【技术实现步骤摘要】
一种利用等离子体增强原子层沉积制备压电AIN薄膜的方法
[0001]本专利技术涉及压电薄膜制备
，具体为一种利用等离子体增强原子层沉积制备压电AIN薄膜的方法。
技术介绍
[0002]Ⅲ‑Ⅴ
族化合物氮化铝是一种具有六角铅锌矿结构的宽禁带半导体材料，具有高热导率、低热膨胀系数、高电阻率、高压电系数、高声表面波传播速度、击穿电压高、化学性质稳定以及良好的光学性能等，因此氮化铝材料在机械、微电子、光学以及电子元器件、声表面波器件、薄膜体声波器件等通信和功率半导体器件领域有着广阔的应用前景。
[0003]目前市场中的压电氮化铝薄膜，因为含有较多杂质，导致电阻率较高，并且薄膜致密度较低，降低了工作效率。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种利用等离子体增强原子层沉积制备压电AIN薄膜的方法，具备了通过采用等离子体增强原子层沉积制备压电AIN薄膜，可以进一步的去除薄膜中的杂质，从而获得更低的电阻率和更高的薄膜致密度，提高了工作效率的效果，解决了目前市场中的压电氮化铝薄膜，因为含有...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种利用等离子体增强原子层沉积制备压电AIN薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：先对基片表面进行抛光处理，再对其清洁和烘干，之后放入磁控溅射机内，正常启动磁控溅射机，对腔体抽真空至5
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10
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4Pa以下；步骤S2：将基片加热到350～450℃，进行真空热处理，待基片的温度降至室温后，向真空腔体内通入的氩气，打开中频溅射电源预溅射清洗溅射靶表面15分钟；步骤S3：使用射频磁控溅射方法沉积具有压应力或者张应力的AIN多晶薄膜；步骤S4：使用射频磁控溅射方法在步骤S3中所得的AIN多晶薄膜上沉积与该氮化铝多晶薄膜具有对应张应力或者压应力的AIN多晶薄膜；步骤S5：反复交替进行步骤S3和步骤S4得到压电AIN薄膜；步骤S6：将步骤S5中的压电AIN薄膜放入原子层沉积装置的反应腔体中，加热，再向反应腔体内通入气态硅烷，该气态硅烷与压电AIN薄膜反应，反应过程中不断通入载气以保持反应腔内的气压恒定；步骤S7：向反应腔内通入氧气等离子体，并与步骤S7中气态硅烷和压电AIN薄膜反应获得产物的外露基团反应，反应过程中不断通入载气以保持反应腔内的气压恒定，以此生成氧化硅；步骤S8：重复步骤S6和步骤S7，直至所述氧化硅的厚度达到预设厚度值。2.根据权利要求1所述的利用等离子体增强原子层沉积制备压电AIN薄膜的方法，其特征在于：所述步骤...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆桥宏，何东旺，曹俊，
申请(专利权)人：江苏籽硕科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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