一种低电磁吸收比的天线制造技术

本实用新型专利技术提供了一种低电磁吸收比的天线，包括接地单元、第一辐射单元、第二辐射单元和馈电单元，其中，所述接地单元的一端与所述第一辐射单元连接，所述接地单元的另一端与所述第二辐射单元连接，所述接地单元、第一辐射单元、第二辐射单元围合成具有开口的框形，所述馈电单元位于所述框形之内，所述开口位于所述第一辐射单元、第二辐射单元之间。本实用新型专利技术的有益效果是: 可通过馈电单元分别与所述第一辐射单元、第二辐射单元形成耦合，实现辐射能量的平均分布，达到低电磁吸收比的目的。

【技术实现步骤摘要】
201620078964

【技术保护点】
一种低电磁吸收比的天线，其特征在于：包括接地单元、第一辐射单元、第二辐射单元和馈电单元，其中，所述接地单元的一端与所述第一辐射单元连接，所述接地单元的另一端与所述第二辐射单元连接，所述接地单元、第一辐射单元、第二辐射单元围合成具有开口的框形，所述馈电单元位于所述框形之内，所述开口位于所述第一辐射单元、第二辐射单元之间。

【技术特征摘要】
1.一种低电磁吸收比的天线，其特征在于：包括接地单元、第一辐射单元、第二辐射单元和馈电单元，其中，所述接地单元的一端与所述第一辐射单元连接，所述接地单元的另一端与所述第二辐射单元连接，所述接地单元、第一辐射单元、第二辐射单元围合成具有开口的框形，所述馈电单元位于所述框形之内，所述开口位于所述第一辐射单元、第二辐射单元之间。2.根据权利要求1所述的低电磁吸收比的天线，其特征在于：所述馈电单元为T型，所述馈电单元包括馈电部和自所述馈电部的顶端往相反方向延伸的第一激发单元、第二激发单元，所述馈电部垂直于所述第一激发单元、第二激发单元，所述第一激发单元与所述第一辐射单元形成耦合，所述第二激发单元与所述第二辐射单元形成耦合，第一激发单元、第二激发单元形成平衡式馈入。3.根据权利要求2所述的低电磁吸收比的天线，其特征在于：所述馈电部的底端设有馈电点。4.根据权利要求3所述的低电磁吸收比的天线，其特征在于：所述接地单元为直线状，所述接地单元的中点设有短路点，所述接地单元分别与所述第一激发单元、第二激发单元相平行。5.根据权利要求4所述的低电磁吸收比的天线，其特征在于：所述第一辐射单元包括与所述接地单元连接的第一连接体和与所述第一连接体连接的第一辐射单体，所述第一连接体垂直于所述接地单元，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：张南，陈建勋，粘明源，陈奕君，邓佩玲，
申请(专利权)人：北京海杭通讯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11