【技术实现步骤摘要】
籽晶和具有其的籽晶组件
[0001]本技术涉及类单晶领域，尤其是涉及一种籽晶和具有其的籽晶组件。
技术介绍
[0002]类单晶是基于底部籽晶进行外延生长得来的晶体硅，在籽晶和籽晶之间形成晶界。相关技术中，在形成晶界之前，籽晶和籽晶要经历高温阶段，籽晶升温后体积会发生膨胀，籽晶间会因膨胀而产生挤压，挤压造成的压力会在高温状态的硅籽晶中产生位错，而籽晶的角部是挤压最严重的区域。
技术实现思路
[0003]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种籽晶，当籽晶应用于籽晶组件时，可以有效避免籽晶本体的角处的挤压，从而可以有效避免籽晶间的挤压造成的位错。
[0004]本技术的另一个目的在于提出一种具有上述籽晶的籽晶组件。
[0005]根据本技术第一方面实施例的籽晶，包括：籽晶本体，所述籽晶本体包括彼此相连的第一侧边和第二侧边，所述第一侧边和所述第二侧边的连接处构成角，所述角处设有缺口部，所述缺口部包括至少一个第一边和至少一个第二边，所述第一边的一端与所述第二边的一端相...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种籽晶，其特征在于，包括：籽晶本体，所述籽晶本体包括彼此相连的第一侧边和第二侧边，所述第一侧边和所述第二侧边的连接处构成角，所述角处设有缺口部，所述缺口部包括至少一个第一边和至少一个第二边，所述第一边的一端与所述第二边的一端相连，所述第一边的另一端与所述第一侧边相连，且所述第二边的另一端与所述第二侧边相连，所述第一边与所述第二侧边平行，所述第二边与所述第一侧边平行。2.根据权利要求1所述的籽晶，其特征在于，所述缺口部包括一个所述第一边和一个所述第二边，所述第一边的长度为d1，所述第二边的长度为d2，其中所述d1、d2满足：0.4mm≤d1≤1mm，0.4mm≤d2≤1mm。3.根据权利要求1所述的籽晶，其特征在于，所述第一边的长度与所述第二边的长度相等。4.根据权利要求1所述的籽晶，其特征在于，所述籽晶本体的形状为至少一组对边平行的四边形。5.根据权利要求4所述的籽晶，其特征在于，所述籽晶本体的形状为矩形。6.根据权利要求5所述的籽晶，其特征在于，所述籽晶本体的形状为正方形，所述籽晶本体的边长为d，其中所述d满足：125mm≤d≤210mm。7.根据权利要求1所述的籽晶，其特征在于，所述缺口部包括多个所述第一边和...
【专利技术属性】
技术研发人员：王全志，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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