一种新型电池充电电路制造技术

本发明专利技术公开了一种新型电池充电电路，应用于多节铅酸电池的均衡充电，包括由单片机检测电压和输出控制电路、均衡充电次级绕组电路、初级电流耦合到次级电路电路构成的充电电路以及N沟道场效应管Q31、N沟道场效应管Q32、N沟道场效应管Q33构成的电池检测电路对电池进行充电以及检测，该电池充电电路对每一节电池都提供独立的电压进行充电，可以单独启动或停止充电，与传统技术中使用同一个电压对电池容量不同的电池充电造成的容量小的电池出现过充电而容量大的电池并未充满相比，在保证所有电池充满同时，又能够防止过充电现象，能够有效的延长多节电池串联使用的寿命。的延长多节电池串联使用的寿命。的延长多节电池串联使用的寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种新型电池充电电路


[0001]本专利技术属于铅酸电池
，具体涉及一种新型电池充电电路。

技术介绍

[0002]在多节电池串联使用一段时间后，会出现单节电池容量不同程度的衰减现象，如果使用同一个电压充电，容易导致容量小的电池出现过充电而容量大的电池并未充满。
[0003]为此，我们提出一种能够对每一节电池都提供独立的电压进行充电，可以单独启动或停止充电，保证所有电池充满同时又防止过充电现象的新型电池充电电路来解决上述问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种新型电池充电电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种新型电池充电电路，包括充电电路以及电池检测电路，所述充电电路包括与单片机芯片U10的PB08脚连接的N沟道增强型场效应管Q54的G极，所述N沟道增强型场效应管Q54的G极连接电阻R58的一端，且电阻R58另一端接地，所述N沟道增强型场效应管Q54的D极连接至变压器T1初级绕组N1的一端，所述变压器T1初级绕组N1的另一端连接到DC24V或DC36V正，所述N沟道增强型场效应管Q54的S极接地；所述芯片U10的PB09脚连接至N沟道增强型场效应管Q55的G极，所述N沟道增强型场效应管Q55的G极连接的电阻R59一端，且电阻R59另一端接地，所述N沟道增强型场效应管Q55的D极所连接的变压器T1初级绕组N2的一端，所述变压器T1初级绕组N2的另一端连接到DC24V或DC36V正，所述N沟道增强型场效应管Q55的S极接地；所述充电电路还包括P沟道增强型场效应管Q52的G极所连接的电阻R55与R52，所述电组R55连接的晶体三极管Q57的C极，所述晶体三极管Q57的b极连接单片机芯片U10的PA10脚，所述晶体三极管Q57的E极接地，所述电阻R52另一端连接P沟道增强型场效应管Q52的S极，所述P沟道增强型场效应管Q52的D极连接BAT3正极，所述P沟道增强型场效应管Q52的S极连接镇流电感L51与电容器C53的正极，所述电容器C53的负极连接BAT2正极与电容器C54的正极，所述镇流电感L51的另一端连接肖特基二极管D55的负极，所述肖特基二极管D55的正极分别与变压器T1的次级绕组N3、与N4的另一端并与肖特基二极管D54且与肖特基二极管D57的正极相连接，所述肖特基二极管D54与肖特基二极管D57的负极连接镇流电感L52的一端，所述镇流电感L52另一端与电容器C54的负极、P沟道增强型场效应管Q53的D极连接，所述P沟道增强型场效应管Q53的G极分别连接电阻R53、电阻R56的一端，所述电阻R53的另一端分别连接P沟道增强型场效应管Q53的S极与BAT2的负极，所述P沟道增强型场效应管Q53的G极与电阻R53连接，所述电阻R56的另一端连接晶体三极管Q58的C极，所述晶体三极管Q58的B极连接单片机芯片U10的PA09脚，且晶体三极管Q58的E极接地；
所述充电电路还包括P沟道增强型场效应管Q51，所述P沟道增强型场效应管Q51的D极连接电池BAT1的正极，所述 P沟道增强型场效应管Q51的G极分别连接电阻R57的一端、电阻R54的一端，所述电阻R57的另一端连接晶体三极管Q56的C极，且晶体三极管Q56的E极接地，所述晶体三极管Q56的B极连接单片机芯片U10的PA08脚，所述P沟道增强型场效应管Q51的S极分别连接电阻R54的另一端、电容器C55的正极、镇流电感L53的一端，且电容器C55的负极接地，所述镇流电感L53连接肖特基二极管D56的负极，所述肖特基二极管D56的正极分别与变压器T1的次级绕组N5与N6的一端，所述变压器T1的次级绕组N5与N6的公共端接地。
[0006]优选的，所述电池检测线路包括N沟道场效应管Q31、N沟道场效应管Q32以及N沟道场效应管Q33。
[0007]优选的，所述N沟道场效应管Q31的D极连接电阻R31的一端，电阻R31的另一端连接BAT1的正极，所述N沟道场效应管Q31的S极分别连接电阻R35的一端、电容C31的一端、单片机芯片U10的BTIN1脚，所述电阻R35的另一端与电容C31的另一端分别接地，所述N沟道场效应管Q31的G极连接单片机芯片U10的BTAOUT脚。
