【技术实现步骤摘要】
具有虚磁壁的天线本申请要求2000年12月14日申请的,美国临时专利申请No.60/255,570的优先权,其内容在此合并作为参考。专利
本专利技术通常涉及天线,特别是用于控制移动通信设备的用户的组织中移动通信设备的天线的辐射的能量吸收比率(SAR)的设备和方法。专利技术背景关于与使用蜂窝电话有关的辐射危害的担心正日益增长。头痛、眩晕和疲劳的抱怨在蜂窝电话用户中很普遍。最近的研究已经表明长期接触蜂窝电话天线发射的射频(RF)辐射,由于干扰脑细胞活动,能导致严重的医学问题,可能导致脑癌。一些政府已经开始警告用户有关使用蜂窝电话的风险。最近,英国政府已经向父母建议限制他们的孩子使用蜂窝电话的时间。在美国以及其他国家,移动以及其他无线手机必须满足人体组织中最大能量吸收比率(SAR)水平的规定要求。有关蜂窝电话使用不利于健康结果的担心起于他们的天线能将大量RF能递送到非常小面积的用户大脑的事实。在许多情况下,-->在800-900Mhz频带中的由天线发射的超过70%的电磁能由人脑吸收。尽管将无线手机的射频发射分类为非电离的,但它们能以热的形式将能量传送到任何吸收物。 ...
【技术保护点】
一种辐射屏蔽装置,包括虚磁壁(VMW),虚磁壁适合放在辐射天线和对象之间以便反射天线在指定频率内发射的并具有指定极化的电场的电磁辐射,以便由VMW反射的辐射的电场基本上与在VMW上入射的发射辐射的电场同相。
【技术特征摘要】
US 2000-12-14 60/255,5701、一种辐射屏蔽装置,包括虚磁壁(VMW),虚磁壁适合放在辐射天线和对象之间以便反射天线在指定频率内发射的并具有指定极化的电场的电磁辐射,以便由VMW反射的辐射的电场基本上与在VMW上入射的发射辐射的电场同相。2、如权利要求1所述的屏蔽装置,其特征在于VMW适合于仿真全导磁表面。3、如权利要求1所述的屏蔽装置,其特征在于由VMW反射的辐射的磁场的切向分量与在VMW上入射的辐射的磁场的切向分量异相约180°。4、如权利要求1-3任何一个所述的屏蔽装置,其特征在于VMW由前表面和后表面组成,在它们之间定义至少一个具有在邻近指定频率内谐振的空腔。5、如权利要求4所述的屏蔽装置,其特征在于在VMW的前表面中形成至少一个开口进入空腔的缝隙。6、如权利要求5所述的屏蔽装置,其特征在于至少一个缝隙包括多个缝隙。7、如权利要求5所述的屏蔽装置,其特征在于响应发射的辐射的极化,定向至少一个缝隙。8、如权利要求5所述的屏蔽装置,其特征在于VMW进一步包括一个或多个跨过该至少一个缝隙耦合的集总电路元件。-->9、如权利要求4所述的屏蔽装置,其特征在于该至少一个空腔包括多个空腔。10、如权利要求4所述的屏蔽装置,其特征在于VMW包括一个或多个位于该至少一个空腔中以便提高空腔的电容的肋片。11、如权利要求10所述的屏蔽装置,其特征在于在通常垂直于VMW的表面的方向上定向一个或多个肋片中的至少一个。12、如权利要求10所述的屏蔽装置,其特征在于在通常平行于VMW的表面的方向上定向一个或多个肋片中的至少一个。13、如权利要求4所述的屏蔽装置,其特征在于VMW包括包含在该至少一个空腔中的介电或磁性材料。14、如权利要求1-3任何一个所述的屏蔽装置,其特征在于VMW包括电感器和电容器的一阵列,被配置以形成在指定频率附近发生谐振的一个或多个电路。15、如权利要求13所述的屏蔽装置,其特征在于该阵列包括一个或多个在其中具有间隔的电感线圈,这些间隔确定了这些电容器。16、如权利要求1-3任何一个所述的屏蔽装置,其特征在于VMW包括在其中具有周期波纹的表面,这些周期波纹被配置以阻止电流在表面上流动。17、如权利要求1-3任何一个所述的屏蔽装置,其特征在于VMW包括一表面以及一个或多个缩短的传输线,该传输线在表面处具有输入端并且配置成在输入端处呈现为开路。18、如权利要求17所述的屏蔽装置,其特征在于传输线包括折-->叠传输线。19、如权利要求17所述的屏蔽装置,其特征在于传输线包括弯曲传输线。20、如权利要求17所述的屏蔽装置,其特征在于传输线约为指定频带波长的四分之一。21、如权利要求1-3任何一个所述的屏蔽装置,其特征在于VMW包括具有在指定频带内谐振的结构,配置成响应入射辐射的开路谐振电路。22、如权利要求1-3任何一个所述的屏蔽装置,其特征在于指定频带在约800和900MHz之间。23、如权利要求1-3任何一个所述的屏蔽装置,其特征在于指定频带在约1800和1900MHz之间。24、一种用于个人通信设备的天线组件,包括:天线,耦合以便由该设备驱动从而发射在指定频带内并具有指定极化的电磁辐射;以及虚磁壁(VMW),位于天线和该设备的用户头部之间以便反射由天线发射的辐射远离头部,以便由VMW反射的辐射的电场基本上与在VMW上入射的发射辐射的电场同相。25、如权利要求24所述的组件,其特征在于VMW处于与天线相隔基本上小于辐射波长的四分之一的距离。26、如权利要求24所述的组件,其特征在于VMW适合于仿真全导磁表面。-->27、如权利要求24所述的组件,其特征在于由VMW反射的辐射的磁场的切向分量与在VMW上入射的辐射的磁场的切向分量异相约180°。28、如权利要求24-27任何一个所述的组件,其特征在于VMW由前表面和后表面组成,在它们之间定义至少一个在指定频率附近发生谐振的空腔。29、如权利要求28所述的组件,其特征在于在VMW的前表面中形成至少一个开口进入空腔的缝隙。30、如权利要求29所述的组件,其特征在于该至少一个缝隙包括多个缝隙。31、如权利要求29所述的组件,其特征在于响应发射的辐射的极化,该至少一个缝隙被定向。32、如权利要求29所述的组件,其特征在于VMW进一步包括一个或多个跨过该至少一个缝隙耦合的集总电路元件。33、如权利要求28所述的组件,其特征在于该至少一个空腔包括多个空腔。34、如权利要求28所述的组件,其特征在于VMW包括一个或...
【专利技术属性】
技术研发人员:阿舍佩莱德,埃胡德海曼,本蔡恩斯坦伯格,拉斐尔卡斯特纳,阿米尔博格,
申请(专利权)人:爱克斯兰特有限公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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