一种窄带响应紫外光电二极管及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种窄带响应紫外光电二极管及其制备方法，包括衬底层，设置于衬底层上的半导体层，设置于GaN层上的多孔GaN层；设置于多孔GaN层上的MoO3层，GaN层和MoO3层上还设置有金属触点层。本发明专利技术通过在衬底层上沉积GaN薄膜；对制备的GaN薄膜进行清洗，并用离子液刻蚀，形成多孔GaN层；并在多孔GaN层表面热蒸发MoO3层。本发明专利技术利用多孔GaN材料作为紫外光吸收层，降低材料缺陷，同时增强紫外光吸收；窄带响应紫外光电二极管响应带宽仅10nm，且只在355～380nm紫外波段产生响应，外量子效率和响应度在紫外区370nm处取得峰值，并具有高紫外/可见抑制比，非常适用于要求窄带响应的应用场合。合。合。

【技术实现步骤摘要】
一种窄带响应紫外光电二极管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及光电二极管
，尤其是一种窄带响应紫外光电二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]紫外光电探测器(PDs)是一种基本的光电子器件，能够将入射的短波(<400nm)辐射转换为电信号进行光电转换处理。基于探测器对光学信息的捕获、识别和可视化，紫外探测技术在军事、安全通信、成像、生物检测、化学分析和日常生活监测等领域有着广泛的应用。目前商用紫外光电二极管主要基于真空光电倍增管和紫外增强硅光电二极管。
[0003]具有高光谱选择性、窄带响应的紫外光电探测器在荧光检测、成像、紫外线光疗和生物医学传感等方面有着重要的应用，这些应用的共同点是需要在特定入射光窗口产生大的响应，而在所需窗口以外的波段响应较低或者没有响应。传统实现窄带响应的光电探测器需要结合外置滤光片实现，但是这种设备复杂、体积笨重。
[0004]目前文献报道了多种窄带响应光电探测器，以铅卤化钙钛矿、有机材料等作为吸收层，但这些报道的窄带响应探测器大多工作在可见光或近红外波段，并且这些材料无论本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种窄带响应紫外光电二极管，其特征在于，包括衬底层(100)、半导体层、多孔GaN层(300)、MoO3层(400)、金属触点层(500)，所述的半导体层设置于衬底层(100)上，所述的半导体层为GaN层(200)；所述的多孔GaN层(300)设置在GaN层(200)的上表面；所述的MoO3层(400)设置于多孔GaN层(300)的上表面，所述GaN层(200)和MoO3层(400)的上表面还设置有金属触点层(500)。2.根据权利要求1所述的一种窄带响应紫外光电二极管，其特征在于：所述的衬底层(100)为蓝宝石衬底。3.根据权利要求1所述的一种窄带响应紫外光电二极管，其特征在于：所述半导体层的GaN薄膜在室温下的载流子浓度范围为1
×
10
15
至1
×
10
18
cm
‑3，厚度为4～6μm。4.根据权利要求1所述的一种窄带响应紫外光电二极管，其特征在于：所述MoO3层(400)的厚度为2～50nm。5.根据权利要求1所述的一种窄带响应紫外光电二极管，其特征在于：所述金属触点层(500)为欧姆接触层，其厚度为50～200nm。6.一种用于制备权利要求1
‑
5任一项所述的窄带响应紫外光电二极管的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1)、在衬底层(100)上沉积GaN薄膜；S2)、对步骤S1)制备的GaN薄膜进行清洗，并用离子液刻蚀，形成多孔GaN层(300)；S3)、将步骤S2)中制得的多孔GaN层(300)表面热...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋伟东，郭越，梁众，林显凯，陈钊，何鑫，张业龙，
申请(专利权)人：五邑大学，
类型：发明
国别省市：