IC芯片的校准方法、相关系统及装置制造方法及图纸

技术编号:32712017 阅读:22 留言:0更新日期:2022-03-20 08:09
本申请涉及一种IC芯片的校准方法、系统及装置,将待校准的IC装配到成品的PCB上,然后利用PCB上的端口与校准电路连接进行电压校准。这样,即可在IC成品上直接对IC进行电压校准和电流校准,消除传统校准方法的测试夹具和PCB走线造成的校准偏差,有效提高校准精度,也避免了传统校准方法在拆装过程对IC造成损伤的风险,出厂IC品质更有保障,同时通过利用成品上自带的端口对量产后的成品校准,无需拆壳,操作简单、易行,大大降低成本,缩短了开发周期。期。期。

【技术实现步骤摘要】
IC芯片的校准方法、相关系统及装置


[0001]本申请属于芯片
,具体涉及一种IC芯片的校准方法、相关系统及装置。

技术介绍

[0002]由于晶圆制造的偏差,集成电路(Integrated Circuit Chip,IC)芯片在出厂前都需要校准内部的各种参数。对于车载快充系统中的直流变换器DCDC芯片和协议芯片来讲,其输出电压和输出电流是主要的参数,必须经过校准,且输出电流一般理解为对应的过流保护(over current protectIOn,OCP)点。
[0003]但是申请人发现:目前IC芯片出厂前的校准一般都是将待校准IC安装到测试夹具上,然后接上外围校准电路来进行校准,由于测试夹具会带来接触阻抗的偏差,长时间测试后甚至会疲软,从而给IC带来更大的偏差,当将出厂后的IC焊接到成品印制电路板(Printed Circuit Board,PCB)上时会由于PCB布线的阻抗和差异,也会给IC的各种参数带来偏差,这样就满足不了高精度的要求。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种IC芯片的校准方法、相关系统及装置,以期消除传统校准方法的测试夹具和PCB走线造成的校准偏差,有效提高校准精度,也避免了传统校准方法在拆装过程对IC造成损伤的风险,出厂IC品质更有保障,同时通过利用成品上自带的端口对量产后的成品校准,无需拆壳,操作简单、易行,大大降低成本,缩短了开发周期。
[0005]第一方面,本申请实施例提供了一种IC芯片的校准方法,其特征在于,应用于芯片校准系统中的校准电路,所述芯片校准系统包括装配在成品印制电路板PCB上的所述IC芯片和所述校准电路,所述校准电路包括模拟数字转换器ADC采样模块、开关K1、开关K2、负载电阻RL1、负载电阻RL2、系统通信模块以及处理器,所述IC芯片的电压输出端口连接所述ADC采样模块的第一端、所述开关K1的第一端、所述开关K2的第一端,所述开关K1的第二端连接所述负载电阻RL1的第一端,所述开关K2的第二端连接所述负载电阻RL2的第一端,所述ADC采样模块的第二端、所述负载电阻RL1的第二端、所述负载电阻RL2第二端合路后接地,所述处理器连接所述ADC采样模块和所述系统通信模块,所述IC芯片连接所述系统通信模块;所述方法包括:
[0006]控制所述开关K1和所述K2断开,使输出空载;
[0007]通过所述系统通信模块设置所述IC芯片的内部输出电压寄存器的值为VREG1,然后通过所述ADC采样模块得到当前实际输出电压VO1;
[0008]通过所述系统通信模块设置所述IC芯片的所述内部输出电压寄存器的值为VREG2,然后通过所述ADC采样模块得到当前实际输出电压为VO2;
[0009]通过如下公式计算得到待校准的电压参数Voffset、Vstep的校准值:
[0010]Vstep=(VO2-VO1)
÷
(VREG2-VREG1),
[0011]Voffset=VO1-[(VO2-VO1)
÷
(VREG2-VREG1)]×
VREG1,
[0012]其中,所述IC芯片的实际输出电压Vo与所述IC芯片的所述内部输出电压寄存器的值VREG满足第一线性关系,所述内部输出电压寄存器的值对应所述IC芯片的内部基准电压,所述第一线性关系满足如下公式:
[0013]VO=Voffset+Vstep
