长波III-V族红外探测器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种长波III

【技术实现步骤摘要】
长波III
‑
V族红外探测器


[0001]本技术属于半导体
，特别涉及一种长波III
‑
V族红外探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]所有物体都会发射与其温度和表面特性相关的热辐射，室温物体的热辐射集中在长波红外(8
‑
14微米)波段，长波红外的光电探测器具有重要的应用需求和应用价值。常见的长波III
‑
V族红外探测器分为热敏型和光子型。热敏型长波III
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V族红外探测器可常温工作，对波长不敏感，虽然可满足一些对性能要求不高的常规应用，但其探测灵敏度和成像分辨率不高，响应速度也较慢，难以满足对探测性能要求较高的应用场景。
[0003]光子型长波III
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V族红外探测器利用光电转换原理对红外光进行探测，具有较高的探测灵敏度，也具有较高的响应速度，能够满足高性能探测的要求。探测器应用时一般需要制冷。用于制备光子型长波III
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V族红外探测器的材料主要有II
‑
VI族碲镉汞，通过调节材料组本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种长波III
‑
V族红外探测器，其特征在于，所述红外探测器结构包括衬底、缓冲层、吸收层和帽层；其中，所述吸收层的材料为非故意掺杂的BInAsSbBi，所述非故意掺杂的BInAsSbBi的组分结构满足：B
x
In1‑
x
As1‑
y
‑
z
Sb
y
Bi
z
，其中，x≥0.1，0.4≤y≤0.7，0.01≤z≤0.06；所述吸收层的厚度为1μm
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3μm。2.如权利要求1所述的长波III
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V族红外探测器，其特征在于，所述衬底、所述缓冲层、所述帽层的材料均为GaSb。3.如权利要求1所述的长波III
‑
V族红外探测器，其特征在于，所述衬底、所述缓冲层、所述帽层均为InAs材料。4.如权利要求1所述的长波III
...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾溢，孙夺，
申请(专利权)人：无锡中科德芯感知科技有限公司，
类型：新型
国别省市：