微波低波段超微型功率合成器制造技术

微波低波段超微型功率合成器，其特征是电路组成包括树形结构的功分器、大于等于２的多路平衡放大器、树形结构的合路器，平衡放大器由一个ＩＣ放大器件和两个３ｄＢ正交电桥组成，功分器、合路器、平衡放大器中的３ｄＢ正交电桥以及平衡放大器中的ＩＣ放大器件的外围电路制作在陶瓷基片上，ＩＣ放大器件楔焊固定在陶瓷基片上。将射频功率合成器的电路制作在陶瓷基片上，ＩＣ放大器件楔焊固定在陶瓷基片上，电路一致性好，具有高增益、高集成度、高效率、体积小等优点，适合批量化生产，生产成本大大减小，适于在微波通讯领域中的基站发射机、小整机中应用。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

微波低波段超微型功率合成器所属
-本技术涉及一种微波通讯领域中的射频功率合成器，特别是一种高增益、高集 成度、高效率的微波低波段超微型功率合成器。技术背景微波通讯领域中的基站发射机、小整机等对输出功率要求较高，要求信号在发射时 要有足够大的功率，这样才能使信号传送足够远，使之覆盖某一区域。但靠单路功率放 大往往很难获得如此高的功率，这时就需要采用功率合成技术，功率合成就是由较小功 率组合成更大输出功率。目前，在射频功率合成器中为了获得足够大的增益，通常采用 多级放大的形式，有的需要外接电桥，这就使得产品体积较大，结构复杂，集成度不高。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，克服现有射频功率合成器的缺点，提供一种高 增益、高集成度、高效率的微波低波段超微型功率合成器。本技术解决其技术问题的技术方案是 一种微波低波段超微型功率合成器，其 特征是电路组成包括树形结构的功分器、大于等于2的多路平衡放大器、树形结构的合 路器，射频输入连接功分器的干输入端，功分器的梢输出端分别连接多路平衡放大器的 输入端，多路平衡放大器的输出端连接合路器的梢输入端，合路器的干输出端的输出即 为功率合成的射频输出；所述的平衡放大器由一个IC放大器件和两个3dB正交电桥 组成，IC放大器件的两个输入端分别连接第一个3dB正交电桥的耦合端、直通端，IC 放大器件的两个输出端分别连接第二个3dB正交电桥的耦合端、直通端，第一个3dB正交电桥的输入端为平衡放大器的输入端，第二个3dB正交电桥的输出端为平衡放大 器的输出端，两个3dB正交电桥的隔离端分别连接一个电阻后接地；所述的功分器、 合路器、平衡放大器中的3dB正交电桥以及平衡放大器中的IC放大器件的外围电路通 过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片上，IC放大器件楔焊固定在陶瓷基片上。本技术的有益效果如下电路功能为首先由功分器将射频信号分成多路经平衡 放大器进行功率放大后输出，再由合路器将射频信号合成为射频输出信号，放大的路数 根据增益大小以及功率大小而定。所设计的射频功率合成器电路通过超微细微带薄膜工 艺制作在陶瓷基片上，IC放大器件楔焊固定在陶瓷基片上，电路一致性好，具有高增益、高集成度、高效率、体积小等优点，适合批量化生产，生产成本大大减小，适于在 微波通讯领域中的基站发射机、小整机中应用。附图说明图1为本技术的电路原理图。图2为本技术实施例1四路功率合成器电原理图。 图3为本技术实施例1四路功率合成器电路版图。 图4为本技术实施例2八路功率合成器电原理图。 图5为本技术实施例2八路功率合成器电路版图。具体实施方式下面参照附图并结合实施例对本技术进行详细描述。但是本技术不限于所 给出的实施例。如图1所示，本技术微波低波段超微型功率合成器的电路组成包括树形结构的功分器GFll、 GFml—GFmn、 n路平衡放大器BPl—BPn、树形结构的合路器HL11 、 HLml—HLmn，射频输入RFin连接功分器的干输入端(即功分器GFll的输入端)，功分器的梢输出端(即功分器GFm1—GFmn的输出端)分别连接n路平衡放大器的输入 端，n路平衡放大器的输出端连接合路器的梢输入端(即合路器HLml—HLmn的输入 端)，合路器的干输出端(即合路器HLll的输出端)的输出即为功率合成的射频输出 RFout ;所述的平衡放大器BP1由一个IC放大器件PA1和两个3dB正交电桥Bll、 B12组成，IC放大器件PA1的两个输入端分别连接3dB正交电桥Bll的耦合端OH、 直通端ZT， IC放大器件PA1的两个输出端分别连接3dB正交电桥B12的耦合端OH、 直通端ZT， 3dB正交电桥Bll的输入端in为平衡放大器的输入端，3dB正交电桥 B12的输出端out为平衡放大器的输出端，3dB正交电桥B11、 B12的隔离端ISO分别 连接50欧姆电阻R11、 R12后接地；所述的功分器、合路器、平衡放大器中的3dB正 交电桥以及平衡放大器中的IC放大器件的外围电路通过超微细微带薄膜工艺制作在陶 瓷基片(图中未画出，参见图3、图5中的TJ)上，IC放大器件楔焊固定在陶瓷基片 上。如图2、图3所示，实施例l，由一个功分器GF、 一个合路器HL、两个平衡放大 器BP1、 BP2组成四路射频功率合成器。本例中，功分器GF、合路器HL、平衡放大器 中的3dB正交电桥Bll、 B12、 B21、 B22以及平衡放大器中的IC放大器件PA1 、 PA2 的外围电路通过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片TJ上，IC放大器件PA1、 PA2楔 焊固定在陶瓷基片TJ上。四路射频功率合成器的性能测试结果如表1所示。如图4、图5所示，实施例2，由三个功分器GFll、 GF21、 GF22、三个合路器HLll、 HL21、 HL22、四个平衡放大器BP1、 BP2、 BP3、 BP4组成八路射频功率合成器。本 例中功分器GFll、 GF21、 GF22、合路器HLll、 HL21、 HL22、平衡放大器BP1、 BP2、 BP3、 BP4中的3dB正交电桥以及四个平衡放大器中的IC放大器件的外围电路通过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片TJ上，IC放大器件楔焊固定在陶瓷基片上。例3，在例l、例2的基础上，依次类推，可以由四个功分器、四个合路器、八个平衡放大器组成十六路射频功率合成器，本例中四个功分器、四个合路器、八个平衡放大器中的3dB正交电桥以及八个平衡放大器中的IC放大器件的外围电路通过超微细微 带薄膜工艺制作在陶瓷基片TJ上，IC放大器件楔焊固定在陶瓷基片上。例4，在例l、例2 、例3的基础上，依次类推，可以由五个功分器、五个合路器、 十六个平衡放大器组成三十二路射频功率合成器，本例中五个功分器、五个合路器、十 六个平衡放大器中的3dB正交电桥电路以及十六个平衡放大器中的IC放大器件的外围 电路通过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片TJ上，IC放大器件楔焊固定在陶瓷基片 TJ上。实施例中，陶瓷基片TJ为介电常数9.9、厚度0.5mm的三氧化二铝陶瓷基片，IC 放大器件型号为alm-1222。<table>table see original document page 6</column></row><table>表l四路功率合成器性能测试结果权利要求1、微波低波段超微型功率合成器，其特征是电路组成包括树形结构的功分器、大于等于2的多路平衡放大器、树形结构的合路器，射频输入连接功分器的干输入端，功分器的梢输出端分别连接多路平衡放大器的输入端，多路平衡放大器的输出端连接合路器的梢输入端，合路器的干输出端的输出即为功率合成的射频输出；所述的平衡放大器由一个IC放大器件和两个3dB正交电桥组成，IC放大器件的两个输入端分别连接第一个3dB正交电桥的耦合端、直通端，IC放大器件的两个输出端分别连接第二个3dB正交电桥的耦合端、直通端，第一个3dB正交电桥的输入端为平衡放大器的输入端，第二个3dB正交电桥的输出端为平衡放大器的输出端，两个3dB正交电桥的隔离端分别连接一个电阻后接地；所述的功分器、合路器、平衡放大器本文档来自技高网...

