基于近红外光电探测器与OLED的上转换器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种p

【技术实现步骤摘要】
基于近红外光电探测器与OLED的上转换器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及近红外光电探测
，尤其涉及一种基于近红外光电探测器与OLED的上转换器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]短波红外波段较少被空气中水分子吸收，透过率达到90％，被称为“红外大气窗口”，所以短波红外探测和成像在军事和民用领域都具有非常重要的应用。而常见的CCD和CMOS传感器件却不能探测大于1微米的红外波段，因此一般采用带隙宽度较小的III
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V族化合物半导体来探测红外线。InGaAs、InAlAs材料是直接带隙半导体，电子迁移率高，与InP的晶格匹配，可以得到高质量的外延片。形成的PIN型InGaAs/InP、InGaAs/InAlAs红外光电探测器灵敏度高，暗电流小，可在室温下工作。
[0003]通过线性上转换成像方案，将近红外光电探测器与有机发光二极管(OLED)串联集成起来，使近红外图像上转换为可见光波段图像，从而可以直接被人眼或者普通相机获取。目前已有很多关于红外探测器/发光二极管集成结构器件的文献报道，如：通过集成无机本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种p
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InAlAs/i
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InGaAs/n
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InAlAs近红外光电探测器，其特征在于，包括：InP基底、位于所述InP基底上的n型InAlAs底电极接触层、位于所述底电极接触层上的i型InGaAs吸收层、位于所述吸收层上的p型InAlAs接触层以及氮化硅绝缘层。2.根据权利要求1所述的p
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InAlAs/i
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InGaAs/n
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InAlAs近红外光电探测器，其特征在于，所述n型InAlAs底电极接触层的厚度为500～800nm，掺杂浓度为1～5
×
10
18
cm
‑3；所述i型InGaAs吸收层的厚度为1000～2000nm；所述p型InAlAs接触层的厚度为300～500nm，掺杂浓度为1～5
×
10
18
cm
‑3。3.根据权利要求1或2所述的p
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InAlAs/i
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InGaAs/n
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InAlAs近红外光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一p
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InAlAs/i
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InGaAs/n
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InAlAs外延片；对所述p
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InAlAs/i
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InGaAs/n
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InAlAs外延片进行光刻，并将光刻后的外延片浸入刻蚀液中进行刻蚀；在刻蚀后的外延片上形成一氮化硅绝缘层；对所述外延片进行二次光刻，并对二次光刻后的外延片进行刻蚀以形成台阶结构，从而得到所述p
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InAlAs/i
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InGaAs/n
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InAlAs近红外光电探测器。4.根据权利要求3所述的p
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InAlAs/i
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InGaAs/n
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InAlAs近红外光电探测器的制备方法，其特征在于，将光刻后的外延片浸入刻蚀液中进行刻蚀的具体方法为：先将外延片浸入由H2SO4、H2O2和H2O组成的刻蚀液中刻蚀，以刻蚀InAlAs层；再将外延片浸入由H3PO4、...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊，张军喜，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：