一种作为OLED掺杂材料的含硼有机化合物及其应用制造技术

本发明专利技术公开了一种作为OLED掺杂材料的含硼有机化合物，属于半导体技术领域。所述含硼有机化合物的结构如通式(1)所示，具有窄半峰宽、高荧光量子产率，具有高的玻璃化转变温度和分子热稳定性，以及具有合适的HOMO和LUMO能级，可用作有机电致发光器件的发光层掺杂材料，从而提升器件的发光色纯度和寿命。从而提升器件的发光色纯度和寿命。从而提升器件的发光色纯度和寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种作为OLED掺杂材料的含硼有机化合物及其应用


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及作为OLED掺杂材料的含硼有机化合物及其应用。

技术介绍

[0002]传统荧光掺杂材料受限于早期的技术，只能利用电激发形成的25％单线态激子发光，器件的内量子效率较低(最高为25％)，外量子效率普遍低于5％，与磷光器件的效率还有很大差距。磷光材料由于重原子中心强的自旋-轨道耦合增强了系间窜越，可以有效利用电激发形成的单线态激子和三线态激子发光，使器件的内量子效率达100％。但多数磷光材料价格昂贵，材料稳定性较差，色纯度较差，器件效率滚落严重等问题限制了其在OLED的应用。
[0003]随着5G时代的到来，对显色标准提出了更高的要求，发光材料除了高效、稳定，也需要更窄的半峰宽以提升器件发光色纯度。荧光掺杂材料可通过分子工程，实现高荧光量子、窄半峰宽，蓝色荧光掺杂材料已获得阶段性突破，硼类材料半峰宽可降低至30nm以下；而人眼更为敏感的绿光区域，研究主要集中在磷光掺杂材料，但其发光峰形难以通过简单方法缩窄，因此为满足更高的显色标准，研究窄半峰本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种作为OLED掺杂材料的含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物的结构如通式(1)所示：通式(1)中，X0表示为C原子或N原子；当X0表示为C原子时，X表示为C(R)；当X0表示为N原子时，X表示为C(R1)2、Si(R2)2或N(R3)；X1＝X2表示为O原子、S原子或N(R4)；R4可以与相邻取代基连接成环；Y1＝Y2表示为B原子；Z表示为C(R5)，R5每次出现相同或不同，相邻的两个R5还可连接成环；R、R5表示为氢、取代或未取代的C1～C
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烷基、取代或未取代的环原子数为6～30的芳基、取代或未取代的环原子数为5～30的杂芳基、二芳基胺基中的任意一种；R1、R2分别独立地表示为取代或未取代的C1～C
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烷基、取代或未取代的环原子数为6～30的芳基、取代或未取代的环原子数为5～30的杂芳基中的任意一种；R3、R4分别独立地表示为取代或未取代的环原子数为6～30的芳基、取代或未取代的环原子数为5～30的杂芳基中的任意一种；取代基团的取代基任选自氘、氚、氰基、卤素、C1～C
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烷基、氘或氚取代的C1～C
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烷基、C3～C
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环烷基中的任意一种；所述杂芳基中的杂原子任选自氧、硫、氮原子中的一种或多种。2.根据权利要求1所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物结构如通式(II-1)～通式(II-12)中任一种所示：
其中Z、R
1-R4的限定与通式(1)中相同。3.根据权利要求1所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述取代或未取代的C1～C
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烷基为甲基、氘代甲基、氚代甲基、乙基、氘代乙基、氚代乙基、异丙基、氘代异丙基、氚代异丙基、叔丁基、氘代叔丁基、氚代叔丁基、氘代环戊基、氚代环戊基、环戊基、环己基、甲基取代的环己基、己基、戊基、丁基、三氟甲基取代的叔丁基、三氟甲基取代的异丙基、甲基取代的环丁基或金刚烷基；所述环原子数为5～30的杂芳基为吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基或N-苯基咔唑基；所述二芳基胺基为二苯基胺基、二联苯基胺基或二苯并呋喃基胺基；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：庞羽佳，曹旭东，张兆超，崔明，
申请(专利权)人：江苏三月科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：