一种核壳结构的BCN包覆陶瓷粉体、陶瓷静电卡盘及其制备方法技术

技术编号:46269200 阅读:6 留言:0更新日期:2025-09-02 21:04
本发明专利技术公开了一种核壳结构的BCN包覆陶瓷粉体、陶瓷静电卡盘及其制备方法,该核壳结构的BCN包覆陶瓷粉体在陶瓷粉体上包覆有由硼酸、葡萄糖和尿素在惰性气氛下烧结获得的BCN包覆层。本发明专利技术在陶瓷粉体表面包覆BCN包覆层,BCN包覆层具有良好的电子导电性,可作为调节陶瓷静电卡盘体积电阻率的调阻剂,通过调控BCN包覆层厚度,可以实现在宽范围105~1015Ω·cm内对Al2O3和AlN陶瓷静电卡盘的体积电阻率进行调控,以满足不同静电卡盘的应用需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于静电卡盘,具体涉及一种核壳结构的bcn包覆陶瓷粉体、陶瓷静电卡盘及其制备方法。


技术介绍

1、静电卡盘是一种广泛应用于半导体制造、光刻、电子束曝光等高精度工艺中的关键设备,其核心功能是通过静电吸附原理,将晶圆或其他薄片材料牢固地固定在卡盘表面,以确保加工过程中的稳定性和精度。陶瓷材料因其优异的绝缘性能、高硬度、低热膨胀系数以及化学稳定性,成为静电卡盘的理想材料。常见的陶瓷材料包括氧化铝(al2o3)、氮化铝(aln)和碳化硅(sic),这些材料在高温、高真空等极端环境下表现出良好的性能。其中,应用最广泛的陶瓷静电卡盘材料是al2o3和aln。

2、目前,al2o3和aln陶瓷静电卡盘的电阻率调控面临材料本征特性与工艺需求的深度矛盾。对于al2o3陶瓷静电卡盘,其高电阻率(>1015ω·cm)虽可确保静电吸附力的长期稳定性,但在高功率射频等离子体环境中,过高的电阻率会阻碍电荷快速释放,导致晶圆脱附延迟,难以满足原子层沉积工艺的毫秒级时序控制要求。为此,行业常采用掺杂tio2或cr2o3等过渡金属氧化物作为调阻剂进行电阻率调节,本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种核壳结构的BCN包覆陶瓷粉体,其特征在于,在陶瓷粉体上包覆有由硼酸、葡萄糖和尿素在惰性气氛下烧结获得的BCN包覆层。

2.根据权利要求1所述的核壳结构的BCN包覆陶瓷粉体,其特征在于,所述陶瓷粉体选自Al2O3或AlN陶瓷粉体;

3.根据权利要求2所述的核壳结构的BCN包覆陶瓷粉体,其特征在于,所述烧结,先抽真空,然后通惰性气体至0.1MPa,然后以升温速率为5℃/min升至1200℃,保温6小时,最后冷却。

4.如权利要求1~3中任意一项所述的核壳结构的BCN包覆陶瓷粉体的制备方法,其特征在于,该方法包含以下步骤:

5.根据权利要...

【技术特征摘要】

1.一种核壳结构的bcn包覆陶瓷粉体,其特征在于,在陶瓷粉体上包覆有由硼酸、葡萄糖和尿素在惰性气氛下烧结获得的bcn包覆层。

2.根据权利要求1所述的核壳结构的bcn包覆陶瓷粉体,其特征在于,所述陶瓷粉体选自al2o3或aln陶瓷粉体;

3.根据权利要求2所述的核壳结构的bcn包覆陶瓷粉体,其特征在于,所述烧结,先抽真空,然后通惰性气体至0.1mpa,然后以升温速率为5℃/min升至1200℃,保温6小时,最后冷却。

4.如权利要求1~3中任意一项所述的核壳结构的bcn包覆陶瓷粉体的制备方法,其特征在于,该方法包含以下步骤:

5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄民忠杨帆邱金昌罗仁峰
申请(专利权)人:厦门稀土材料研究所
类型:发明
国别省市:

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