功能器件以及功能器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种功能器件以及功能器件的制造方法。功能器件(100)具备：隔堤(130)，在表面部(131)具有疏液部(132)以及与所述疏液部(132)相比疏液性小的低疏液部(134)；第1功能层(140)，位于由所述隔堤(130)规定的区域，并且与所述疏液部(132)相接；和第2功能层(150)，与所述低疏液部(134)相接，并且覆盖所述第1功能层(140)。能层(140)。能层(140)。

【技术实现步骤摘要】
功能器件以及功能器件的制造方法


[0001]本公开涉及功能器件以及功能器件的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，盛行用于通过印刷方法形成各种各样的电子器件的研究。印刷方法是仅在需要的位置涂敷需要的量的墨液的方法，因此与真空蒸镀以及溅射法的方法等相比，材料的利用效率高。
[0003]在印刷方法中，与印刷对象物不接触且能够根据需求形成希望图案的喷墨法备受关注。
[0004]作为通过印刷方法而形成的电子器件，例如有使用了导电性的墨液的布线、使用了半导体墨液的晶体管、以及使用了发光材料的显示器件等。
[0005]在专利文献1中公开了作为电子器件的一例的有机EL器件。专利文献1的有机EL器件具有的隔堤为了将作为空穴传输层以及有机发光层的材料的墨液保持在由隔堤规定的区域内而具有比较大的疏液性。
[0006]在先技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本专利第4990415号公报

