一种新型应急电源系统技术方案

本发明专利技术公开了一种新型应急电源系统，包括驱动电路、通讯电路、隔离电源电路。本发明专利技术通过用N沟道低内阻场效应管替代传统的P沟道场效应管，在高电位的场合进行开关功能，使用隔离电源的方式进行给N沟道场效应管的驱动电路供电，从而实现N沟道场效应管的高电位的驱动功能，N沟道低内阻场效应管的制造工艺比较简单、市场使用量较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，由于N沟道场效应管的加工工艺的原因，使得场效应管的内阻很小，根据欧姆定律W=I

【技术实现步骤摘要】
一种新型应急电源系统


[0001]本专利技术涉及电源
，具体为一种新型应急电源系统。

技术介绍

[0002]电源应急系统是由整流设备、直流配电设备、蓄电池组、直流变换器、机架电源设备等和相关的配电线路组成的总体。电源系统为各种电机提供各种高、低频交、直流电源，维护电机系统的平稳运行。
[0003]目前，市面上常见的电源系统中EPS通讯电路核心原理包括通讯驱动+电源驱动+辅助隔离电源，现有的电源应急系统中一般采用P沟道场效应管，P沟道场效应管晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压，它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容，P场效应管因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，P沟道场效应管的内阻比较大，制作工艺比较复杂，生产成本高，给使用者带来极大的不便，为此，我们提出一种新型应急电源系统。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种新型应急电源系统，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种新型应急电源系统，包括驱动电路、通讯电路、隔离电源电路，所述驱动电路的一端与通讯电路连接，所述隔离电源电路的一端与驱动电路连接；所述驱动电路包括BAT电源、电源输入端、电源输出端、保险丝F9、N沟道场效应管M1、N沟道场效应管M2、电容C10、电阻R20、电阻R33、电阻R17、电阻R27、电阻R21、电阻R40、电阻R30、NPN三极管Q4、PNP三极管Q8、NPN三极管Q9、光耦U4，所述BAT电源为外部输入电源或直流输入电源，所述光耦U4将控制电路的信号与驱动电路耦合，所述BAT电源的另一端与保险丝F9连接，所述保险丝F9的一端与N沟道场效应管M1连接，所述N沟道场效应管M1的一端与N沟道场效应管M2连接，所述N沟道场效应管M2的一端与电源输出端连接，所述电容C10的一端分别与N沟道场效应管M1、N沟道场效应管M2连接，所述电容C10的另一端分别与电阻R20、电阻R33连接，所述电阻R20的一端分别与NPN三极管Q4、PNP三极管Q8连接，所述NPN三极管Q4的一端分别与电阻R17、电阻R27连接，所述电阻R27的一端与三极管Q9连接，所述三极管Q9的一端分别与电阻R21、电阻R40连接，所述电阻R21的一端与电阻R17连接，所述电阻R40的一端分别与电阻R21和光耦U4连接，所述光耦U4的一端与电阻R30连接；所述通讯电路包括载波输出端、电阻R26、电阻R28、三极管Q12、三极管Q7、N沟道场效应管M3、电容C11、电阻R35、三极管Q11、三极管Q6、电阻R10、电阻R23、电阻R36、三极管Q13、电阻R32、电阻R41、光耦U5、电阻R37，所述N沟道场效应管M3的一端与电源输入端连接，所述N沟道场效应管M3的一端分别与电容C11、电阻R35和三极管Q7连接，所述三极管Q7的一端分别与电阻R26、电阻R28连接，所述电阻R28的一端与三极管Q12连接，所述三极管Q12的
一端与载波输出端连接，所述电容C11的一端分别与三极管Q11、三极管Q6连接，所述三极管Q6的一端分别与电阻R10、电阻R23连接，所述三极管Q11的一端分别与电阻R23、电阻R36连接，所述电阻R36的一端与三极管Q13的一端连接，所述三极管Q13的一端分别与电阻R32、电阻R41、光耦U5连接，所述光耦U5的一端与电阻R37连接；所述隔离电源电路包括AC主电输入、电感线圈L88、变压器、N沟道场效应管M4、N沟道场效应管M5、电阻R116、电阻R118、电阻R117、电阻R119、第一驱动信号端、第二驱动信号端、电容C44、整流桥堆D31、整流桥堆D32、整流桥堆D34、电阻R77、电解电容CT5、电阻R67、电解电容CT3、电阻R74、电解电容CT4，所述AC主电输入的一端与电感线圈L88连接，所述电感线圈L88的一端分别与N沟道场效应管M4、变压器连接，所述变压器的一端分别与电容C44、整流桥堆D31、整流桥堆D32、整流桥堆D34连接，所述N沟道场效应管M4的一端分别与N沟道场效应管M5、电阻R116、电阻R118连接，所述电阻R118的一端与第一驱动信号端连接，所述N沟道场效应管M5的一端分别与电阻R117、电阻R119连接，所述电阻R119的一端与第二驱动信号端连接，所述整流桥堆D31的一端分别与电阻R67、电解电容CT3连接，所述整流桥堆D32的一端分别与电阻R77、电解电容CT5连接，所述整流桥堆D34的一端分别与电阻R74、电解电容CT4连接。
