一种新型高密度半导体引线框架结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种新型高密度半导体引线框架结构，其子单元排布结构合理，可提升引线框架排布密度及空间利用率，同时可提高生产效率，其包括边框、以行列式阵列结构排布的若干子单元、横向连筋，每排包括至少两个子单元，每个子单元包括金属基岛、与金属基岛相邻分布的引脚，相邻两排行向的子单元通过横向连筋首尾连接，行列阵列中行向为X向，列向为Y向，X向行数≥4，Y向列数≥28，边框的长度为300

【技术实现步骤摘要】
一种新型高密度半导体引线框架结构


[0001]本技术涉及半导体框架
，尤其涉及一种新型高密度半导体引线框架结构。

技术介绍

[0002]引线框架作为集成电路封装的关键构件，起着支撑、承载芯片的作用，其借助于键合材料(金丝、银丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，是连接芯片与外部电路的桥梁。随着集成电路的发展，引线框架的要求也随之不断提高，引线框架需具备优良的导电性、导热性、高强度等特性，才能确保半导体器件稳定工作。
[0003]在半导体器件加工过程中，常将若干芯片及其引脚以阵列方式排布于框架上，封装后再对框架进行切割，将各个成型的单个半导体器件分离，图1为现有的TO系列引线框架结构，各个子单元(每个子单元均包括基岛、芯片、引脚)的排布方式以双排或者四排为主，相邻两排框架上的子单元为镜像对称结构，两排子单元之间通过连筋连接，或通过第三引脚223连接，见图2、图3第三引脚为具有连接筋作用的连接引脚，该引脚为“海鸥脚形”的折弯结构，后续封装完成后，不具有使用功能，该第三引脚的设置占据了一定的排布空间，制约了引线框架的密度提升。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中存在的引线框架上的子单元排布不合理，制约了引线框架的密度提升，生产效率低的问题，本技术提供一种新型高密度半导体引线框架结构，其子单元排布结构合理，可提升引线框架排布密度及空间利用率，同时可提高生产效率。
[0005]为实现以上技术目的，本技术的技术方案是：
[0006]一种新型高密度半导体引线框架结构，包括呈行列阵列式排布的边框、以行列阵列式结构排布于所述边框的若干子单元，每排包括至少两个子单元，每个所述子单元包括金属基岛、与所述金属基岛相邻分布的引脚，其特征在于，其还包括横向连筋，相邻两排行向的所述子单元的边框通过所述横向连筋首尾连接，具体连接方式为：一行所述子单元的下端通过所述横向连筋与相邻一行的所述子单元的上端相连接，所述行列阵列中行向为X向，列向为Y向，X向行数≥4，Y向列数≥28；所述边框的长度为300
±
0.1mm，宽度为100
±
0.1mm。
[0007]其进一步特征在于，
[0008]所述金属基岛和引脚呈上下分布结构，同一所述子单元中，所述金属基岛位于所述子单元的上部，所述引脚位于所述子单元的下部；
[0009]所述引脚的底面与所述金属基岛的下表面位于同一平面；
[0010]其还包括纵向连筋，每两列所述子单元构成一个列单元，相邻两排列向的所述列单元在竖直方向通过所述纵向连筋连接，每个所述纵向连筋的一侧端与所述边框的上边框连接，另一侧端与所述边框的下边框连接，所述纵向连筋的中部与经过的横向连筋连接；
[0011]作为优选，每个所述子单元中，所述金属基岛的数量为一个或者两个，所述引脚的数量为至少两个。
[0012]作为优选，所述金属基岛上设有两个向外沿伸的耳朵结构，所述耳朵结构外露在封装体外。
[0013]从以上描述可以看出，本技术具备以下优点：
[0014]本技术结构中相邻两排行向的子单元首尾连接，相邻两排行向的子单元中，一行子单元的下端与另一行子单元的上端连接，相邻两排列向的子单元中，一列子单元的左端与另一列子单元的右端连接，两排行向的子单元之间无需设置第三引脚，第三引脚的减少，不仅节约了材料，而且减少了占据的排布空间，提升了引线框架排布密度及空间利用率，提高了生产效率。
