半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区；在所述第一区的所述衬底内形成第一沟槽；在形成所述第一沟槽的同时或之后，在所述第二区的所述衬底内形成若干相互分立的鳍部，相邻所述鳍部之间具有第二沟槽，且所述第二沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度。本发明专利技术实施例提供的半导体结构的形成方法，可以形成双重深度的浅沟槽隔离结构，并且在深度较深的第一沟槽和第二沟槽之间不会有鳍部残留，保证了浅沟槽隔离结构的隔离效果，防止发生漏电现象，有利于半导体结构的性能。性能。性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的飞速发展，半导体器件经历了从平面MOSFET晶体管向三维立体式的晶体管的发展转变，如鳍式场效应晶体管(FinFET)。在FinFET器件制造工艺中，通常采用浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation，STI)工艺对器件区域及晶体管进行隔离。
[0003]由于工作环境的不同，不同区域上器件之间的浅隔离沟槽的深度会有所不同。为了达到更好的隔离效果，对逻辑单元之间的STI深度要求较高，而各鳍片之间的STI深度要求较低。
[0004]然而，目前在不同区域形成不同深度的浅沟槽隔离容易产生空洞，进而对半导体结构的性能产生不利影响。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，可以形成双重深度的浅沟槽隔离结构，且不会产生空洞问题，提高了半导体结构的性能。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构的形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区；在所述第一区的所述衬底内形成第一沟槽；在形成所述第一沟槽的同时或之后，在所述第二区的所述衬底内形成若干相互分立的鳍部，相邻所述鳍部之间具有第二沟槽，且所述第二沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一沟槽和所述鳍部同时形成，形成所述第一沟槽和所述鳍部的步骤包括：在所述衬底表面形成第一掩膜结构，所述第一掩膜结构包括第一掩膜层以及若干相互分立的第一鳍部图形，所述第一鳍部图形位于所述第二区的所述第一掩膜层上，所述第一掩膜层内具有第一开口，所述第一开口暴露出部分所述第一区的衬底表面；以所述第一掩膜结构为掩膜，刻蚀所述第一区和第二区的衬底，直至形成所述第一沟槽和所述鳍部。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在以所述第一掩膜结构为掩膜，刻蚀所述第一区和第二区的衬底之前，还包括：刻蚀所述第一开口的侧壁，在所述第一区的第一掩膜层内形成第二开口，所述第二开口的宽度大于所述第一开口的宽度。4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜结构的步骤包括：在所述第一区和所述第二区上形成初始第一掩膜层；在所述初始第一掩膜层上形成若干分立排布的第一鳍部图形；在所述初始第一掩膜层和所述第一鳍部图形上形成第一图形化层，所述第一图形化层具有第三开口，所述第三开口暴露出所述第一区的所述第一鳍部图形表面以及部分第一区的初始第一掩膜层的表面；以所述第一图形化层为掩膜，刻蚀所述第一区的所述第一鳍部图形和所述初始第一掩膜层，直至暴露出所述第一区的衬底表面。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第一图形化层之前，还包括：在所述初始第一掩膜层和所述第一鳍部图形表面形成第一牺牲层，所述第一牺牲层的顶部表面高于所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑二虎，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：