电子器件金属图形的微加工方法技术

本发明专利技术公开了一种电子器件金属图形的微加工方法，包括：在作为基底的电子器件表面涂覆具有第一窗口的第一牺牲层；将可重复使用的掩模覆盖在第一牺牲层上，并使掩模上开设的第二窗口与第一窗口对应设置；在掩模上涂覆具有第三窗口的第二牺牲层，并使第三窗口与第二窗口对应设置；在第二牺牲层上沉积金属，并使部分的金属依次经过第三窗口、第二窗口和第一窗口沉积到基底表面形成金属图形；向第一窗口内注入第一溶剂，并以第一溶剂将第一牺牲层溶解去除，从而将所述掩模与基底分离。本实施例的微加工方法简单易操作，无需昂贵设备，成本低廉、绿色环保，具有广阔应用前景。具有广阔应用前景。具有广阔应用前景。

【技术实现步骤摘要】
电子器件金属图形的微加工方法


[0001]本专利技术涉及一种电子器件的制备方法，具体涉及一种电子器件金属图形的微加工方法。

技术介绍

[0002]在各类电子器件的制备工艺中，通常需要采用磁控溅射、金属蒸镀等工艺制作其电极，此类电极一般是具有特定的图形结构。目前主要是通过剥离技术，即使用光刻形成电极图案，再进行金属沉积，之后通过剥离等操作去除光刻胶而得到金属图形。这种方式一般需要形成光刻胶倒角。有研究人员提出了在电子器件形成多层光刻胶并进行多次光刻，然后进行金属沉积的技术，其可以控制倒角结构深度，使金属更易于剥离。但这种方式操作繁杂，需要重复进行光刻胶涂覆、光刻等操作，成本高且会产生大量废液，不利于环保。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的在于提供一种电子器件金属图形的微加工方法，以解决现有技术中存在的问题。
[0004]为实现上述专利技术目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0005]一种电子器件金属图形的微加工方法，其包括如下步骤：
[0006]S1、在作为基底的电子器件表面涂覆第一牺牲层，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子器件金属图形的微加工方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、在作为基底的电子器件表面涂覆第一牺牲层，并在所述第一牺牲层上开设第一窗口；S2、将可重复使用的掩模覆盖在第一牺牲层上，并使所述掩模上开设的第二窗口与第一窗口对应设置，所述第二窗口包括沿远离基底方向依次设置的第一空腔和第二空腔，所述第一空腔和第二空腔同轴设置且相互连通，所述第一空腔的直径大于第二空腔的直径；S3、在所述掩模上涂覆第二牺牲层，并在所述第二牺牲层上开设第三窗口，所述第三窗口与第二窗口对应设置；S4、在所述第二牺牲层上沉积金属，并使部分的金属依次经过第三窗口、第二窗口和第一窗口沉积到基底表面形成金属图形；S5、自所述第三窗口及第二窗口向第一窗口内注入第一溶剂，并以第一溶剂将第一牺牲层溶解去除，从而将所述掩模与基底分离。2.根据权利要求1所述的微加工方法，其特征在于，还包括：S6、将第二牺牲层及沉积在第二牺牲层上的金属从所述掩模上剥离，并对所述掩模进行清洁处理后再次使用。3.根据权利要求1所述的微加工方法，其特征在于，步骤S2中所述第一牺牲层由粘接剂形成，所述粘接...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄寓洋，范亚明，
申请(专利权)人：江西省纳米技术研究院，
类型：发明
国别省市：