用于TD-SCDMA系统的嵌入式高互调环行器技术方案

本实用新型专利技术公开了一种用于ＴＤ－ＳＣＤＭＡ系统的嵌入式高互调环行器，包括：铁质腔体、两片微波铁氧体、中心导体、屏蔽片、永磁体、匀磁片、第一温度补偿片、第二温度补偿片和盖板，中心导体夹在两片微波铁氧体中间，中心导体的三根引线被引到铁质腔体之外，屏蔽片、永磁体、匀磁片、第一温度补偿片、第二温度补偿片依次叠放在第二微波铁氧体之上，其特征在于：所述铁质腔体为一体化腔体，所述盖板上具有外螺纹，在所述铁质腔体的上部开口的内侧具有与盖板上的外螺纹相配合的螺纹，盖板可旋进铁质腔体并固定在铁质腔体的开口处。本实用新型专利技术的用于ＴＤ－ＳＣＤＭＡ系统的嵌入式高互调环行器磁路闭合好，漏磁小，互调性与可靠性提高。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种嵌入式高互调环行器，尤其是涉及一种用于TD-SCDMA系统的嵌入式高互调环行器，属于微波铁氧体
，在TD-SCDMA系统基站和移动台系统中主要作收、发信机的共用装置；在发射和接收系统作功率放大器、开关放大器的输入、输出隔离；在测量系统中起去耦作用。
技术介绍
无源互调(Passive Inter-Modulation),简称PIM，是由无源器件中的非线性因素所产生的，在大功率、多信道系统中，无源器件(包括环行器)的非线性因素会使得各工作频率混合产生一组新的频率，其最终结果就是在空中产生一组无用的频谱而影响正常的通信。图1为现有技术中的隔离器的工作原理图；图2为现有技术中的三端结环行器的工作原理图。隔离器是一个两端口器件，信号从输入端a到输出端b,传输的能量衰减较小，而信号从输出端b到输入端a则是高衰减，被隔离器负载吸收。理想的三端结环行器的设计概念基于散射矩阵理论，散射矩阵建立了结的入射波和反射波之间的关系。三端结环行器由 一个旋磁铁氧体加载的中心区域和三个与之相耦合的传输线组成，通过改变旋磁铁氧体的尺寸大小、饱和磁矩、介电常数、外加恒磁场和中心导体的形状尺寸来改变散射矩阵的本征值，形成环行器。对于理想三端结环行器，c端口输入的电磁波只能从d端口输出；d端口输入的电磁波只能从e端口输出；而e端口输入的电磁波只能从c端口输出。隔离器是从三端口环行器引伸而来，只是在一个端口加上匹配负载(小反射终端负载)而成。环行器和隔离器可做成同轴、微带、带线、波导等多种形式，用于各种电磁波传输系统中。图3为采用环行器的双工系统工作原理图。环行器和上行带通滤波器BPFa、下行带通滤波器BPFb组合，用于发射-天线-接收系统。这种双工系统是异频收发系统，以区别于雷达技术中ATR同频双工器。图3中T为发射机,R为接收机，ANT为天线。图4为现有的嵌入式环行器的结构示意图。用分立的导磁材料做外壳，第一导磁材料1用粘合剂胶合于腔体2处。在腔体2内依次装入第一微波铁氧体3a(不带陶瓷环介质)、中心导体4，第二微波铁氧体3b、导磁圆片5、导磁圆片6、温度补偿片7和永磁体8，上、下两侧分别为第二导磁材料9和第三导磁材料10，第二导磁材料9和第三导磁材料10分别用螺钉固定在腔体2上。永磁体为铁氧体提供偏置磁场，中心导体有三个引出端点，分别被引到腔体2的三个端口之外。此结构由多块导磁材料用粘合剂和螺钉固定在腔体上，与腔体构成磁回路。这种结构加工耗材大，磁路不完全闭合，漏磁较大，抗外界干扰能力较差，磁路效率低，器件整体温度性能较差，归一化内场一般在1.5左右，互调性能较低，不能满足高互调系统的需求。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种互调性能高的用于TD-SCDMA系统的嵌入式高互调环行器；本技术所要解决的另一个技术问题是提供一种易于装配、成本较低，小插入损耗的用于TD-SCDMA系统的嵌入式高互调环行器。为解决上述技术问题，本技术提供一种用于TD-SCDMA系统的嵌入式高互调环行器，包括铁质腔体、第一微波铁氧体、第二微波铁氧体、中心导体、屏蔽片、永磁体、匀磁片、第一温度补偿片、第二温度补偿片和盖板，中心导体夹在两片微波铁氧体中间，中心导体的三根引线被引到铁质腔体之外，屏蔽片、永磁体、勻磁片、第一温度补偿片、第二温度补偿片依次叠放在第二微波铁氧体之上，其特征在于所述铁质腔体为一体化腔体，所述盖板上具有外螺紋，在所述铁质腔体的上部开口的内侧具有与盖板上的外螺紋相配合的螺紋，盖板可旋进铁质腔体并固定在铁质腔体的开口处。