双栅结构的半导体场效应晶体管及其制造方法技术

一种双栅结构的半导体场效应晶体管及其制造方法，包括第一栅极和第二栅极，分别使得第一栅极和第二栅极作为场效应管结构的底栅和顶栅，并将底栅和顶栅分别设置为MOSFET结构和MESFET结构，由于结合了MOSFET结构和MESFET结构的优势，使得该双栅器件的工作电压范围扩大，增加了栅极对沟道的控制能力，使器件的载流子迁移率、SS等参数得以优化，并使器件的稳定性有所提升。此外，由于MESFET(JFET)器件对栅极偏置的变化更加敏感，使得本申请中的双栅半导体场效应晶体管利用这种特点使得可以应用到传感领域中，增大了应用范围。增大了应用范围。增大了应用范围。

【技术实现步骤摘要】
双栅结构的半导体场效应晶体管及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，具体涉及一种双栅结构的半导体场效应晶体管及其制造方法。

技术介绍

[0002]当今半导体制造业在摩尔定律的指导下迅速发展，不断地提高集成电路的性能和集成密度，同时，尽可能的减小集成电路的功耗。因此，制备高性能、低功耗的超短沟器件将成为未来半导体制造业的焦点。传统的单栅器件的载流子迁移率、亚阈值摆幅(SS)、稳定性等一般较差，不能适应半导体制造的发展。
[0003]为了克服上述一系列问题，现有技术中提出了多种栅结构场效应管，目的是使得加强对于沟道的控制能力，减小泄露电流，并且抑制短沟道效应。
[0004]但是，目前各种场效应管器件中，例如，MOSFET器件结构，由于其开关电压较大(一般大于1.5V)，因此只能应用于高压电路中；而对于MESFET(JFET)器件结构，一般只能应用于低压电路中。所以，目前的半导体场效应管器件受限于工作电压，使得在电路中的应用十分有限。

技术实现思路

[0005]本专利技术主要解决的技术问题是提供一种工作本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双栅结构的半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：基板；第一栅极，所述第一栅极位于所述基板的部分表面上；底栅绝缘层，所述底栅绝缘层覆盖在所述第一栅极上，并与其余部分的玻璃基板表面接触；有源层，位于所述底栅绝缘层上方；第二栅极，位于所述有源层的上方；源极层和漏极层，位于所述第二栅极两侧，且与所述有源层为欧姆接触。2.如权利要求1所述的半导体场效应晶体管，其特征在于，所述第一栅极为欧姆接触金属，所述第二栅极为高功函数金属。3.如权利要求1所述的半导体场效应晶体管，其特征在于，所述底栅绝缘层为氧化铝、氮化硅或氧化硅。4.如权利要求1所述的半导体场效应晶体管，其特征在于，所述有源层为单有源层或双有源层；当所述有源层为单有源层时，所述有源层为a
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Si、a
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IGZO、a
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IZO、a
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ZTO、a
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ITZO、LTPS、有机材料或碳纳米管；当所述有源层为双有源层时，所述双有源层为a
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IGZO和a
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IZO的复合层。5.一种双栅结构的半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：基板；绝缘粘附层，位于所述基板的部分表面上；第一栅极，所述第一栅极覆盖在所述绝缘粘附层上；有源层，覆盖所述第一栅极；顶栅绝缘层，位于部分所述有源层上；第二栅极，位于所述有源层的上方；源极层和漏极层，位于所述第二栅极两侧，且与所述有源层为欧姆接触。6.如权利要求5所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘发扬，陆磊，张盛东，王云萍，周晓梁，
申请(专利权)人：北京大学深圳研究生院，
类型：发明
国别省市：