×
VREG,
[0014]其中,Voffset为所述内部输出电压寄存器的漂移,Vstep为所述内部输出电压寄存器的电压步长。
[0015]第二方面,本申请实施例提供了一种应用于芯片校准系统中的校准电路,所述芯片校准系统包括装配在成品印制电路板PCB上的所述IC芯片和所述校准电路,所述校准电路包括模拟数字转换器ADC采样模块、开关K1、开关K2、负载电阻RL1、负载电阻RL2、系统通信模块以及处理器;
[0016]所述IC芯片的电压输出端口连接所述ADC采样模块的第一端、所述开关K1的第一端、所述开关K2的第一端,所述开关K1的第二端连接所述负载电阻RL1的第一端,所述开关K2的第二端连接所述负载电阻RL2的第一端,所述ADC采样模块的第二端、所述负载电阻RL1的第二端、所述负载电阻RL2第二端合路后接地,所述处理器连接所述ADC采样模块和所述系统通信模块,所述IC芯片连接所述系统通信模块;
[0017]所述校准电路,用于控制所述开关K1和所述K2断开,使输出空载;
[0018]以及用于通过所述系统通信模块设置所述IC芯片的内部输出电压寄存器的值为VREG1,然后通过所述ADC采样模块得到当前实际输出电压VO1;
[0019]以及用于通过所述系统通信模块设置所述IC芯片的所述内部输出电压寄存器的值为VREG2,然后通过所述ADC采样模块得到当前实际输出电压为VO2;
[0020]以及用于通过如下公式计算得到待校准的电压参数Voffset、Vstep的校准值:
[0021]Vstep=(VO2-VO1)
÷
(VREG2-VREG1),
[0022]Voffset=VO1-[(VO2-VO1)
÷
(VREG2-VREG1)]×
VREG1,
[0023]其中,所述IC芯片的实际输出电压Vo与所述IC芯片的所述内部输出电压寄存器的值VREG满足第一线性关系,所述内部输出电压寄存器的值对应所述IC芯片的内部基准电压,所述第一线性关系满足如下公式:
[0024]VO=Voffset+Vstep
×
VREG,
[0025]其中,Voffset为所述内部输出电压寄存器的漂移,Vstep为所述内部输出电压寄存器的电压步长。
[0026]第三方面,本申请实施例提供了一种应用于芯片校准系统中的校准电路,所述芯片校准系统包括装配在成品印制电路板PCB上的所述IC芯片和所述校准电路,所述校准电路包括模拟数字转换器ADC采样模块、开关K1、开关K2、负载电阻RL1、负载电阻RL2、系统通信模块以及处理器,所述IC芯片的电压输出端口连接所述ADC采样模块的第一端、所述开关K1的第一端、所述开关K2的第一端,所述开关K1的第二端连接所述负载电阻RL1的第一端,所述开关K2的第二端连接所述负载电阻RL2的第一端,所述ADC采样模块的第二端、所述负载电阻RL1的第二端、所述负载电阻RL2第二端合路后接地,所述处理器连接所述ADC采样模块和所述系统通信模块,所述IC芯片连接所述系统通信模块;所述装置包括:
[0027]断开单元,用于控制所述开关K1和所述K2断开,使输出空载;
[0028]采样单元,用于通过所述系统通信模块设置所述IC芯片的内部输出电压寄存器的
值为VREG1,然后通过所述ADC采样模块得到当前实际输出电压VO1;以及通过所述系统通信模块设置所述IC芯片的所述内部输出电压寄存器的值为VREG2,然后通过所述ADC采本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片校准系统,其特征在于,所述芯片校准系统包括装配在成品印制电路板PCB上的IC芯片和校准电路,其中,所述校准电路包括模拟数字转换器ADC采样模块、开关K1、开关K2、负载电阻RL1、负载电阻RL2、系统通信模块以及处理器,所述IC芯片的电压输出端口连接所述ADC采样模块的第一端、所述开关K1的第一端、所述开关K2的第一端,所述开关K1的第二端连接所述负载电阻RL1的第一端,所述开关K2的第二端连接所述负载电阻RL2的第一端,所述ADC采样模块的第二端、所述负载电阻RL1的第二端、所述负载电阻RL2第二端合路后接地,所述处理器连接所述ADC采样模块和所述系统通信模块,所述IC芯片连接所述系统通信模块。