该实用新型专利技术提出了一种半导体清洗装置和半导体设备，所述半导体清洗装置包括：清洗槽，所述清洗槽具有用于容纳晶圆的清洗空间；升降架，所述升降架设在所述清洗空间内以用于承载所述晶圆且沿上下方向可移动；清洗喷嘴，所述清洗喷嘴用于向所述升降架喷射清洗液以对所述升降架进行清洗。根据本实用新型专利技术实施例的半导体清洗装置能够提高升降架的清洗效果，减少升降架上附着杂质对晶圆的污染，以提高晶圆的良率和性能。良率和性能。良率和性能。
【技术实现步骤摘要】
半导体清洗装置和半导体设备
[0001]本技术涉及半导体
，具体涉及一种半导体清洗装置和半导体设备。
技术介绍
[0002]相关技术的半导体设备，尤其是对于湿法刻蚀工艺、化学机械研磨工艺等之后产生的聚合物层比较厚的机台，在对晶圆进行湿法刻蚀或清洗时，随着长时间的使用，槽内晶圆清洗液内会残留大量的聚合物杂质，升降架承载晶圆且会沉浸在晶圆清洗液中，这样，上述聚合物杂质则会附着在升降架，即使后续后更换晶圆清洗液，但升降架上的聚合物杂质并不会随旧的晶圆清洗液排出，在该升降架与后续的晶圆接触上时，在接触部位处，附着在升降架上的聚合物则会污染晶圆，在晶圆上形成special map(特殊图案)，极可能对一些关键制程(key layer)的良率和电性造成较大影响。
技术实现思路
[0003]本技术的目的在于提供一种半导体清洗装置，所述半导体清洗装置能够清洗升降架，以减少升降架的杂质附着量，从而有效缓解升降架对晶圆的接触污染，提高晶圆的良率。
[0004]根据本技术实施例的半导体清洗装置，包括：清洗槽，所述清洗槽具有用于容纳晶圆的清洗空间；升降架，所述升降架设在所述清洗空间内以用于承载所述晶圆且沿上下方向可移动；清洗喷嘴，所述清洗喷嘴用于向所述升降架喷射清洗液以对所述升降架进行清洗。
[0005]根据本技术的一些实施例，所述半导体清洗装置还包括气体喷嘴，所述气体喷嘴用于向所述升降架喷气对清洗后的所述升降架进行干燥。
[0006]根据本技术的一些实施例，所述气体喷嘴为多个且形成为多组，多组所述气体喷嘴环绕所述升降架的周向分布，每组所述气体喷嘴为至少两个且沿上下方向间隔开设置。
[0007]根据本技术的一些实施例，所述清洗喷嘴和所述气体喷嘴设在所述清洗空间的侧壁上。
[0008]根据本技术的一些实施例，所述清洗空间的侧壁形成有容纳所述清洗喷嘴和所述气体喷嘴的凹槽，所述清洗喷嘴和所述气体喷嘴朝向所述清洗空间的一侧不超出所述清洗空间的内壁面。
[0009]根据本技术的一些实施例，所述清洗喷嘴为多个，多个所述清洗喷嘴环绕所述升降架的周向间隔开设置。
[0010]根据本技术的一些实施例，所述半导体清洗装置还包括驱动装置，所述驱动装置与所述清洗喷嘴相连，以驱动所述清洗喷嘴环绕所述升降架的周向可移动。
[0011]根据本技术的一些实施例，所述清洗喷嘴可旋转地设在所述清洗空间内，以在所述升降架沿上下方向移动时能够随所述升降架转动并朝向所述升降架喷射清洗液。
[0012]根据本技术的一些实施例，所述半导体清洗装置还包括：控制器；所述控制器用于控制所述清洗喷嘴的开关以及所述清洗空间内晶圆清洗液的排放；时间检测器，所述时间检测器用于监测所述清洗空间内晶圆清洗液的排放时间，所述控制器根据所述时间检测器监测的排放时间来控制所述清洗喷嘴来喷射清洗液。
[0013]本技术还提出了一种半导体设备，包括上述实施例的半导体清洗装置。
[0014]由此根据本技术实施例的半导体设备和半导体清洗装置，通过设置清洗喷嘴，可定期对升降架进行清洗，从而能够减少升降架上的杂质附着量，以有效缓解升降架上的杂质对晶圆的污染，提高良率。
附图说明
[0015]图1为根据本技术实施例的半导体清洗装置的一个时间段的结构示意图；
[0016]图2为根据本技术实施例的半导体清洗装置的另一个时间段的结构示意图；
[0017]图3为根据本技术实施例的半导体清洗装置的又一个时间段的结构示意图。
[0018]附图标记：
[0019]100：半导体清洗装置；
[0020]1：升降架；
[0021]21：清洗喷嘴，22：气体喷嘴；
[0022]31：晶圆清洗液，32：升降架的清洗液；
[0023]41：清洗槽，42：清洗空间。
具体实施方式
[0024]以下结合附图和具体实施方式对本技术提出的一种半导体清洗装置作进一步详细说明。