[0008]优选的，所述N沟道场效应管Q32的D极连接电阻R32的一端，所述电阻R32的另一端连接BAT2的正极，所述N沟道场效应管Q32的S极分别连接电阻R36的一端、电容C32的一端、单片机芯片U10的BTIN2脚，所述电阻R36的另一端与电容C32的另一端分别接地，所述N沟道场效应管Q32的G极连接单片机芯片U10的BTAOUT脚。
[0009]优选的，所述N沟道场效应管Q33的D极连接电阻R33的一端，所述电阻R33的另一端连接BAT3的正极，所述N沟道场效应管Q33的S极分别连接电阻R37的一端、电容C33的一端、单片机芯片U10的BTIN3脚，所述电阻R37的另一端与电容C33的另一端分别接地，所述N沟道场效应管Q33的G极连接单片机芯片U10的BTAOUT脚。
[0010]本专利技术的技术效果和优点：该新型电池充电电路，应用于多节铅酸电池的均衡充电，通过设置由单片机检测电压和输出控制电路、均衡充电次级绕组电路、初级电流耦合到次级电路电路构成的充电电路以及N沟道场效应管Q31、N沟道场效应管Q32、N沟道场效应管Q33构成的电池检测电路对电池进行充电以及检测，该电池充电电路对每一节电池都提供独立的电压进行充电，可以单独启动或停止充电，与传统技术中使用同一个电压对电池容量不同的电池充电造成的容量小的电池出现过充电而容量大的电池并未充满相比，在保证所有电池充满同时，又能够防止过充电现象，能够有效的延长多节电池串联使用的寿命。
附图说明
[0011]图1为本专利技术充电电路的电路图；图2为本专利技术电池检测电路中N沟道场效应管Q31的电路连接图；图3为本专利技术电池检测电路中N沟道场效应管Q32的电路连接；图4为本专利技术电池检测电路中N沟道场效应管Q33的电路连接图。
具体实施方式
[0012]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于
本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0013]本专利技术提供了如图1
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4所示的一种新型电池充电电路，包括充电电路以及电池检测电路，其中，充电电路包括单片机检测电压和输出控制电路、均衡充电次级绕组电路、初级电流耦合到次级电路电路；具体包括单片机芯片U10的PB08脚所连接的N沟道增强型场效应管Q54的G极，N沟道增强型场效应管Q54的G极连接电阻R58一端，电阻R58另一端接地，N沟道增强型场效应管Q54的D极所连接的变压器T1初级绕组N1的一端，变压器T1初级绕组N1的另一端连接到DC24V或DC36V正，N沟道增强型场本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型电池充电电路，包括充电电路以及电池检测电路，其特征在于：所述充电电路包括与单片机芯片U10的PB08脚连接的N沟道增强型场效应管Q54的G极，所述N沟道增强型场效应管Q54的G极连接电阻R58的一端，且电阻R58另一端接地，所述N沟道增强型场效应管Q54的D极连接至变压器T1初级绕组N1的一端，所述变压器T1初级绕组N1的另一端连接到DC24V或DC36V正，所述N沟道增强型场效应管Q54的S极接地；所述芯片U10的PB09脚连接至N沟道增强型场效应管Q55的G极，所述N沟道增强型场效应管Q55的G极连接的电阻R59一端，且电阻R59另一端接地，所述N沟道增强型场效应管Q55的D极所连接的变压器T1初级绕组N2的一端，所述变压器T1初级绕组N2的另一端连接到DC24V或DC36V正，所述N沟道增强型场效应管Q55的S极接地；所述充电电路还包括P沟道增强型场效应管Q52的G极所连接的电阻R55与R52，所述电组R55连接的晶体三极管Q57的C极，所述晶体三极管Q57的b极连接单片机芯片U10的PA10脚，所述晶体三极管Q57的E极接地，所述电阻R52另一端连接P沟道增强型场效应管Q52的S极，所述P沟道增强型场效应管Q52的D极连接BAT3正极，所述P沟道增强型场效应管Q52的S极连接镇流电感L51与电容器C53的正极，所述电容器C53的负极连接BAT2正极与电容器C54的正极，所述镇流电感L51的另一端连接肖特基二极管D55的负极，所述肖特基二极管D55的正极分别与变压器T1的次级绕组N3、与N4的另一端并与肖特基二极管D54且与肖特基二极管D57的正极相连接，所述肖特基二极管D54与肖特基二极管D57的负极连接镇流电感L52的一端，所述镇流电感L52另一端与电容器C54的负极、P沟道增强型场效应管Q53的D极连接，所述P沟道增强型场效应管Q53的G极分别连接电阻R53、电阻R56的一端，所述电阻R53的另一端分别连接P沟道增强型场效应管Q53的S极与BAT2的负极，所述P沟道增强型场效应管Q53的G极与电阻R53连接，所述电阻R56的另一端连接晶体三极管Q58的C极，所述晶体三极管Q58的B极连接单片机芯片U10的PA09脚，且晶体三极管Q58的E极接地；所述充电电路还...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏贤斌，
申请(专利权)人：中山市八沅照明科技有限公司，
类型：发明
国别省市：