【技术实现步骤摘要】
半导体封装件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]该专利申请要求于2020年9月9日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2020
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0115500的优先权,该申请的全部内容以引用方式全文并入本文中。
[0003]本公开涉及一种半导体封装件,具体地,涉及一种包括再分布衬底的半导体封装件及其制造方法。
技术介绍
[0004]半导体封装件是一种半导体芯片被配置为用作电子产品的一部分的结构。通常,半导体封装件包括印刷电路板(PCB)和安装在PCB上的半导体芯片,并且半导体封装件通过接合线或接合凸块电连接至PCB。根据电子工业的发展,进行了许多研究以提高半导体封装件的可靠性。
技术实现思路
[0005]本专利技术构思的示例实施例提供了一种具有提高的可靠性和耐久性的半导体封装件及其制造方法。
[0006]根据本专利技术构思的示例实施例,一种半导体封装件可包括:再分布衬底,其具有彼此相对的第一表面和第二表面;半导体芯片,其位于再分布衬底的第一表 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件,包括:再分布衬底,其具有彼此相对的第一表面和第二表面;半导体芯片,其位于所述再分布衬底的第一表面上;以及焊料图案,其位于所述再分布衬底的第二表面上,其中,所述再分布衬底包括:底部突块图案,其耦接至所述焊料图案;第一再分布图案,其位于所述底部突块图案上,所述第一再分布图案包括第一穿通部分和第一导线部分;以及第一种子图案,其位于所述底部突块图案与所述第一再分布图案之间并且位于所述第一穿通部分的侧表面和所述第一导线部分的底表面上,其中,所述第一种子图案的底表面位于比所述底部突块图案的顶表面更低的水平处。2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一种子图案包括:上部,其位于所述第一穿通部分的侧表面和所述第一导线部分的底表面上;第一下部,其位于所述底部突块图案与所述第一穿通部分的中心区的底表面之间;以及第二下部,其位于所述底部突块图案中并且位于所述第一下部与所述上部之间,其中,所述第一种子图案在所述第一导线部分的底表面上具有第一厚度,所述第一种子图案的第二下部具有第二厚度,并且所述第二厚度小于所述第一厚度。3.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,所述第二厚度为所述第一厚度的30%至80%。4.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,所述第一厚度在至的范围内。5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述底部突块图案的厚度大于所述第一导线部分的厚度,并且所述底部突块图案的底表面直接接触所述焊料图案。6.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一穿通部分包括位于所述底部突块图案中的凸部分,并且所述凸部分的至少一部分直接接触所述底部突块图案。7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述底部突块图案的顶表面具有下凹形状。8.根据权利要求7所述的半导体封装件,其中,所述再分布衬底还包括绝缘层,并且所述绝缘层接触所述底部突块图案的顶表面。9.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一穿通部分的底表面位于比所述底部突块图案的顶表面更低的水平处,并且具有下凸形状。10.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述再分布衬底还包括绝缘层,所述绝缘层覆盖所述底部突块图案的侧表面和顶表面并暴露所述底部突块图案的底表面,并且所述底部突块图案的底表面位于比所述绝缘层的底表面更高的水平处。11.一种半导体封装件,包括:
再分布衬底;以及半导体芯片,其位于所述再分布衬底的第一表面上,其中,所述再分布衬底包括:第一再分布图案,其包括第一穿通部分和第一导线部分;第二再分布图案,其位于所述第一再分布图案上,所述第二再分布图案包括第二穿通部分和第二导线部分;以及种子图案,其位于所述第一再分布图案与所述第二再分布图案之间,其中,所述种子图案的底表面位于所述第一再分布图案中,其中,所述种子图案包括:上部,其位于所述第二穿通部分的侧表面和所述第二导线部分的底表面上;第一下部,其位于所述第一再分布图案与所述第二穿通部分的中心区的底表面之间;以及第二下部,其位于所述第一再分布图案中并且位于所述第一下部与所述上部之间,其中,所述种子图案的第二下部的厚度小于所述种子图案的在所述第二导线部分的底表面上的厚度。12.根据权利要求11所述的半导体封装件,其中,所述种子图案的第二下部的厚度为所述种子图案的在所述第二导线部分的底表面上的厚度的30%至80%。13.根据权利要求11所述的半导体封装件,还包括位于所述再分布衬底的第二表面上的焊料图案,其中,所述第二表面与所述第一表面相对,所述再分布衬底包括:底部突块图案,其耦接至所述焊料图案;以及下种子图案,其位于所述底部突块图案与所述第一再分布图案之间,以覆盖所述第一穿通部分的侧表...
【专利技术属性】
技术研发人员:秦正起,姜圭浩,宋乺智,姜芸炳,崔朱逸,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:
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