【技术实现步骤摘要】
半导体封装件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年9月9日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2020
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0115240的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。
[0003]本专利技术构思涉及半导体封装件及其制造方法。
技术介绍
[0004]提供半导体封装件来实现集成电路芯片，从而适于在电子产品中使用。半导体封装件通常被构造为使得半导体芯片安装在印刷电路板(PCB)上，并且键合线或凸块用于将半导体芯片电连接到印刷电路板。随着电子工业的发展，已经进行了许多研究来改善半导体封装件的可靠性和/或耐久性。
技术实现思路
[0005]本专利技术构思的一些示例实施例提供了具有提高的可靠性的半导体封装件。
[0006]本专利技术构思的一些示例实施例提供一种制造半导体封装件的方法，该方法能够提高产率。
[0007]本专利技术构思的目的不限于上述，并且根据以下描述，本领域技术人员将清楚地理解以上未提及的其他目的。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一再分布基板；和第一半导体器件，所述第一半导体器件位于所述第一再分布基板上，其中，所述第一再分布基板包括：第一电介质层，所述第一电介质层包括第一孔；下凸块，所述下凸块包括位于所述第一孔中的第一凸块部分和从所述第一凸块部分突出到所述第一电介质层上的第二凸块部分；外部连接端子，所述外部连接端子位于所述第一电介质层的底表面上，并且通过所述第一孔连接到所述下凸块；润湿层，所述润湿层位于所述外部连接端子与所述下凸块之间；和第一阻挡/晶种层，所述第一阻挡/晶种层位于所述下凸块与所述第一电介质层之间以及所述下凸块与所述润湿层之间。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一孔的内侧壁与所述第一电介质层的所述底表面成第一角度，其中，所述第一角度在45
°
至90
°
的范围内。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述外部连接端子包括：第一端子部分，所述第一端子部分位于所述第一孔中；和第二端子部分，所述第二端子部分从所述第一电介质层的所述底表面向外突出，其中，所述第一端子部分的侧壁与所述第二端子部分的顶表面成第一角度，其中，所述第一角度在45
°
至90
°
的范围内。4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述外部连接端子包括：第一端子部分，所述第一端子部分位于所述第一孔中；和第二端子部分，所述第二端子部分从所述第一电介质层的所述底表面向外突出，其中，所述第二端子部分的宽度大于所述第一端子部分的宽度。5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一凸块部分的侧壁与所述第二凸块部分的底表面成第一角度，其中，所述第一角度在90
°
至135
°
的范围内。6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二凸块部分的宽度大于所述第一凸块部分的宽度。7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述外部连接端子的侧壁、所述润湿层的侧壁和所述第一阻挡/晶种层的侧壁彼此对齐。8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一再分布基板还包括：第二电介质层，所述第二电介质层覆盖所述第一电介质层和所述下凸块的所述第二凸块部分；和第一再分布图案，所述第一再分布图案穿透所述第二电介质层并连接到所述下凸块，其中，所述第二凸块部分与所述第二电介质层直接接触。9.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，所述第一再分布图案包括穿透所述第二电介质层的通路部分和突出到所述第二电介质层上的线路部分，其中，所述通路部分的宽度小于所述第一凸块部分的宽度。
10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一再分布基板还包括：第二电介质层，所述第二电介质层覆盖所述第一电介质层和所述下凸块的所述第二凸块部分；和金属氧化物层，所述金属氧化物层位于所述第二凸块部分与所述第二电介质层之间；和空隙区域，所述空隙区域位于所述第二凸块部分与所述金属氧化物层之间。11.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一再分布基板；和第一半导体器件，所述第一半导体器件位于所述第一再分布基板上，其中，所述第一再分布基板包括：第一电介质层，所述第一电介质层包括第一孔；下凸块，所述下凸块包括位于所述第一孔中的第一凸块部分和从所述第一凸块部分突出到所述第一电介质层上的第二凸块部分；和外部连接端子，所述外部连接端子位于所述第一电介质层的底表面上，并通过所述第一孔连接到所述下凸块；其中，所述第一孔的内侧壁与所述第一电...
【专利技术属性】
技术研发人员：全光宰，朴正镐，李锡贤，尹礼重，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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