一种在近红外长余辉发光的纳米材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种近红外的长余辉纳米材料，其发光中心分别为Ce

【技术实现步骤摘要】
一种在近红外长余辉发光的纳米材料及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于长余辉发光材料
，具体涉及一种在近红外长余辉发光的纳米材料及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]长余辉材料是一类在使用激发光源照射一段时间，去除激发光源后仍能够发光一段时间的发光材料。长余辉由于其激发和发射两个过程分离这一特点，在灭菌、信息存储、能量存储、防伪、成像等领域得到了广泛的应用。近年来由于长余辉纳米材料在生物应用中，能够避免生物组织的自发荧光以及辐射损伤，从而能够获得高信噪比的生物成像；而近红外二区(NIR-II,1000-1700nm)由于在与红外一区(NIR-I,650-900nm)吸收系数相当的情况下，散射系数较小，因此有利于实现高空间分辨率的生物成像，还有利于实现脑部这种特殊组织的成像，从而使得近红外二区发光的长余辉纳米材料广泛地引起了研究人员的兴趣。
[0003]目前，由于近红外光不能为人眼所观察且光学测试仪器红外二区的探测还不够灵敏，使得对近红外二区长余辉块状材料的研究报道还比较少，而实现已报道的近红外二区长余辉材料的纳米化难本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种近红外长余辉发光材料，表达式为A3Al
x
Ga
y
O
12
:aM
3+
,bLn
3+
,cCe
3+
；其中，M
3+
、Ln
3+
、Ce
3+
为发光中心，A为Y、La、Lu、Ho或Gd中的至少一种；M为Cr、V或Yb中的至少一种；Ln为稀土元素Er、Nd、Ho、Tm、Pr或Sm中的至少一种；0≤x≤5，0≤y≤5，且x+y＝5；0mol％≤a≤5mol％；0.01mol％≤b≤20mol％；0.01mol％≤c≤10mol％。2.根据权利要求1所述的近红外长余辉发光材料，其特征在于，1≤x≤2，3≤y≤4；优选地，0.01mol％≤a≤4.5mol％，又如，0.05mol％≤a≤4mol％；优选地，0.01mol％≤b≤10mol％，又如，3mol％≤b≤7mol％；优选地，0.01mol％≤c≤6mol％，又如，0.5mol％≤c≤4mol％。3.根据权利要求1或2所述的近红外长余辉发光材料，其特征在于，所述长余辉材料为：Y3Al
1.25
Ga
3.75
O
12
:0.1mol％Cr
3+
,5mol％Nd
3+
,1mol％Ce
3+
、Y3Al
1.5
Ga
3.5
O
12
:0.1mol％Cr
3+
,5mol％Nd
3+
,1mol％Ce
3+
、Y3Al2Ga3O
12
:0.1mol％Cr
3+
,5mol％Nd
3+
,1mol％Ce
3+
、Y3Al
1.25
Ga
3.75
O
12
:0.5mol％Cr
3+
,5mol％Nd
3+
,1mol％Ce
3+
、Y3Al
1.25
Ga
3.75
O
12
:0.1mol％Cr
3+
,5mol％Er
3+
,1mol％Ce
3+
、Y3Al
1.25
Ga
3.75
O
12
:0.1mol％Yb
3+
,5mol％Nd
3+
,1mol％Ce
3+
、Y3Al
1.25
Ga
3.75
O
12
:0.1mol％V
3+
,5mol％Nd
3+
,1mol％Ce
3+
Y3Al
1.25
Ga
3.75
O
12
:0.1mol％Cr
3+
,5mol％Ho
3+
,1mol％Ce
3+
、Y3Al
1.25
Ga
3.75
O
12
:0.1mol％Cr
3+
,5mol％Pr
3+
,1mol％Ce
3+
、Y3Al
1.25
Ga
3.75
O
12
:0.1mol％Cr
3+
,5mol％Tm
3+
,1mol％Ce
3+
、La3Al
1.25
Ga
3.75
O
12
:0.1mol％Cr
3+
,5mol％Nd
3+
,1mol％Ce
3+
Gd3Al
1.25
Ga
3.75
O
12
:0.1mol％Cr
3+
,5mol％Nd
3+
,1mol％Ce
3+
Y3Al3Ga2O
12
:0.1mol％Cr
3+
,7mol％Nd
3+
,2mol％Ce
3+
、Y3Al
2.5
Ga
2.5
O
12
:0.2mol％Cr
3+
,5mol％Nd
3+
,1mol％Ce
3+
、Y3Al
2.5
Ga
2.5
O
12
:0.2mol％Cr
3+
,5mol％Nd
3+
,1mol％Ce
3+
、Y3Al
1.25
Ga
3.75
O
12
:0.2mol％Yb
...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱浩淼，吴录艳，林雅玲，
申请(专利权)人：厦门稀土材料研究所，
类型：发明
国别省市：