一种半导体器件制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体器件，其包括：外壳、第一框架、第二框架、铜片、芯片；所述第一框架包括第一引脚；所述第二框架包括承载芯片的基岛、以及与所述基岛连接的第二引脚；所述铜片的第一端与所述第一框架焊接，所述芯片的第一表面的第一电极与所述铜片的第二端焊接，所述芯片的第二表面的第二电极与所述基岛焊接。采用铜片键合的工艺可以获得更低的封装电阻、更高的通流能力和更好的导热性能。更高的通流能力和更好的导热性能。更高的通流能力和更好的导热性能。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件


[0001]本技术涉及半导体器件领域，具体涉及一种采用条带键合工艺的半导体器件。

技术介绍

[0002]半导体领域，传统的引线键合(Wire Bonding)工艺，封装电阻大，散热性能差，且常出现引线断裂、引线向下凹、腐蚀、键合质量低、可靠性差、芯片生产制造过程效率低下、生产成本高等问题，降低企业竞争力。
[0003]传统的引线键合(Wire bonding)工艺引线脚焊接处需要镀银，无形中增加了生产成本。另一方面，采用传统的金丝、银丝、铜丝作为引线，连接芯片、引脚，导热能力、通流能力均有所欠缺，且，封装电阻较大。
[0004]另外，目前对封装尺寸的要求越来越高，要求芯片可以做到尽可能的薄，即追求更小的封装尺寸。这对半导体封装领域无疑是一个新的挑战。封装中锡膏厚度的不可控，可能会导致芯片毁坏和芯片倾斜的问题，从而影响芯片质量；同时，锡膏厚度的控制(BLT
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bond line thickness)也是影响芯片厚度是否可控的一个重要因素。
[0005]如何解决上述技术问题成为亟待解决的问题本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：外壳、第一框架、第二框架、铜片、芯片；所述第一框架包括第一引脚；所述第二框架包括承载芯片的基岛、以及与所述基岛连接的第二引脚；所述铜片的第一端与所述第一框架焊接，所述芯片的第一表面的第一电极与所述铜片的第二端焊接，所述芯片的第二表面的第二电极与所述基岛焊接。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述铜片的第一端与所述第一引脚之间包括第一焊接层；所述芯片的第一表面与所述铜片的第二端之间包括第二焊接层；所述芯片的第二表面与所述基岛之间包括第三焊接层；所述第二焊接层、第三焊接层包括熔点高于焊料熔点的支撑件。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述支撑件为金属球体。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述铜片的第一端位于所述第一引线框架 之上。5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐银森，张秋月，徐智浩，
申请(专利权)人：四川遂宁市利普芯微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：