技术实现思路

[0009]本公开的一方式涉及的功能器件具备：隔堤，在表面部具有疏液部以及与所述疏液部相比疏液性小的低疏液部；第1功能层，位于由所述隔堤规定的区域，并且与所述疏液部相接；和第2功能层，与所述低疏液部相接，并且覆盖所述第1功能层。
[0010]本公开的一方式涉及的功能器件的制造方法包括：在基板形成隔堤的步骤；形成第1功能层的步骤，所述第1功能层位于由所述隔堤规定的区域，并且与所述隔堤的表面部的疏液部相接；在所述表面部的一部分形成低疏液部的步骤，所述低疏液部与所述疏液部相比疏液性相对小；和形成第2功能层的步骤，所述第2功能层与所述低疏液部相接，并且覆盖所述第1功能层。
附图说明
[0011]图1是示出专利文献1所公开的有机EL器件的构造的剖视图。
[0012]图2是示出本公开的实施方式涉及的功能器件的构造的剖视图。
[0013]图3是示出处于在基板形成了电极层以及隔堤的状态的实施方式涉及的中间制造物的剖视图。
[0014]图4是示出在实施方式涉及的中间制造物被照射了CF4等离子的样态的图。
[0015]图5是示出处于在发光区域贮存了墨液的状态的实施方式涉及的中间制造物的剖视图。
[0016]图6是示出处于形成了发光层的状态的实施方式涉及的中间制造物的剖视图。
[0017]图7是示出在实施方式涉及的中间制造物隔着遮蔽掩模被照射了O2等离子的样态的图。
[0018]图8是示出处于形成了电极层的状态的实施方式涉及的中间制造物的剖视图。
[0019]图9A是示出本公开的变形例1涉及的功能器件的构造的剖视图。
[0020]图9B是示出具有本公开的变形例1涉及的另一构造的功能器件的构造的剖视图。
[0021]图10是示出本公开的变形例2涉及的功能器件的构造的剖视图。
[0022]图11是示出本公开的变形例3涉及的功能器件的构造的剖视图。
[0023]图12是示出处于在基板形成了电极层以及隔堤的状态的实施例1涉及的中间制造物的剖视图。
[0024]图13是示出处于形成了红色发光层的状态的实施例1涉及的中间制造物的剖视图。
[0025]图14是示出在实施例1涉及的中间制造物隔着遮蔽掩模被照射了O2等离子的样态的图。
[0026]图15是示出实施例1涉及的功能器件的构造的剖视图。
[0027]图16是示出处于在基板形成了电极层以及隔堤的状态的实施例2涉及的中间制造物的剖视图。
[0028]图17是示出在实施例2涉及的中间制造物被照射了CF4等离子的样态的图。
[0029]图18是示出处于形成了红色发光层的状态的实施例2涉及的中间制造物的剖视图。
[0030]图19是示出处于容纳于真空干燥机的状态的中间制造物的剖视图。
[0031]图20是示出实施例2涉及的功能器件的构造的剖视图。
[0032]符号说明
[0033]1ꢀꢀꢀ
有机EL器件；
[0034]10
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TFT面板；
[0035]12
ꢀꢀ
阳极；
[0036]13
ꢀꢀ
空穴注入层；
[0037]14
ꢀꢀ
空穴传输层；
[0038]15
ꢀꢀ
有机发光层；
[0039]16
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隔堤；
[0040]18
ꢀꢀ
电子注入层；
[0041]20
ꢀꢀ
透明阴极；
[0042]22
ꢀꢀ
透明密封膜；
[0043]70
ꢀꢀ
光；
[0044]100 功能器件；
[0045]110 基板；
[0046]120 电极层；
[0047]121 栅极电极层；
[0048]122 栅极绝缘层；
[0049]130 隔堤；
[0050]131 表面部；
[0051]132 疏液部；
[0052]133 疏液部的表面；
[0053]134
ꢀꢀ
低疏液部；
[0054]135
ꢀꢀ
低疏液部的表面；
[0055]136
ꢀꢀ
内部；
[0056]140
ꢀꢀ
第1功能层；
[0057]141
ꢀꢀ
发光层；
[0058]141R 红色发光层；
[0059]141G 绿色发光层；
[0060]141B 蓝色发光层；
[0061]41
ꢀꢀꢀ
墨液；
[0062]41R
ꢀꢀ
红色发光墨液；
[0063]41G
ꢀꢀ
红绿发光墨液；
[0064]41B
ꢀꢀ
蓝色发光墨液；
[0065]142
ꢀꢀ
空穴注入层；
[0066]143
ꢀꢀ
空穴传输层；
[0067]144
ꢀꢀ
电子注入层；
[0068]145
ꢀꢀ
有机半导体层；
[0069]150
ꢀꢀ
第2功能层；
[0070]151
ꢀꢀ
电极层；
[0071]152
ꢀꢀ
源极电极；
[0072]153
ꢀꢀ
漏极电极；
[0073]156
ꢀꢀ
密封层；
[0074]157
ꢀꢀ
保护层；
[0075]158
ꢀꢀ
无机层；
[0076]210
ꢀꢀ
真空干燥机；
[0077]211
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容纳部；
[0078]212
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功能器件，具备：隔堤，在表面部具有疏液部以及与所述疏液部相比疏液性小的低疏液部；第1功能层，位于由所述隔堤规定的区域，并且与所述疏液部相接；和第2功能层，与所述低疏液部相接，并且覆盖所述第1功能层。2.根据权利要求1所述的功能器件，其中，所述疏液部的氟原子的浓度比所述低疏液部的氟原子的浓度高。3.根据权利要求2所述的功能器件，其中，所述疏液部的氟原子的浓度为5atom％以上且10atom％以下，所述低疏液部的氟原子的浓度为0atom％以上且低于5atom％。4.根据权利要求1所述的功能器件，其中，所述疏液部的硅原子的浓度比所述低疏液部的硅原子的浓度高。5.根据权利要求4所述的功能器件，其中，所述疏液部的硅原子的浓度为5atom％以上且10atom％以下，所述低疏液部的硅原子的浓度为0atom％以上且低于5atom％。6.根据权利要求1至5中任一项所述的功能器件，其中，所述疏液部相对于作为所述第1功能层的材料的墨液的接触角为20度以上且70度以下，所述低疏液部相对于作为所述第2功能层的材料的墨液的接触角为0度以上且30度以下。7.根据权利要求1至6中任一项所述的功能器件，其中，所述低疏液部的表面的粗糙度比所述疏液部的表面的粗糙度大。8.根据权利要求1至7中任一项所述的功能器件，其中，所述第1功能层包含发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层以及有机半导体层之中的一个以上的层。9.根据权利要求1至8中任一项所述的功能器件，其中，所述第2功能层包含电极层、密封层以及保护层之中的一个以上的层。10.一种功能器件的制造方法，包括：在基板形成隔堤的步骤；形成第1功能层的步...

【专利技术属性】
技术研发人员：中谷修平，吉田英博，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：