双面研磨装置和双面研磨方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种双面研磨装置，包括：相对设置的两个静压支撑件，两个静压支撑件分别位于硅片的两侧，通过流体静压，非接触支撑硅片；相对设置的两个磨轮，用于对硅片的相对的两面进行研磨；两个静压支撑件中包括第一静压支撑件，第一静压支撑件包括静压垫，静压垫包括用于吸附研磨后的硅片的第一区域，第一区域上均匀设置有多个微孔；双面研磨装置还包括：第一控制单元，用于控制研磨后的硅片以预设速度向靠近静压垫的方向移动至第一位置，在第一位置处，硅片与静压垫之间的距离位于预设阈值内；第二控制单元，用于在硅片位于第一位置时，控制多个微孔喷射雾状液体，以利用液体表面张力非接触吸附硅片。本发明专利技术还涉及一种双面研磨方法。法。法。

【技术实现步骤摘要】
双面研磨装置和双面研磨方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种双面研磨装置和双面研磨方法。

技术介绍

[0002]硅片的加工技术发展快速，双面研磨技术日渐发展，随着硅片直径越来越大与集成电路特征尺寸越来越小，对晶圆表面平坦度及表面的洁净程度，损伤度提出了更高的要求。
[0003]双盘研磨DDSG (Double Disk Surface Grinding)，现有的研磨方法如下：晶圆垂直放置于环形载体上，通过流体静压力平衡并与载体一起以低速旋转，同时有两个彼此相对的磨轮高速旋转以对晶圆的两表面同时进行研磨，研磨过程中两个磨轮沿轴向进给，直至达到晶圆的最终目标厚度。晶圆在研磨加工完成后，晶圆一侧会被真空吸附到静压垫上，待机械手臂从另一侧吸附晶圆后，静压垫解除吸附。但是晶圆的吸附面存在凹坑状缺陷，主要原因如下：1.加工过程中会有硅渣溅射到静压垫上；2.晶圆背面（即晶圆吸附面）一般较脏，因和静压垫接触，会污染静压垫，但是静压垫无自清洁功能。3.目前的静压垫上有6个气孔，在双面研磨加工完后，停止静压垫的水供给的同时，静压垫上的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双面研磨装置，用于对硅片的相对的两面进行研磨，包括：相对设置的两个静压支撑件，两个静压支撑件分别位于硅片的两侧，通过流体静压，非接触支撑硅片；相对设置的两个磨轮，用于对硅片的相对的两面进行研磨；其特征在于，两个所述静压支撑件中包括第一静压支撑件，所述第一静压支撑件包括静压垫，所述静压垫包括用于吸附研磨后的硅片的第一区域，所述第一区域上均匀设置有多个微孔；所述双面研磨装置还包括：第一控制单元，用于控制研磨后的硅片以预设速度向靠近所述静压垫的方向移动至第一位置，在所述第一位置处，所述硅片与所述静压垫之间的距离位于预设阈值内；第二控制单元，用于在硅片位于所述第一位置时，控制多个所述微孔喷射雾状液体，以利用液体表面张力非接触吸附硅片。2.根据权利要求1所述的双面研磨装置，其特征在于，所述预设阈值为0.1
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0.2mm。3.根据权利要求1所述的双面研磨装置，其特征在于，所述微孔的直径为0.8
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1.2mm。4.根据权利要求1所述的双面研磨装置，其特征在于，所述第一区域的远离所述磨轮的外边缘沿其周向间隔设置有多个第一凸起区域，所述第一区域的靠近所述磨轮的内边缘与所述第一凸起区域之间设置有第二凸起区域，所述第二凸起区域与所述第一凸起区域之间间隔设置，所述第一凸起区域和所述第二凸起区域内均匀设置有多个所述微孔。5.根据权利要求4所述的双面研磨装置，其特征在于，每个所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙介楠，贺云鹏，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：