【技术实现步骤摘要】
一种接触孔的刻蚀方法及DRAM的制造方法
[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种接触孔的刻蚀方法及DRAM的制造方法。
技术介绍
[0002]存储器是数字系统中用以存储大量信息的设备或部件，是计算机和数字设备中的重要组成部分。存储器可分为随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)两大类。RAM包括DRAM、PRAM、MRAM等，导电部件是制造这些RAM的关键部件之一。金属接触塞用于将导电部件与其他导体电连接。
[0003]在制造半导体时，接触塞广泛地用于连接导体与导体间的连接结构其中，利用接触孔来形成该接触塞。干刻蚀工具可以设置有EPD(End Point detector，被称为端点检测装置或端点检测)系统。EPD是在刻蚀期间，根据感应到的膜层材料的变化，停止刻蚀的装置。大部分的刻蚀工艺都是使用时间刻蚀与EPD刻蚀。但是现有的HARC(High Aspect Ratio Contact，高深宽比接触孔，又称为高纵横比接触孔)刻蚀配方没有EPD刻蚀步骤，只有时间刻蚀步骤，其中，HARC刻蚀是刻蚀高...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种接触孔的刻蚀方法，其特征在于，所述接触孔为高深宽比孔，所述刻蚀方法包括：提供半导体衬底，其中，所述半导体衬底中形成有导电部件；在所述半导体衬底上方由下至上顺序形成刻蚀停止层、待刻蚀层、第一掩模层和第二掩模层；对所述第二掩模层进行光刻工艺以形成第二掩模层图案；将所述第二掩模层图案转移到所述第一掩模层中以形成第一掩模层图案；以及以所述第一掩模层图案为掩模，刻蚀所述待刻蚀层和所述刻蚀停止层以形成接触孔并露出所述导电部件，其中，所述待刻蚀层的刻蚀中采用端点检测EPD。2.根据权利要求1所述的接触孔的刻蚀方法，其特征在于，所述高深宽比为大于10:1-100:1。3.根据权利要求1所述的接触孔的刻蚀方法，其特征在于，在所述第一掩模层和所述刻蚀停止层的刻蚀中也采用EPD，其中，所述EPD包括：在刻蚀所述第一掩模层、所述待刻蚀层或所述刻蚀停止层期间，通过所述EPD实时检测刻蚀材料的特定波长强度；以及根据所述刻蚀材料的特定波长强度的变化判断当前刻蚀材料的刻蚀点到端点的距离，其中，不同的刻蚀材料具有不同的特定波长强度。4.根据权利要求3所述的接触孔的刻蚀方法，其特征在于，根据所述刻蚀材料的特定波长强度的变化判断当前刻蚀材料的刻蚀点到端点的距离进一步包括：计算当前时刻的特定波长强度与先前时刻的特定波长强度的比率；将所述比率放大10,000倍以上；以及当所述比率的变化时，确定所述当前刻蚀材料的刻蚀点到端点的距离。5.根据权利要求3所述的接触孔的刻蚀方法，其特征在于，进一步包括：在所述刻蚀点到达所述当前刻蚀材料的端点之前，预先停止当前EPD刻蚀，以利用剩余刻蚀气体对所述当前刻蚀材料继续进行刻蚀；以及在停止所述当前EPD刻蚀之后，根据刻蚀菜单，调整接下来的EPD刻蚀的刻蚀参数。6.根据权利要求5所述的接触孔的刻蚀方法，其特征在于，所述第一掩模层包括：非晶碳ACL掩模层；氮氧化硅掩模层，位于所述非晶碳ACL掩模层上方；以及底部抗反射涂层，位于所述氮氧化硅掩模层上方，其中，所述抗反射涂层接触所述第二掩模层并位于所述第二掩模层下方。7.根据权利要求6所述的接触孔的刻蚀方法，其特征在于，将所述第二掩模层图案转移到所述第一掩模层中以形成第一掩模层图案进一步包括：以所述第二掩模层图案为掩模，在第一刻蚀参数的条件下刻蚀所述底部抗反射涂层和所述氮氧化硅掩模层以形成氮氧化硅掩模层图案，其中，所述第一刻蚀参数包括：刻蚀压力为30-70mT，刻蚀功率为600-1000W60或100-300W27，CF4的流量为50-150sccm，CHF3的流量为20-80sccm，CH2F2的流量为10-30sccm和O2的流量为5-15sccm；以及在所述当前刻蚀材料从氮氧化硅改变为ACL之前，预先停止当前EPD刻蚀并根据刻蚀菜
单，将所述第一刻蚀参数调整为第二刻蚀参数，以所述氮氧化硅掩模层图案为掩模，刻蚀所述ACL掩模层以形成ACL掩模层图案作为所述第一掩模层图案，其中，第二刻蚀参数包括：刻蚀压力为10-20mT，刻...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜东勋，李俊杰，周娜，王佳，李琳，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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