本技术所达到的有益效果与现有技术相比，本技术的用于TD-SCDMA系统的嵌入式高互调环行器由于采用^"体化腔体，所以磁路闭合好，漏磁小，互调性与可靠性提高。附图说明图l为现有技术中的隔离器的工作原理图2为现有技术中的三端结环行器的工作原理图；图3为采用环行器的双工系统的工作原理图；图4为现有的嵌入式环型器结构示意图5为本技术的用于TD-SCDMA系统的嵌入式高互调环行器的结构示意图6为本技术的用于TD-SCDMA系统的嵌入式高互调环行器装配完成后的外形图。具体实施方式图5为本技术的用于TD-SCDMA系统的嵌入式高互调环行器的结构示意图6为本技术的用于TD-SCDMA系统的嵌入式高互调环行器装配完成后的外形图。本技术的用于TD-SCDMA系统的嵌入式高互调环行器包括:铁质腔体2、第一微波铁氧体3a、第二微波铁氧体3b、中心导体4、屏蔽片ll、永磁体8、匀磁片12、第一温度补偿片7a、第二温度补偿片7b和盖板14，中心导体4夹在两片微波铁氧体中间，中心导体4的三根引线被引到铁质腔体2之外，屏蔽片、永磁体、匀磁片、第一温度补偿片、第二温度补偿片依次叠放在第二微波铁氧体3b之上，其特征在于所述铁质腔体2为一体化腔体，所述盖板14上具有外螺紋，在所述铁质腔体2的上部开口的内侧具有与盖板14上的外螺紋相配合的螺紋，盖板14可旋进铁质腔体2并固定在铁质腔体2的开口处。如此代替了原环行器的螺钉固定，外磁路用一体化的铁质腔体代替，大大简化了结构。作为本技术的进一步改进，还包括第一聚四氟乙烯介质环13a和第二聚四氟乙烯介质环13b,所述第一微波铁氧体3a套在第一聚四氟乙烯介质环13a中，第二微波铁氧体3b套在第二聚四氟乙烯介质环13b中。另外，本技术的用于TD-SCDMA系统的嵌入式高互调环行器的外型尺寸为19 mmxl9隱x8 mm，其基本工作频率范围为2010-20"MHz,并可以拓展至1. 7 ~ 2. 5GHz频带中任意一段。作为本技术的进一步改进，本技术的用于TD-SCDMA系统嵌入式高互调环行器的第一微波铁氧体和第二微波铁氧体的材料为石榴石材料，尺寸为①14. 7 mmxlmm，保证器件有较大的旋磁效应，不接触中心导体的一面焙银。另外中心导体、屏蔽片、匀磁片表面镀银，保证接地良好，减小器件的插入损耗。另外，本技术的用于TD-SCDMA系统嵌入式高互调环行器外加磁场为钐钴永磁体，即永磁体8为钐钴永磁体，既可保证器件高互调所需的强偏置场，又能提高器件的抗干扰能力。本技术的用于TD-SCDMA系统嵌入式高互调环行器在高场工作，归一化内场为2.4,远离铁氧体的共振场工作，保证器件能获得较高的互调值，互调为-87dBc,由于互调较高，减小了由器件的非线性对通讯系统的干扰。本技术的保护范围不限于具体实施例的范围，对所述实施例做出的不超过本技术思想范围内的变形与应用都属于本技术的保护范围。权利要求1. 一种用于TD-SCDMA系统的嵌入式高互调环行器，包括铁质腔体(2)、第一微波铁氧体(3a)、第二微波铁氧体(3b)、中心导体(4)、屏蔽片(11)、永磁体(8)、匀磁片(12)、第一温度补偿片(7a)、第二温度补偿片(7b)和盖板(14)，中心导体(4)夹在两片微波铁氧体中间，中心导体(4)的三根引线被引到铁质腔体(2)之外，屏蔽片、永磁体、匀磁片、第一温度补偿片、第二温度补偿片依次叠放在第二微波铁氧体(3b)之上，其特征在于所述铁质腔体(2)为一体化腔体，所述盖板(14)上具有外螺纹，在所述铁质腔体(2)的上部开口的内侧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于ＴＤ－ＳＣＤＭＡ系统的嵌入式高互调环行器，包括：铁质腔体（２）、第一微波铁氧体（３ａ）、第二微波铁氧体（３ｂ）、中心导体（４）、屏蔽片（１１）、永磁体（８）、匀磁片（１２）、第一温度补偿片（７ａ）、第二温度补偿片（７ｂ）和盖板（１４），中心导体（４）夹在两片微波铁氧体中间，中心导体（４）的三根引线被引到铁质腔体（２）之外，屏蔽片、永磁体、匀磁片、第一温度补偿片、第二温度补偿片依次叠放在第二微波铁氧体（３ｂ）之上，其特征在于：所述铁质腔体（２）为一体化腔体，所述盖板（１４）上具有外螺纹，在所述铁质腔体（２）的上部开口的内侧具有与盖板（１４）上的外螺纹相配合的螺纹，盖板（１４）可旋进铁质腔体（２）并固定在铁质腔体（２）的开口处。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：金国庆，
申请(专利权)人：南京广顺电子技术研究所，
类型：实用新型
国别省市：84[中国|南京]