一种高电学均匀性低阻CdS多晶料的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种高电学均匀性低阻CdS多晶料的制备方法，在石英管内，左侧放置圆柱形支撑结构、蓝宝石衬底紧靠圆柱形支撑结构右侧放置，放置硫化镉原料石英舟Ⅰ置于中间、放置Cd单质的石英舟Ⅱ置于右侧，使用带出气口的法兰和带进气口的法兰分别密封在石英管左右开口处，石英管（1）水平放入三温区电阻加热炉，在环境中经升温、恒温、降温处理，在石英管左侧得到均匀性良好的低阻CdS多晶料，测试得到电阻率结果均满足范围0.1

【技术实现步骤摘要】
一种高电学均匀性低阻CdS多晶料的制备方法


[0001]本专利技术涉及一种用于PVT法生长低阻CdS的多晶料制备方法，特别涉及一种高电学均匀性、低阻CdS多晶料的制备方法。
[0002]1.
技术介绍
CdS是一种
Ⅱ‑Ⅵ
族宽带隙直接跃迁半导体材料，具有良好的光电效应，因其对紫外光和部分可见光感受灵敏，对红外光透过性好的特点，在红外/紫外双色探测等领域已得到广泛应用。目前CdS主要通过物理气相传输法（PVT）进行晶体生长，由于直接生长的本征CdS晶体通常为高阻态，不能满足红外/紫外双色叠层探测器的使用要求。为了制备低阻CdS晶片，目前常用的手段有两种，一是在密封系统中，在Cd气氛下对晶片进行退火，实现低阻CdS单晶片的制备，但是由于退火扩散速度慢，存在步骤较繁琐，耗时较长的问题，且退火过程中由于Cd质量的变化，导致退火气氛浓度变化，使得晶片的均匀性、一致性较差；二是直接在硫化镉粉中混合镉单质作为生长源粉进行单晶生长，由于镉单质的挥发温度远小于硫化镉的挥发温度，因此在升温过程中镉单质会先挥发成气体，继续升温达到硫化镉的挥发温度后，硫化镉粉才本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高电学均匀性低阻CdS多晶料的制备方法，其特征在于：制备方法包括以下步骤，（一）、装炉Cd单质（8）放置在石英舟Ⅱ（9）上、硫化镉原料（6）放置在石英舟Ⅰ（7）上，在石英管（1）内，左侧放置圆柱形支撑结构（5）、蓝宝石衬底（4）紧靠圆柱形支撑结构（5）右侧放置，石英舟Ⅰ（7）置于中间、石英舟Ⅱ（9）置于右侧， 使用带出气口（10）的法兰和带进气口（11）的法兰分别密封在石英管（1）左右开口处，石英管（1）水平放入三温区电阻加热炉，使硫化镉原料（6）放置在三温区电阻加热炉中部1050℃
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1100℃的第二温区、Cd单质（8）放置在300℃
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350℃的第三温区，蓝宝石衬底（4）放置在1000℃
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1050℃的第一温区；（二）、抽真空保持石英管（1）右端带法兰的进气（11）关闭，左端带法兰的出气口（10）打开，抽真空20min，去除石英管内的空气...

【专利技术属性】
技术研发人员：李轶男，王英民，高彦昭，程红娟，王健，刘禹岑，刘兴华，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：