背板制造技术

技术编号:32851703 阅读:30 留言:0更新日期:2022-03-30 19:08
本发明专利技术提供一种背板。所述背板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的阵列分布的像素结构;所述像素结构包括电源线、行列交错的栅线和数据线,位于所述衬底基板上的所述背板的阳极、与所述阳极电连接的驱动晶体管,以及,与所述驱动晶体管电连接的开关晶体管;所述驱动晶体管的有源层图形中的沟道的宽度方向为所述行方向,所述沟道在所述行方向上,由位于所述像素结构一侧的数据线向位于所述像素结构另一侧的所述电源线延伸。本发明专利技术提供的像素结构可以降低像素结构的面积提高TFT(薄膜晶体管)的宽长比,以提升驱动晶体管的驱动能力并提高背板的分辨率。并提高背板的分辨率。并提高背板的分辨率。

【技术实现步骤摘要】
背板


[0001]本专利技术涉及显示
或3D打印
,尤其涉及一种背板。

技术介绍

[0002]在现有技术中,在制作背板时,当背板中的像素结构占用的像素区域的尺寸较小时,无法合理布局像素结构中的驱动晶体管和开关晶体管,导致无法提升驱动晶体管的宽长比,无法提升驱动晶体管的驱动能力。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的在于提供一种背板,解决现有技术中在制作背板时,当背板中的像素结构占用的像素区域的尺寸较小时,无法提升驱动晶体管的宽长比的问题。
[0004]为了达到上述目的,本专利技术提供了一种背板,所述背板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的阵列分布的像素结构;
[0005]所述像素结构包括电源线、行列交错的栅线和数据线,位于所述衬底基板上的所述背板的阳极、与所述阳极电连接的驱动晶体管,以及,与所述驱动晶体管电连接的开关晶体管;
[0006]所述栅线沿阵列的行方向延伸,且位于像素结构的靠近下一行像素结构的一侧;所述数据线沿所述阵列的列方向延伸,所述电源线包括沿列方向延伸的电源线;所述数本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种背板,其特征在于,包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的阵列分布的像素结构;所述像素结构包括电源线、行列交错的栅线和数据线,位于所述衬底基板上的所述背板的阳极、与所述阳极电连接的驱动晶体管,以及,与所述驱动晶体管电连接的开关晶体管;所述栅线沿阵列的行方向延伸,且位于像素结构的靠近下一行像素结构的一侧;所述数据线沿所述阵列的列方向延伸,所述电源线包括沿列方向延伸的电源线;所述数据线和所述沿列方向延伸的电源线位于所述像素结构的相对的两侧;在所述像素结构所在的像素区域中,所述驱动晶体管和所述开关晶体管沿列方向依次设置;所述驱动晶体管的栅极在行方向上由所述数据线向所述电源线方向延伸,所述驱动晶体管的栅极在列方向上由上一行像素结构的栅线向所述开关晶体管的方向延伸;所述驱动晶体管的有源层图形中的沟道的宽度方向为所述行方向,所述沟道在所述行方向上,由位于所述像素结构一侧的数据线向位于所述像素结构另一侧的所述电源线延伸;所述驱动晶体管的源极和所述驱动晶体管的漏极分别沿行方向延伸,且所述驱动晶体管的源极和所述驱动晶体管的漏极沿列方向依次排列;所述驱动晶体管的栅极与所述开关晶体管的漏极相连,所述驱动晶体管的源极与所述电源线电连接,所述驱动晶体管的漏极与所述阳极电连接;所述开关晶体管的源极与所述数据线电连接,所述开关晶体管的栅极与所述栅线电连接。2.如权利要求1所述的背板,其特征在于,所述栅线具有第一突出部,所述数据线具有第二突出部;所述开关晶体管的有源层图形的沟道的宽度方向与所述驱动晶体管的沟道的宽度方向相垂直,所述开关晶体管的栅极为所述第一突出部,所述开关晶体管的源极为所述第二突出部;所述开关晶体管的漏极与延伸部为一体式结构,所述延伸部向所述电源线方向延伸,并所述延伸部在所述衬底基板的正投影与所述驱动晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影之间部分重叠,所述开关晶体管的漏极通过过孔与所述驱动晶体管的栅极电连接。3.权利要求1所述的背板,其特征在于,同一行像素结构中相邻两列像素结构镜像设置。4.权利要求3所述的背板,其特征在于,同一行像素结构中相邻两列像素结构镜像设置于所述电源线的两侧;镜像设置于所述电源线的两侧的两个像素结构共用一条所述电源线,所述电源线位于镜像设置的两个驱动晶体管之间;所述镜像设置于所述电源线的两侧的两个像素结构中的数据线,位于所述像素结构的远离所述电源线的一侧。5.权利要求4所述的背板,其特征在于,所述镜像设置的两个像素结构中的两个驱动晶体管的源极相连且为一体结构。6.权利要求2所述的背板,其特征在于,所述驱动晶体管的栅极在列方向的长度大于所
述驱动晶体管的有源层图形在列方向的长度,使得所述驱动晶体管的栅极相对于有源层向开关晶体管的方向延伸,所述驱动晶体管的栅极的延伸部分与所述驱动晶体管的有源层图形在衬底基板上的投影无覆盖区域;所述驱动晶体管的漏极通过电容电极层与所述阳极电连接;所述电容电极层与所述栅极的延伸部分在衬底基板上有重叠区域,所述电容电极层至少与所述栅极的延伸部分构成电容。7.如权利要求6所述的背板,其特征在于,所述电容电极层位于所述驱动晶体管的漏极与所述阳极之间,所述电容电极层与所述驱动晶体管的漏极之间设有第一绝缘层,所述电容电极层与所述阳极之间设有第二绝缘层;...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭怡彤周健孙拓陈江博李延钊许晓春
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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