【技术保护点】
微波低波段超微型功率合成器，其特征是电路组成包括树形结构的功分器、大于等于２的多路平衡放大器、树形结构的合路器，射频输入连接功分器的干输入端，功分器的梢输出端分别连接多路平衡放大器的输入端，多路平衡放大器的输出端连接合路器的梢输入端，合路器的干输出端的输出即为功率合成的射频输出；所述的平衡放大器由一个ＩＣ放大器件和两个３ｄＢ正交电桥组成，ＩＣ放大器件的两个输入端分别连接第一个３ｄＢ正交电桥的耦合端、直通端，ＩＣ放大器件的两个输出端分别连接第二个３ｄＢ正交电桥的耦合端、直通端，第一个３ｄＢ正交电桥的输入端为平衡放大器的输入端，第二个３ｄＢ正交电桥的输出端为平衡放大器的输出端，两个３ｄＢ正交电桥的隔离端分别连接一个电阻后接地；所述的功分器、合路器、平衡放大器中的３ｄＢ正交电桥以及平衡放大器中的ＩＣ放大器件的外围电路通过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片上，ＩＣ放大器件楔焊固定在陶瓷基片上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：庄昆杰，傅阳波，陈天佑，
申请(专利权)人：深圳国人通信有限公司，泉州雷克微波有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]