[0025]下面参见附图描述根据本技术实施例的半导体清洗装置100。
[0026]如图1
‑
图3所示，根据本技术实施例的半导体清洗装置100可以包括清洗槽41、升降架1和清洗喷嘴21。清洗槽41具有用于容纳晶圆的清洗空间42，清洗空间42内可容纳有用于清洗晶圆的晶圆清洗液31，晶圆清洗液31例如为酸性溶液、碱性溶液等，晶圆置于清洗空间42内通过晶圆清洗液31对晶圆进行清洗，需要说明的是，这里的清洗是指晶圆在制备过程中对其产生的残留聚合物的清洗去除，例如在晶圆进行湿法刻蚀工艺后，对晶圆进行清洗以去除刻蚀残留的聚合物。
[0027]升降架1设在清洗空间42内以用于承载晶圆且至少沿上下方向可移动，具体地，升降架1至少沿上下方向可移动地设在清洗空间42内，这样在晶圆传输过程中，升降架1向上移动以承接晶圆，然后升降架1承载晶圆并向下移动以使得晶圆沉浸在晶圆清洗液31内，从而便于晶圆的传输和清洗。
[0028]由于升降架1用于承载晶圆，升降架1部分结构与晶圆接触，晶圆在进行清洗时，升降架1沉浸在晶圆清洗液31中，晶圆清洗液31中残留的聚合物等杂质会附着在升降架1上，由此升降架1再次承载晶圆时，升降架1与晶圆接触，在接触部位处，附着在升降架1上的聚合物等杂质会对承载的晶圆造成污染且不易被清洗，并在晶圆上形成特殊图案，从而会对晶圆的一些关键制程(key layer)的良率和电性造成较大影响。
[0029]清洗喷嘴21用于向升降架1喷射清洗液32以对升降架1进行清洗，具体地，升降架1在使用一定时间后，可通过清洗喷嘴21喷射清洗液32来对升降架1进行清洗，这样通过定期对升降架1进行清洗，从而能够减少升降架1上杂质的附着量，提高升降架1的清洗效果，，从而有效缓解升降架1上杂质对晶圆的污染。需要说明的是，这里的清洗液32指的是用于对升降架1清洗的清洗液32，例如所述清洗液32可以为水，从而能够减少对清洗空间42的污染，也能够减小对清洗空间42内的晶圆清洗液31造成污染。
[0030]可选地，对清洗喷嘴21的设置，清洗喷嘴21可设在清洗空间42内，其中在升降架1置于清洗空间42的底部时，清洗喷嘴21位于升降架1的上方，由于升降架1沿上下方向可移动，在对升降架1进行清洗之前，升降架1位于清洗喷嘴21的下方，需要说明的是，这里的下方可以指升降架1位于清洗喷嘴21的正下方或斜下方。清洗喷嘴21对升降架1喷射清洗液32开始对其进行清洗，在清洗过程中，升降架1可缓慢上升，清洗喷嘴21可持续喷射清洗液32来对升降架1进行清洗。
[0031]进一步地，清洗空间42内的晶圆清洗液31需要进行定期更换以保证清洗效果，清洗喷嘴21可在晶圆清洗液31进行更换的过程中对升降架1进行清洗，这样不仅不需要半导体清洗装置100停机来对升降架1进行清洗，减少停机时间，提高半导体清洗装置100的工作时间，而且在晶圆清洗液本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体清洗装置，其特征在于，包括：清洗槽，所述清洗槽具有用于容纳晶圆的清洗空间；升降架，所述升降架设在所述清洗空间内以用于承载所述晶圆且至少沿上下方向可移动；清洗喷嘴，所述清洗喷嘴用于向所述升降架喷射清洗液以对所述升降架进行清洗。2.根据权利要求1所述的半导体清洗装置，其特征在于，还包括气体喷嘴，所述气体喷嘴用于向所述升降架喷气对清洗后的所述升降架进行干燥。3.根据权利要求2所述的半导体清洗装置，其特征在于，所述气体喷嘴为多个且形成为多组，多组所述气体喷嘴环绕所述升降架的周向分布，每组所述气体喷嘴为至少两个且沿上下方向间隔开设置。4.根据权利要求2所述的半导体清洗装置，其特征在于，所述清洗喷嘴和所述气体喷嘴设在所述清洗空间的侧壁上。5.根据权利要求4所述的半导体清洗装置，其特征在于，所述清洗空间的侧壁形成有容纳所述清洗喷嘴和所述气体喷嘴的凹槽，所述清洗喷嘴和所述气体喷嘴朝向所述清洗空间的一侧不超出所述清洗空间的内壁面。6.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜明利，郑晓芬，雷康，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：
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