晶圆的位置校正方法、装置及存储介质制造方法及图纸

本申请提供一种晶圆的位置校正方法、装置及存储介质。该方法包括：获取已刻蚀的第一晶圆上预设点的刻蚀参数，刻蚀参数包括位置信息和刻蚀速率，根据预设点的刻蚀参数，确定出第一晶圆的刻蚀速率分布图的中心点的位置信息，根据第一晶圆的刻蚀速率分布图的中心点的位置信息，对待刻蚀的第二晶圆的位置进行校正，使得第二晶圆的圆心与第一晶圆的刻蚀速率分布图的中心点重合。从而，可实现对晶圆的位置自动进行校正，避免人工校正方式易发生人为失误及占用机台的工作时间较长的问题，提高了校正的准确率和效率。正的准确率和效率。正的准确率和效率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆的位置校正方法、装置及存储介质


[0001]本申请涉及半导体芯片
，尤其涉及一种晶圆的位置校正方法、装置及存储介质。

技术介绍

[0002]半导体芯片在制造过程中需经历晶圆制作、晶圆涂膜、晶圆光刻显影和刻蚀、离子注入和晶圆测试等多道工序，其中刻蚀是比较重要的一道工序。刻蚀主要用到等离子体刻蚀机(简称机台)，在对晶圆刻蚀时通过机台中的机械手臂将晶圆传送到机台的反应腔室，刻蚀完成后再由机械手臂将晶圆传送出去。在对机台进行正常的故障排除或进行预防性维护(Prevention Maitenance，PM)后，一方面机台中的射频组件(RF抽屉)会被抽出，导致已传送到反应腔室的晶圆(wafer)中心点偏移，另一方面机台的上电极位置相比较PM之前也存在偏差。这两方面的因素会导致已刻蚀的晶圆的刻蚀速率(Etch Rate，ER)分布图的中心点也发生偏移，从而会导致刻蚀后的晶圆的统一性变差以及产品的成品率损失。此时需要对晶圆的中心点的位置进行校正，以保证刻蚀的效果。
[0003]现有的一种校正方式是：先对晶圆进行翻片，通过机械手臂将翻片后的晶圆放置在静电卡盘上，通过人工手动更改机械手臂的位置来调整晶圆的中心点的位置与静电卡盘的中心点的位置重合，来实现校正。
[0004]上述方式中，易发生人为失误，且占用机台的工作时间较长。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种晶圆的位置校正方法、装置及存储介质，以实现对晶圆的位置进行自动校正，避免人为失误。
[0006]第一方面，本申请提供一种晶圆的位置校正方法，包括：
[0007]获取已刻蚀的第一晶圆上预设点的刻蚀参数，所述刻蚀参数包括位置信息和刻蚀速率，根据所述预设点的刻蚀参数，确定出所述第一晶圆的刻蚀速率分布图的中心点的位置信息，根据所述第一晶圆的刻蚀速率分布图的中心点的位置信息，对待刻蚀的第二晶圆的位置进行校正，使得所述第二晶圆的圆心与所述第一晶圆的刻蚀速率分布图的中心点重合。
[0008]通过第一方面提供的晶圆的位置校正方法，通过获取已刻蚀的第一晶圆上预设点的位置信息和刻蚀速率，根据预设点的位置信息和刻蚀速率确定出第一晶圆的刻蚀速率分布图的中心点的位置信息，然后第一晶圆的刻蚀速率分布图的中心点的位置信息，对待刻蚀的第二晶圆的位置进行校正，使得第二晶圆的圆心与第一晶圆的刻蚀速率分布图的中心点重合。利用晶圆的刻蚀速率分布图中位于同一圆圈上的点的刻蚀速率是相近或相同的原理，根据预设点的刻蚀速率确定出第一晶圆的刻蚀速率分布图的中心点，然后根据第一晶圆的刻蚀速率分布图的中心点的位置信息对后续待刻蚀的晶圆的位置进行校正，从而可实现对晶圆的位置自动进行校正，避免人工校正方式易发生人为失误及占用机台的工作时间
较长的问题，提高了校正的准确率和效率。
[0009]可选的，所述预设点包括至少两个圆圈中每个圆圈上的第一数量个点，其中，每个圆圈的圆心为所述第一晶圆的圆心，每个圆圈的半径不同且小于或等于所述第一晶圆的半径，每个圆圈上的第一数量个点均匀分布。
[0010]可选的，所述至少两个圆圈中每个圆圈的半径与所述第一晶圆的半径的差值小于或等于第一阈值。
[0011]上述申请中的一个实施例具有如下优点或者有益效果：由于至少两个圆圈中每个圆圈的半径与第一晶圆的半径的差值小于或等于第一阈值，至少两个圆圈为晶圆的刻蚀速率分布图中处于边缘位置的圆圈，根据该至少两个圆圈中每个圆圈上的第一数量个点的刻蚀参数，确定出第一晶圆的刻蚀速率分布图的中心点的位置信息，因此可以提高所确定的刻蚀速率分布图的中心点的准确性。
[0012]可选的，所述位置信息为二维坐标，或者，所述位置信息为预设点所在圆圈的半径和偏移晶圆缺口点的角度。
[0013]可选的，所述根据所述预设点的刻蚀参数，确定出所述第一晶圆的刻蚀速率分布图的中心点的位置信息，包括：
[0014]根据所述预设点的刻蚀参数，确定出刻蚀速率的差值在第一预设范围内的第二数量组中心定位点组，每组中心定位点组包括三个预设点，一组中心定位点组对应于一定位三角形，所述第二数量为正整数；
[0015]根据每组中心定位点组包括的三个预设点的位置信息，确定每个参考中心点的位置信息，得到第二数量个参考中心点的位置信息，其中，每个参考中心点为每组的中心定位点组对应的定位三角形的外心；
[0016]根据所述第二数量个参考中心点的位置信息，确定所述第一晶圆的刻蚀速率分布图的中心点的位置信息。
