一种绝缘栅双极晶体管制造技术

本发明专利技术提供一种绝缘栅双极晶体管，本发明专利技术的绝缘栅双极晶体管通过在衬底P+发射区和N型基区之间设置N型调节区，为N型导电杂质掺杂多晶或无定形半导体材料，N型调节区抑制少子注入，控制降低N型基区少子的数量；本发明专利技术可以实现在厚衬底片上制造器件，同时抑制了绝缘栅双极晶体管背部P型发射区的少子注入；提高器件高频特性，减少器件的功耗。减少器件的功耗。减少器件的功耗。

【技术实现步骤摘要】
一种绝缘栅双极晶体管


[0001]本专利技术涉及到功率半导体中的绝缘栅双极晶体管。

技术介绍

[0002]绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)是一种集金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅电极电压控制特性和双极晶体管(BJT)的低导通电阻特性于一身的半导体功率器件，具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、导通电阻小、开关损耗低及工作频率高等特性，是比较理想的半导体功率开关器件，有着广阔的发展和应用前景。一般说来，从IGBT的正面结构区分，可以把IGBT分为平面型和沟槽栅型两种结构；从IGBT击穿特性区分，可以分为穿通型和非穿通型两种结构，穿通型在器件背面P+表面具有N+缓冲层，其通态压降比非穿通型要小，同时穿通型器件也增加了器件的制造难度。
[0003]理想型绝缘栅双极晶体管需要低导通压降低导通电阻，同时需要相对快速缓和的反向恢复性能；其中为了降低器件的导通压降，需要背P型发射区向N型基区中注入大量少子，产生电导调制降低器件导通状态下电阻，但是由此引起器件方向恢复性能弱本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于：包括：N型基区，由N+缓冲层和N-基区叠加组成，N-基区位于N+缓冲层上方，为N型半导体材料；P型基区、N+源区、栅氧化层和栅极介质，位于N型基区上方；N型调节区，为N型多晶或无定形半导体材料，位于N+缓冲层下方；背P+发射区，完全为P型多晶或无定形半导体材料构成，位于N型调节区下方。2.如权利要求1所述的一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述的N型调节区与N型基区之间通过键合工艺进行接合。3.如权利要求1所述的一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述的背P+发射区与N型调节区通过键合工艺进行接合。4.一种绝缘栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ五一IntClH零一L二九七三九，
申请(专利权)人：朱江，
类型：发明
国别省市：