[0015]引脚与金属基岛为共面设计，即引脚的底端与金属基岛的下表面位于同一竖直面上，有效缩短了引脚的长度，减少了铜材的使用量，相比现有的引线框架在单位面积内能容纳更多的子单元结构，进一步提高了引线框架中子单元的排布密度和生产效率。
附图说明
[0016]图1是现有的TO系列引线框架结构示意图；
[0017]图2是图1中单个子单元放大的俯视结构示意图；
[0018]图3是图1中单个子单元的左视结构示意图；
[0019]图4是本技术引线框架的结构示意图；
[0020]图5是图4的局部放大图；
[0021]图6是本技术单个子单元及边框放大的俯视结构示意图；
[0022]图7是本技术单个子单元的左视结构示意图。
具体实施方式
[0023]结合图4
‑
7，详细说明本技术的一个具体实施例，但不对本技术的权利要求做任何限定。
[0024]如图4所示，一种新型高密度半导体引线框架结构，包括边框1、呈矩阵式排列的256个子单元2，每个子单元2包括金属基岛21、引脚22、分布于金属基岛21的芯片，芯片焊接或贴装于金属基岛21上，每个子单元的金属基岛21和引脚22呈上下结构分布，即同一子单元中，金属基岛21位于子单元1的上部，引脚22位于子单元1的下部，芯片与引脚之间通过金属键合线连接，金属键合线选自铜线、铝线、铝带或铜带等的任意一种；本实施例中，金属基岛21的数量为一个，引脚22的数量为两个，且两个引脚22呈左右分布结构。引脚22的背面与金属基岛21的背面共面。
[0025]相邻行向的子单元2之间在水平方向通过横向连筋3连接，每个横向连筋3的一侧端均与左边框13连接，另一侧端均与边框1的右边框14连接；
[0026]相邻列向的子单元2之间隔开，每两列子单元2构成一个列单元5，相邻的列单元5在竖直方向通过纵向连筋4连接，每个纵向连筋4的顶端均与上边框11连接，中部与经过的横向连筋3连接，纵向连筋4的底端与下边框12连接。
[0027]金属基岛的两侧设有两个向外沿伸的耳朵结构25，采用封装体对金属基岛、芯片
及部分引脚封装后，耳朵结构25外露在封装体外，耳朵的作用是防止塑封时溢胶。
[0028]横向连筋3、纵向连筋4的中部分别开有若干间隔分布的通孔，通孔的设置减小了切割时的应力，以便于后续切筋操作。
[0029]如图5所示，为图4左上角部分的局部放大图，图中阴影部分为通孔或镂空结构。
[0030]如图6、图7所示，为本技术一个子单元2的结构示意图，在一个子单元2中，引脚22的背面与金属基岛21的背面位于同一竖直面上(即共面)，这种共面结构使得经过后续塑封工艺后，引脚无需经过打弯脚工序，可以直接外露于塑封体背面，该引脚较之传统的直插型设计或者海鸥脚型设计，变得更短，并且呈现一种贴片式的平脚结构。这种设计方式，不仅缩短了引脚所需的长度，减少了铜材的使用量，同时由于引脚设计所需空间变小，使得引线框架(即边框)的设计空间得以提升，而且在同等框架面积内，能够容纳的更多子单元结构，引线框架排列密度更高，大大提高了生产效率。
[0031]将本技术应用于半导体器件实际生产加工中，本实施例中，行列阵列中行向为X向，列向为Y向，X向的子单元的行数为8行，Y向的子单元的列数为32列；边框1的长度为300
±
0.1mm，宽度为100
±
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型高密度半导体引线框架结构，包括边框、以行列式阵列结构分布于所述边框内的若干子单元，每排包括至少两个子单元，每个所述子单元包括金属基岛、与所述金属基岛相邻分布的引脚，其特征在于，其还包括横向连筋，相邻两排行向的所述子单元通过所述横向连筋首尾连接，所述行列式阵列中行向为X向，列向为Y向，X向行数≥4，Y向列数≥28，所述边框的长度为300
±
0.1mm，宽度为100
±
0.1mm。2.根据权利要求1所述的一种新型高密度半导体引线框架结构，其特征在于，所述金属基岛和引脚呈上下分布结构，同一所述子单元中，所述金属基岛位于所述子单元的上部，所述引脚位...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱袁正，
申请(专利权)人：无锡电基集成科技有限公司，
类型：新型
国别省市：