一种液晶显示面板制造技术

技术编号:32798284 阅读:19 留言:0更新日期:2022-03-23 20:02
本发明专利技术涉及一种液晶显示面板,其包括彩膜基板、与该彩膜基板相对设置的TFT阵列基板以及位于该彩膜基板和TFT阵列基板之间的液晶,所述彩膜基板包括衬底基板以及在衬底基板上依次形成的黑色矩阵层、色阻层;所述色阻层侧设有ITO导电层,所述ITO导电层分割形成若干个触控感应点,所述TFT阵列基板的触控线穿过阵列像素区,在基板的垂直方向上和所述ITO导电层连接,共用电极连接成片,采用以上技术方案不仅可大幅降低触控点受TFT侧各电极耦合的影响,且离手势触控的距离更近,感应电容变化更加明显,能使IC更精准的反馈触控位置,不易有触控报错异常的问题。触控报错异常的问题。触控报错异常的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种液晶显示面板


[0001]本专利技术涉及液晶显示领域,具体涉及了一种液晶显示面板。

技术介绍

[0002]近来,FFS LCD面板的应用广泛,对于功能的需求也日益提升,除了高穿透及高分辨率外,隐私防窥的功能也特别受用户关注。因FFS架构具广视角特性(全视角> 70
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),若要实现防窥功能,现行多半于显示屏上贴上一层窄视角的防窥膜,存在以下缺点:一是需增加显示器成本及厚度;二是显示器的对比度及亮度都会大幅降低;三是视角不可调控;四是降低显示器触控灵敏度。

技术实现思路

[0003]针对现有技术的不足,本专利技术提供一种提高触控灵敏度的液晶显示面板。
[0004]本专利技术的一种液晶显示面板,采用以下技术方案:其包括彩膜基板、与该彩膜基板相对设置的TFT阵列基板以及位于该彩膜基板和TFT阵列基板之间的液晶;所述彩膜基板包括基板以及在基板上依次形成的黑色矩阵层、色阻层;所述TFT阵列基板包括:基板;多个数据线,设在基板上,沿第一方向延伸;多个扫描线,设在基板上,沿第二方向延伸,所述第二方向相异于所述第一方向;多个触控线,设在基板上,沿第一方向延伸方向与所述数据线的阴影重合;阵列像素区,由多个所述数据线与多个所述扫描线交错包围像素单元形成,每个像素单元包括:像素电极,所述像素电极具有多个狭缝,所述狭缝具有一转折处;薄膜晶体管,具有栅极、源极与漏极,所述栅极电性耦接扫描线,所述源极电性耦接所述数据线,所述漏极电性耦接所述像素电极;共用电极,设在所述薄膜晶体管上;绝缘层,设在所述共用电极与像素电极之间,具有像素电极与所述薄膜晶体管的漏极的搭接孔;所述色阻层侧设有ITO导电层,所述ITO导电层分割形成若干个触控感应点,所述触控线穿过所述阵列像素区,在基板的垂直方向上和所述ITO导电层连接,所述共用电极连接成片。
[0005]进一步,所述ITO导电层由与所述各像素电极对应的ITO导电片全部连接成型。
[0006]进一步,所述ITO导电片具有与所述像素电极阴影重叠的多个狭缝。
[0007]与现有技术相比,本专利技术的有益效果如下:1、采用新增一层ITO导电层于彩膜基板侧的色阻层上方,并将ITO导电层分割成数个触控点,不仅可大幅降低触控点受TFT侧各电极耦合的影响,且离手势触控的距离更近,
感应电容变化更加明显,能使IC更精准的反馈触控位置,不易有触控报错异常的问题;2、将TFT阵列基板原先分割成触控点的共用电极连接成片,提高其共用电极Vcom准位的均匀性;3、可去除原先作为触控金属层及其连接共用电极的绝缘层,减少液晶显示面板的制作工艺,减少液晶显示面板的成本;4、ITO导电层采用与所述各像素电极对应的ITO导电片全部连接成型,且具有与像素电极阴影重叠的多个狭缝,可透过电压控制上层液晶的偏转方向,改变视角范围。
附图说明
[0008]此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,在附图中:图1为本专利技术实施例的结构示意图;图2为本专利技术实施例彩膜基板透视图;图3为本专利技术实施例TFT阵列基板透视图;图4为本专利技术实施例TFT阵列基板薄膜晶体管侧的剖视图。
具体实施方式
[0009]参见图1