2.一种集成电路IC芯片的校准方法,其特征在于,应用于芯片校准系统中的校准电路,所述芯片校准系统包括装配在成品印制电路板PCB上的所述IC芯片和所述校准电路,所述校准电路包括模拟数字转换器ADC采样模块、开关K1、开关K2、负载电阻RL1、负载电阻RL2、系统通信模块以及处理器,所述IC芯片的电压输出端口连接所述ADC采样模块的第一端、所述开关K1的第一端、所述开关K2的第一端,所述开关K1的第二端连接所述负载电阻RL1的第一端,所述开关K2的第二端连接所述负载电阻RL2的第一端,所述ADC采样模块的第二端、所述负载电阻RL1的第二端、所述负载电阻RL2第二端合路后接地,所述处理器连接所述ADC采样模块和所述系统通信模块,所述IC芯片连接所述系统通信模块;所述方法包括:控制所述开关K1和所述K2断开,使输出空载;通过所述系统通信模块设置所述IC芯片的内部输出电压寄存器的值为VREG1,然后通过所述ADC采样模块得到当前实际输出电压VO1;通过所述系统通信模块设置所述IC芯片的所述内部输出电压寄存器的值为VREG2,然后通过所述ADC采样模块得到当前实际输出电压为VO2;通过预设公式计算得到待校准的电压参数Voffset、Vstep的校准值。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,通过预设公式计算得到待校准的电压参数Voffset、Vstep的校准值,包括:通过如下公式计算得到待校准的电压参数Voffset、Vstep的校准值:Vstep=(VO2-VO1)
÷
(VREG2-VREG1),Voffset=VO1-[(VO2-VO1)
÷
(VREG2-VREG1)]
×
VREG1,其中,所述IC芯片的实际输出电压Vo与所述IC芯片的所述内部输出电压寄存器的值VREG满足第一线性关系,所述内部输出电压寄存器的值对应所述IC芯片的内部基准电压,所述第一线性关系满足如下公式:VO=Voffset+Vstep
×
VREG,其中,Voffset为所述内部输出电压寄存器的漂移,Vstep为所述内部输出电压寄存器的电压步长。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:通过所述系统通信模块设置所述IC芯片的所述内部输出电压寄存器的值为VREG3;设置所述IC芯片的内部输出电流寄存器的值为最大值,闭合所述开关K1,断开所述开关K2,然后通过所述ADC采样模块得到当前实际输出电压为VO3,通过如下公式计算得到当前实际输出电流IO1:IO1=VO3
÷
RL1,
设置所述IC芯片的所述内部输出电流寄存器,逐档减小并采集输出电压,直到当前输出电压减小或完全关闭即触发过流保护动作,得到当前设置的所述内部输出电流寄存器的值IREG1,所述当前设置的所述内部输出电流寄存器的值IREG1对应当前输出电流的过流保护OCP点;设置所述IC芯片的所述内部输出电流寄存器的值为最大值,断开所述开关K1,闭合所述开关K2,然后通过所述ADC采样模块得到当前实际输出电压为VO4,通过如下公式计算得到当前实际输出电流IO2:IO2=VO4
÷
RL2,设置所述IC芯片的所述内部输出电流寄存器,逐档减小并采集输出电压,直到当前输出电压减小或完全关闭即触发过流保护动作,得到当前设置的所述内部输出电流寄存器的值IREG2,所述当前设置的所述内部输出电流寄存器的值IREG2对应当前输出电流的过流保护OCP点;通过如下公式计算得到待校准的电流参数IOffset、Istep的校准值:Istep=(IO2-IO1)
÷
(IREG2-IREG1),IOffset=IO1-...

【专利技术属性】
技术研发人员:丁淼
申请(专利权)人:深圳英集芯科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1