一种半导体晶圆的测试结构及测试方法技术

本发明专利技术提供一种半导体晶圆的测试结构，其中，包括，包括一第一测试垫，一第二测试垫，一第三测试垫及一第四测垫；一第一电阻，两端分别连接所述第一测试垫及所述第二测试垫；一第二电阻，两端分别连接所述第三测试垫及所述第四测试垫；一第三电阻，两端分别连接所述第二测试垫及所述第三测试垫。本发明专利技术技术方案的有益效果为：排除探针测试机台的探针对半导体晶圆上电阻测试结构的测试结果造成的影响，结构简单，不改变现有测试结构的整体布局，不影响测试结构占用晶圆的面积，并可根据晶圆版图进行调整适配。行调整适配。行调整适配。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆的测试结构及测试方法


[0001]本专利技术涉及半导体测试
，尤其涉及一种半导体晶圆的测试结构及测试方法。

技术介绍

[0002]半导体晶圆加工过程中，为了对加工工艺进行监控，通常会在晶圆的一些预定位置上设置测试结构，这些测试结构随晶圆制程与晶圆上的器件结构一同被加工完成，在测试阶段对这些测试结构进行性能测试可反应晶圆的加工工艺是否存在问题。由于这些测试结构并非工厂需要的最终产品，不可能在晶圆上占用过多的空间，因此复杂的测试电路无法被应用到这些测试结构上，在满足需要表达的数据量的基础上，往往只使用一些简单的电路结构，如电阻失配测试结构的每个测试单元中只是把一对同尺寸的电阻两端分别连接到测试垫上，形成如图1所示的结构，当需要测试电阻R1的阻值时，通过探针测试机台的探针连接测试垫1和测试垫2进行测量，当需要测试电阻R2的阻值时，通过探针测试机台的探针连接测试垫3和测试垫4进行测量，并通过下式计算获得如图2所示的电阻失配曲线上的点的坐标值。
[0003]X＝1/Sqrt(W*L)；
[0004]Y＝Stdev[(R本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆的测试结构，其特征在于，包括，包括一第一测试垫，一第二测试垫，一第三测试垫及一第四测垫一第一电阻，两端分别连接所述第一测试垫及所述第二测试垫；一第二电阻，两端分别连接所述第三测试垫及所述第四测试垫；一第三电阻，两端分别连接所述第二测试垫及所述第三测试垫。2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一测试垫及所述第四测试垫之间的回路于测试时形成电流激励回路。3.根据权利要求1所述的，其特征在于，所述第二测试垫及所述第三测试垫之间的回路于测试时形成电压测试回路。4.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一电阻与所述第二电阻的尺寸相同，和/或所述第一电阻与所述第二电阻于同一工艺中形成。5.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一电阻与所述第二电阻之间的距离小于等于1um且大于等于0.1um。6.一种半导体晶圆的测试方法，其特征在于，提供一晶圆，所述晶圆表面包括如权利要求1
‑
5中任一所述的半导体晶圆的测试结构，还包括以下步骤，步骤S1，于所述第一测试垫及所述第四测试垫之间提供一激励电流；步...

【专利技术属性】
技术研发人员：李岩，武洁，许新贵，何鹏，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：