设为目标的要气化的液体原料的流量的问题。
[0015]本专利技术是鉴于该现有问题而提出的,其目的在于提供一种气化器,为了实现液体原料的高温加热,尽量减少传热膏的使用,提高金属制(铝制)的内加热器块与耐热玻璃(石英)制的内管之间的紧贴性,提高从由内加热器加热后的内加热器块的导热。
[0016]用于解决课题的手段
[0017]技术方案1记载的专利技术涉及一种导热性优异的气化器A,其特征在于,
[0018]气化器A由如下结构构成:
[0019]雾化器7,其将液体原料L雾化并喷出;
[0020]中空的气化器主体Ah,其在一端连接所述雾化器7的喷雾口73,在另一端具有作为气化气体G2的出口的出口喷嘴11;以及
[0021]加热部Ak,其收纳在所述气化器主体Ah内,
[0022]所述加热部Ak由如下结构构成:
[0023]耐热玻璃制的内管2,其具有比所述气化器主体Ah的内径小的外径,作为插入端的前端头部2a被封闭;
[0024]内加热器块3,其插入到所述内管2;以及
[0025]内加热器9,其埋设于所述内加热器块3,
[0026]所述出口喷嘴11设置成与形成在气化器主体Ah的内周面和内管2的外周面之间的气化用间隙R连通,
[0027]所述内加热器块3由沿着所述内加热器块3的中心轴CL分割为多个的分割体31~3n和弹性材料8构成,
[0028]所述弹性材料8配设在所述分割体31~3n之间,以将所述分割体31~3n向分离方向按压施力并使所述分割体31~3n的外周面按压于所述内管2的内周面的方式发挥作用,
[0029]所述内加热器91~9n分别埋设于所述分割体31~3n。
[0030]技术方案2的特征在于,在技术方案1记载的气化器A中,耐热玻璃是石英玻璃。
[0031]专利技术的效果
[0032]本专利技术的气化器A由于具有上述结构,因此,即使在升温时分割体31~3n发生了热膨胀,弹性材料8也与该热膨胀相应地收缩而将其吸收,并且该弹性材料8将分割体31~3n的外周面按压于内管2的内周面,因此,能够在不使耐热玻璃制的内管2破损的情况下维持内管2与构成内加热器块3的分割体31~3n的紧贴状态。
附图说明
[0033]图1是将本专利技术的一个实施例的一部分剖切的主视图。
[0034]图2是图1的第一实施例的X

X剖视向视图。
[0035]图3是图1的第二实施例的剖视向视图。
[0036]图4是使用本专利技术的气化器的半导体制造装置的结构图。
具体实施方式
[0037]以下,根据附图说明本专利技术。气化器A由雾化器7、气化器主体Ah以及加热部Ak构成。
[0038]上述气化器主体Ah由中空圆筒状的外管1、被分割的外加热器块5、外加热器4以及出口喷嘴11构成。并且,如后所述,根据需要,在气化器主体Ah设置温度传感器12。
[0039]上述加热部Ak由内管2、内加热器块3、内加热器9以及温度传感器10构成。
[0040]适用气化器A的液体原料L只要是气化后使用的原料(用于半导体制造的例如各种液体原料),则可以为任何原料,在此设为过氧化氢溶液。在气化器A用于过氧化氢溶液的气化、且如半导体制造装置那样需要极高纯度的含有过氧化氢的水蒸气气体(气化气体G2)的情况下,用在高温环境下不会被含有过氧化氢的水蒸气气体(气化气体G2)侵蚀的玻璃(例如“石英玻璃”)来制作与含有过氧化氢的水蒸气气体(气化气体G2)接触的部分,在此为雾化器7、外管1、内管2以及出口喷嘴11。
[0041]在其他领域中,本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种气化器,由雾化器、中空的气化器主体以及加热部构成,所述雾化器将液体原料雾化并喷出,所述气化器主体在一端连接所述雾化器的喷雾口,在另一端具有作为气化气体的出口的出口喷嘴,所述加热部收纳在所述气化器主体内,其特征在于,所述加热部由如下结构构成:耐热玻璃制的内管,其具有比所述气化器主体的内径小的外径,作为插入端的前端头部被封闭;内加热器块,其插入到所述内管;以及内加热器,其埋设于所述内加热器...

【专利技术属性】
技术研发人员:小野弘文古门龙彦
申请(专利权)人:琳科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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