图4之一所示,实施例的一种液晶显示面板,其包括彩膜基板1、与该彩膜基板相对设置的TFT阵列基板3以及位于该彩膜基板1和TFT阵列基板3之间的液晶2;所述彩膜基板1包括衬底基板11以及在衬底基板11上依次形成的黑色矩阵层12、色阻层13;所述TFT阵列基板3包括:基板;多个数据线31,设在基板上,沿第一方向延伸;多个扫描线32,设在基板上,沿第二方向延伸,所述第二方向相异于所述第一方向;多个触控线,设在基板上,沿第一方向延伸方向与所述数据线31的阴影重合;阵列像素区,由多个所述数据线31与多个所述扫描线32交错包围像素单元形成,每个像素单元包括:像素电极33,具有多个狭缝,所述狭缝具有一转折处;薄膜晶体管34,具有栅极341、源极342与漏极343,所述栅极341电性耦接扫描线32,所述源极342电性耦接所述数据线31,所述漏极343电性耦接所述像素电极331;共用电极35,设在所述薄膜晶体管34上;绝缘层36,设在所述共用电极35与像素电极33之间,具有像素电极33与所述薄膜晶体管34的漏极343的搭接孔;所述色阻层13侧设有ITO导电层14,所述ITO导电层14分割形成若干个触控感应点,所述触控线穿过所述阵列像素区,在基板的垂直方向上和所述ITO导电层14连接,所述共用电极35连接成片。
[0010]进一步,所述ITO导电层14由与所述各像素电极33对应的ITO导电片全部连接成型。
[0011]进一步,所述ITO导电片具有与所述像素电极33阴影重叠的多个狭缝。
[0012]本专利技术的工作原理:在彩膜基板1侧的色阻层上增加ITO导电层14,并将ITO导电层14分割成数个触控点,再将TFT阵列基板3原先分割成触控点的共用电极35连接成片,去除原先作为触控金属层及其连接共用电极35的绝缘层不仅可大幅降低触控点受TFT阵列基板3侧各电极耦合的影响,且离手势触控的距离更近,感应电容变化更加明显,能使IC更精准的反馈触控位置,不易有触控报错异常的问题;由于液晶2具有双折射特性,背光光源的光通过液晶2会产生各方向且强度不同的光路径,藉此将所述ITO导电层14对应各像素电极33形状设计,使其具有与所述像素电极33阴影重叠的多个狭缝,通过调整ITO导电层14的电压,降低与TFT阵列基板3侧的共用电极31之间的电场强度,使液晶液晶偏转角度减小,进而控制侧向出光的强度,使可视觉范围缩小达到防窥的功能。
[0013]尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种液晶显示面板,包括彩膜基板、与该彩膜基板相对设置的TFT阵列基板以及位于该彩膜基板和TFT阵列基板之间的液晶;所述彩膜基板包括基板以及在基板上依次形成的黑色矩阵层、色阻层;所述TFT阵列基板包括:基板;多个数据线,设在基板上,沿第一方向延伸;多个扫描线,设在基板上,沿第二方向延伸,所述第二方向相异于所述第一方向;多个触控线,设在基板上,沿第一方向延伸方向与所述数据线的阴影重合;阵列像素区,由多个所述数据线与多个所述扫描线交错包围像素单元形成,每个像素单元包括:像素电极,所述像素电极具有多个狭缝,所述狭缝具有一转折处;薄膜晶体管,具有栅极、源极与漏极,所述栅极电性耦接扫描线,...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈廷安郭智宇钟慧萍黄涛
申请(专利权)人:福建华佳彩有限公司
类型:发明
国别省市:

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