[0006]优选的，所述光耦U4的一端接地。
[0007]优选的，所述电阻R30的一端连接有输出控制端。
[0008]优选的，所述三极管Q12、三极管Q7的一端均连接有驱动信号端。
[0009]优选的，所述电阻R37的一端连接有通讯驱动信号端。
[0010]与现有技术相比，本专利技术的有益效果如下：本专利技术通过用N沟道低内阻场效应管替代传统的P沟道场效应管，在高电位的场合进行开关功能，使用隔离电源的方式进行给N沟道场效应管的驱动电路供电，从而实现N沟道场效应管的高电位的驱动功能，N沟道低内阻场效应管的制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，由于N沟道场效应管的加工工艺的原因，可以将场效应管的内阻做的非常小，这是P沟道做不到的优势，因为场效应管的内阻很小，根据欧姆定律W=I
²
*R，电流不变的情况下经过额定大电流时，电阻越小产生的热量和损耗就越小，大电流在经过电路时，避免电路负载温度过高而损坏，给使用者带来极大的便利。
附图说明
[0011]图1为本专利技术高电位电源输出驱动电路原理图；图2为本专利技术M
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BUS载波通讯电路应用原理图；图3为本专利技术隔离电源原理图。
具体实施方式
[0012]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0013]请参阅图1
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3，一种新型应急电源系统，包括驱动电路、通讯电路、隔离电源电路，驱动电路的一端与通讯电路连接，隔离电源电路的一端与驱动电路连接。
[0014]驱动电路包括BAT电源、电源输入端、电源输出端、保险丝F9、N沟道场效应管M1、N沟道场效应管M2、电容C10、电阻R20、电阻R33、电阻R17、电阻R27、电阻R21、电阻R40、电阻R30、NPN三极管Q4、PNP三极管Q8、NPN三极管Q9、光耦U4，BAT电源为外部输入电源或直流输入电源，光耦U4将控制电路的信号与驱动电路耦合，BAT电源的另一端与保险丝F9连接，保险丝F9的一端与N沟道场效应管M1连接，N沟道场效应管M1的一端与N沟道场效应管M2连接，N沟道场效应管M2的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型应急电源系统，包括驱动电路、通讯电路、隔离电源电路，其特征在于：所述驱动电路的一端与通讯电路连接，所述隔离电源电路的一端与驱动电路连接；所述驱动电路包括BAT电源、电源输入端、电源输出端、保险丝F9、N沟道场效应管M1、N沟道场效应管M2、电容C10、电阻R20、电阻R33、电阻R17、电阻R27、电阻R21、电阻R40、电阻R30、NPN三极管Q4、PNP三极管Q8、NPN三极管Q9、光耦U4，所述BAT电源为外部输入电源或直流输入电源，所述光耦U4将控制电路的信号与驱动电路耦合，所述BAT电源的另一端与保险丝F9连接，所述保险丝F9的一端与N沟道场效应管M1连接，所述N沟道场效应管M1的一端与N沟道场效应管M2连接，所述N沟道场效应管M2的一端与电源输出端连接，所述电容C10的一端分别与N沟道场效应管M1、N沟道场效应管M2连接，所述电容C10的另一端分别与电阻R20、电阻R33连接，所述电阻R20的一端分别与NPN三极管Q4、PNP三极管Q8连接，所述NPN三极管Q4的一端分别与电阻R17、电阻R27连接，所述电阻R27的一端与三极管Q9连接，所述三极管Q9的一端分别与电阻R21、电阻R40连接，所述电阻R21的一端与电阻R17连接，所述电阻R40的一端分别与电阻R21和光耦U4连接，所述光耦U4的一端与电阻R30连接；所述通讯电路包括载波输出端、电阻R26、电阻R28、三极管Q12、三极管Q7、N沟道场效应管M3、电容C11、电阻R35、三极管Q11、三极管Q6、电阻R10、电阻R23、电阻R36、三极管Q13、电阻R32、电阻R41、光耦U5、电阻R37，所述N沟道场效应管M3的一端与电源输入端连接，所述N沟道场效应管M3的一端分别与电容C11、电阻R35和三极管Q7连接，所述三极管Q7的一端分别与电阻R26、电阻R28连接，所述电阻R28的一端与三极管Q12连接，所述三极管Q12的一端与载波输出端连接，所述电容C1...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴锋传，
申请(专利权)人：中山市八沅照明科技有限公司，
类型：发明
国别省市：