一种紫外-可见双色探测器制造技术

本申请公开了一种紫外

【技术实现步骤摘要】
一种紫外
‑
可见双色探测器


[0001]本公开一般涉及半导体光电探测器
，具体涉及一种紫外
‑
可见双色探测器。

技术介绍

[0002]光电探测器在国民经济以及军事等各个领域有广泛的用途。基于不同波段探测的光电探测器，对不同领域的探测有着重要作用。在可见以及近红外，光电探测器主要应用于射线测量和探测、工业自动控制、光度测量等方面；在紫外波段主要用途由紫外制导、紫外告警、紫外通信、紫外对抗、电力监测等军用和民用领域。传统以氮化镓/铝镓氮体系为代表的III族氮化物材料体系，是实现紫外探测的最佳材料，但难以实现可见及近红外的探测，基于锑基超晶格材料光探测器在可见光及近红外方面日益成熟，然而难以向紫外探测扩展，所以单靠一种材料体系难以实现紫外、可见波段探测。因此，我们提出一种紫外
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可见双色探测器，用以解决上述的单一材料的光探测器响应低，波段范围窄，难以实现紫外、可见波段探测的问题。

技术实现思路

[0003]鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种提高器件响应度，可调控，集本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种紫外
‑
可见双色探测器，其特征在于，包括：探测器本体；所述探测器本体包括：自下至上依次堆叠设置的p型GaN材料层、BN二维材料层和p型拓扑绝缘体薄膜材料层；所述p型拓扑绝缘体薄膜材料层具备上金属电极(10)；所述p型GaN材料层具备下金属电极(3)；分别调节所述上金属电极(10)及所述下金属电极(3)所施加的偏压，以使所述p型GaN材料层可探测紫外波段，所述p型拓扑绝缘体薄膜材料层可探测可见光波段。2.根据权利要求1所述的一种紫外
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可见双色探测器，其特征在于，所述p型GaN材料层包括：p型GaN衬底层(1)，p型GaN接触层(2)，设置在所述p型GaN衬底层(1)的上表面；p型AlGaN匹配层(4)，设置在所述p型GaN接触层(2)的上表面；所述下金属电极(3)位于所述p型GaN接触层(2)的上表面，且其环设在所述p型AlGaN匹配层(4)的周围；AlGaN紫外吸收层(5)，设置在所述p型AlGaN匹配层(4)的上表面。3.根据权利要求2所述的一种紫外
‑
可见双色探测器，其特征在于，所述p型GaN衬底层(1)的厚度为0.3
‑
0.5毫米；所述p型GaN接触层(2)的掺杂浓度≥10
17
cm3，且其厚度为400nm
±
20nm；所述p型AlGaN匹配层(4)的掺杂浓度范围为10
16
cm3～10
17
cm3，且其厚度为200nm
±
30nm；所述AlGaN紫外吸收层(5)的掺杂浓度≤10
16
cm3，且其厚度为150nm
±
10nm。4.根据权利要求2所述的一种紫外
‑
可见双色探测器，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张云霄，李爱民，孙文宝，
申请(专利权)人：天津津航技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：