[0017]上述申请中的一个实施例具有如下优点或者有益效果：通过根据预设点的刻蚀参数，确定出刻蚀速率的差值在第一预设范围内的第二数量组中心定位点组，每组中心定位点组包括三个预设点，一组中心定位点组对应于一定位三角形，接着根据每组中心定位点组包括的三个预设点的位置信息，确定每组的中心定位点组对应的定位三角形的外心的位置信息，即为每个参考中心点的位置信息，最后根据第二数量个参考中心点的位置信息，确定第一晶圆的刻蚀速率分布图的中心点的位置信息，根据刻蚀速率和三角形的外心的确定方式确定出多个参考中心点的位置信息，然后根据多个参考中心点的位置信息最终确定出第一晶圆的刻蚀速率分布图的中心点的位置信息，可以保证所确定的第一晶圆的刻蚀速率分布图的中心点的位置信息的准确性。为实现对晶圆的位置自动进行校正提供准确的校正依据，保证校正的准确性。
[0018]可选的，根据所述第二数量个参考中心点的位置信息，确定所述第一晶圆的刻蚀速率分布图的中心点的位置信息，包括：
[0019]根据所述第二数量个参考中心点的位置信息和所述第一晶圆的圆心的位置信息，确定出所述第二数量个参考中心点中每个参考中心点与所述第一晶圆的圆心的偏移量，得到第二数量个偏移量；
[0020]将所述第二数量个偏移量的平均值对应的点的位置信息确定为所述第一晶圆的
刻蚀速率分布图的中心点的位置信息。
[0021]可选的，所述方法还包括：
[0022]确定所述第二数量个偏移量的平均值在第二预设范围内；
[0023]若所述第二数量个偏移量的平均值不在第二预设范围内，发送警告信息。
[0024]上述申请中的一个实施例具有如下优点或者有益效果：确定第二数量个偏移量的平均值在第二预设范围内，即就是要确保偏移量在合理的范围内，偏移量不在合理的范围内，通过发送警告信息，可以由人工检查或根据实际情况调整。
[0025]可选的，所述根据所述第二数量个参考中心点的位置信息，确定所述第一晶圆的刻蚀速率分布图的中心点的位置信息，包括：
[0026]根据所述第二数量个参考中心点的位置信息，确定出所述第二数量个参考中心点中所在圆圈的半径在第三预设范围内且偏移晶圆缺口点的角度在第四预设范围内的第三数量个参考中心点；
[0027]根据所述第三数量个参考中心点的位置信息，确定所述第一晶圆的刻蚀速率分布图的中心点的位置信息。
[0028]上述申请中的一个实施例具有如下优点或者有益效果：根据偏移合理的第三数量个参考中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的位置校正方法，其特征在于，包括：获取已刻蚀的第一晶圆上预设点的刻蚀参数，所述刻蚀参数包括位置信息和刻蚀速率；根据所述预设点的刻蚀参数，确定出所述第一晶圆的刻蚀速率分布图的中心点的位置信息；根据所述第一晶圆的刻蚀速率分布图的中心点的位置信息，对待刻蚀的第二晶圆的位置进行校正，使得所述第二晶圆的圆心与所述第一晶圆的刻蚀速率分布图的中心点重合。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设点包括至少两个圆圈中每个圆圈上的第一数量个点，其中，每个圆圈的圆心为所述第一晶圆的圆心，每个圆圈的半径不同且小于或等于所述第一晶圆的半径，每个圆圈上的第一数量个点均匀分布。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述至少两个圆圈中每个圆圈的半径与所述第一晶圆的半径的差值小于或等于第一阈值。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述位置信息为二维坐标，或者，所述位置信息为预设点所在圆圈的半径和偏移晶圆缺口点的角度。5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述根据所述预设点的刻蚀参数，确定出所述第一晶圆的刻蚀速率分布图的中心点的位置信息，包括：根据所述预设点的刻蚀参数，确定出刻蚀速率的差值在第一预设范围内的第二数量组中心定位点组，每组中心定位点组包括三个预设点，一组中心定位点组对应于一定位三角形，所述第二数量为正整数；根据每组中心定位点组包括的三个预设点的位置信息，确定每个参考中心点的位置信息，得到第二数量个参考中心点的位置信息，其中，每个参考中心点为每组的中心定位点组对应的定位三角形的外心；根据所述第二数量个参考中心点的位置信息，确定所述第一晶圆的刻蚀速率分布图的中心点的位置信息。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，根据所述第二数量个参考中心点的位置信息，确定所述第一晶圆的刻蚀速率分布图的中心点的位置信息，包括：根据所述第二数量个参考中心点的位置信息和所述第一晶圆的圆心的位置信息，确定出所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭芷玲，陈昊宇，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：