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本发明提供一种绝缘栅双极晶体管，本发明的绝缘栅双极晶体管通过在衬底P+发射区和N型基区之间设置N型调节区，为N型导电杂质掺杂多晶或无定形半导体材料，N型调节区抑制少子注入，控制降低N型基区少子的数量；本发明可以实现在厚衬底片上制造器件，同时...
该专利属于朱江所有，仅供学习研究参考，未经过朱江授权不得商用。

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