聚丙烯基复合金属化薄膜及其制备方法技术

技术编号:32855102 阅读:10 留言:0更新日期:2022-03-30 19:24
公开了聚丙烯基复合金属化薄膜及其制备方法,方法中,制备氮化硼溶液,氮化硼固体粉末和N,N

【技术实现步骤摘要】
聚丙烯基复合金属化薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及金属化电容器膜的复合薄膜材料
,尤其涉及聚丙烯基复合金属化薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]金属化电容器膜是将双向拉伸后形成的薄膜进行真空蒸镀金属而成的,薄膜上纳米级别的金属镀层在薄膜绝缘失效时蒸发以隔离故障,这一过程称为自愈。但是薄膜在自愈时可能因为自愈能量过大将周围的几层薄膜同时击穿,加剧电容量的损失。
[0003]目前对于自愈性能的改善有设计内置金属熔丝与调控镀层方阻两种。通过内置熔丝的图案优化设计,可以将自愈范围限制在单个单元网格内,有效降低单次自愈的容量损失。调控镀层方阻的方法是基于自愈能量与方阻的负相关关系,高方阻金属化薄膜相对低方阻而言有更小的自愈能量,但是过高的方阻会增大元件的等效串联电阻,对于长期运行的电力电容器而言会提高电容器内部的温升。以上两种方式对于自愈能量的限制都十分有限,通过在金属化膜上涂覆氧化铝获得了具有隔离自愈能力的复合薄膜,但是该薄膜在涂覆后击穿强度有所下降,导致储能密度低于改性之前。
[0004]针对现有技术的以上缺陷或进的需求,本领域技术人员致力于开发同时具有高击穿场强与优良自愈性能、且储能密度优良的聚丙烯基复合金属化薄膜。
[0005]在
技术介绍
部分中公开的上述信息仅仅用于增强对本专利技术背景的理解,因此可能包含不构成本领域普通技术人员公知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的是提聚丙烯基复合金属化薄膜及其制备方法,以提供同时具有高击穿场强与优良自愈性能、且储能密度的复合金属化薄膜。
[0007]为了实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:
[0008]本专利技术的聚丙烯基复合金属化薄膜的制备方法包括:
[0009]制备氮化硼溶液,氮化硼固体粉末和N,N

二甲基甲酰胺中按照预定质量体积比例混合形成氮化硼溶液;
[0010]金属化聚丙烯薄膜放在平板涂膜机的玻璃板上,蒸镀金属的一面朝下,非金属面朝上,涂覆刮刀上加入所述氮化硼溶液,在室温下进行涂覆多层生成聚丙烯基复合金属化薄膜。
[0011]所述的聚丙烯基复合金属化薄膜的制备方法中,预定质量体积比例为10g∶400mL。
[0012]所述的聚丙烯基复合金属化薄膜的制备方法中,聚丙烯为等规聚丙烯。
[0013]所述的聚丙烯基复合金属化薄膜的制备方法中,混合时的温度为60

70℃。
[0014]所述的聚丙烯基复合金属化薄膜的制备方法中,混合时搅拌速率为300r/min,持续时间为12h。
[0015]所述的聚丙烯基复合金属化薄膜的制备方法中,氮化硼层的厚度为1

4μm。
[0016]一种聚丙烯基复合金属化薄膜经由所述的聚丙烯基复合金属化薄膜的制备方法制备。
[0017]在上述技术方案中,本专利技术提供的一种聚丙烯基复合金属化薄膜的制备方法及复合聚丙烯材料,具有以下有益效果:本专利技术所述的一种聚丙烯基复合金属化薄膜的制备方法利用氮化硼宽禁带、高导热的特性,提出将氮化硼涂覆于金属化膜之上,利用高禁带宽度提升击穿场强,利用高导热特性促进自愈等离子体熄弧,合成具有高击穿场强与优良自愈性能、且储能密度的复合薄膜材料。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为本专利技术中聚丙烯基复合金属化薄膜的制备方法的步骤示意图;
[0020]图2为本专利技术中聚丙烯基复合金属化薄膜的制备方法的氮化硼层的厚度与自愈能量范围的关系示意图;
[0021]图3为本专利技术中聚丙烯基复合金属化薄膜的制备方法的氮化硼层的厚度与击穿场强的关系示意图;
[0022]图4为本专利技术中聚丙烯基复合金属化薄膜的制备方法的测试结果示意图。
具体实施方式
[0023]为使本专利技术实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本专利技术实施方式对本专利技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施方式是本专利技术一部分实施方式,而不是全部的实施方式。基于本专利技术中的实施方式,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本专利技术保护的范围。
[0024]因此,以下对在附图中提供的本专利技术的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围,而是仅仅表示本专利技术的选定实施方式。基于本专利技术中的实施方式,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本专利技术保护的范围。
[0025]应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0026]在本专利技术的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0027]此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,
除非另有明确具体的限定。
[0028]在本专利技术中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0029]在本专利技术中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0030]为了使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案,下面将结合附图1至图4对本专利技术作进一步的详细介绍。如图1所示,聚丙烯基复合金属化薄膜的制备方法包括,
[0031]制备氮化硼溶液,本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种聚丙烯基复合金属化薄膜的制备方法,其特征在于,其包括以下步骤:制备氮化硼溶液,氮化硼固体粉末和N,N

二甲基甲酰胺中按照预定质量体积比例混合形成氮化硼溶液;金属化聚丙烯薄膜放在平板涂膜机的玻璃板上,蒸镀金属的一面朝下,非金属面朝上,涂覆刮刀上加入所述氮化硼溶液,在室温下进行涂覆多层生成聚丙烯基复合金属化薄膜。2.根据权利要求1所述的聚丙烯基复合金属化薄膜的制备方法,其特征在于,优选的,预定质量体积比例为10g∶400mL。3.根据权利要求1所述的聚丙烯基复合金属化薄膜的制备方法,其特征在于,聚丙烯...

【专利技术属性】
技术研发人员:程璐刘文凤马宇威温已年
申请(专利权)人:西安交通大学
类型:发明
国别省市:

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