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本发明涉及一种高电学均匀性低阻CdS多晶料的制备方法，在石英管内，左侧放置圆柱形支撑结构、蓝宝石衬底紧靠圆柱形支撑结构右侧放置，放置硫化镉原料石英舟Ⅰ置于中间、放置Cd单质的石英舟Ⅱ置于右侧，使用带出气口的法兰和带进气口的法兰分别密封在石英...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十六研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十六研究所授权不得商用。

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