非互易电路元件制造技术

一种不可逆电路元件，其特征在于，它包括： 一个多层基片，由多个堆叠的绝缘层形成； 多个中心电极，在所述多层基片上在电气上彼此绝缘地交叉形成； 一个匹配电容，其多个电容部件堆叠在所述多层基片上，且与每一个所述中心电极连接； 一个磁体，面对所述中心电极设置； 一个磁铁，给所述磁体施加直流磁场。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及VHF(甚高频)、UHF(特高频)和SHF(超高频)诸频带中使用的一种不可逆电路元件，例如环行器或单向器;更具体地说，步及一种能加以小型化、减轻重量和降低造价的构件。
技术介绍
通常，象单向器或环行器之类只能在一个传输方向上让信号通过、防止信号反向传输的不可逆元件是诸如便携式电话或汽车电话之类的流动通信设备不可或缺的传输电路部件。在这类用途中，不可逆元件要求小型化和减轻重量。此外，为了激发需求量，须要降低造价。为满足这些要求，有人提出过一种配备有中心电极、匹配电路电极等的单向元件，这些电极都密集配置在绝缘基片上。图8和图9示出了具有这类结构的环行器的一个例子。图9示出了环行器的剖面结构，图8主要示出了绝缘基片的结构。一般的环行器100器包括配置在金属座101内的绝缘基片107～109、铁氧体构件104和磁铁106。铁氧体构件104通过接地板105与金属座101的底表面相连接。绝缘基片107～109配置的位置使设在其上的中心电极102面对着铁氧体构件104。此外，磁铁106粘附在金属座101的上部内表面，面对着各中心电极102。该磁铁106把直流磁场加到铁氧体构件104上。如图8所示，中心电极102、电容电极110和接地电极111都在由三个绝缘基片107至109组成的叠片中形成。这样的多层基片是通过下列工序制成的首先，将各陶瓷绿片烧制成相应的基片107～109，然后按一定的图形在相应基片107～109的一侧的主表面上形成中心电极102、电容电极110和接地电极111，同时按一定的图形在另一侧的主表面上形成接地电极112并烘干。接着，堆叠已配备有电极的绝缘基片107至109，并将它们压实。接下去，借助于通孔电极113将接地电极111和112彼此连接起来。各电容电极110都配备有外电极114，这些外电极与各输入/输出端子连接。在这种多层结构中，匹配电容由电容电极110、绝缘基片107至109和接地电极112形成。在一般的环行器中，匹配电容是在彼此相交的三个中心电极102周围形成，因而使整个元件小型化。但在上述结构中，由于要确保匹配电容的电容值，元件的小型化受到限制。就是说，匹配电容的电容值由电容电极110和接地电极112相对面的面积确定。因此，若所要求的电容值增加，必须增加电容电极110的电极面积。这样，绝缘基片107～109的基片面积也增加，从而使整个元件的体积增加。换句话说，元件的体积大小受到所要求电容值的限制。另外，一般的结构需要两个烧制工序来烧制各陶瓷绿片和烘干基片上呈一定图形的电极，从而提高了制造成本。此外，装配作业复杂，包括磁铁106、铁氧体构件104等在金属座101中的定位和固定，这些工序都是彼此独立的，因而使制造成本提高。专利技术目的本专利技术的目的是提供体积能加以缩小的一种不可逆电路元件。专利技术的公开内容按照本专利技术的广阔涉及面，本专利技术的不可逆电路元件包括一个多层基片、多个中心电极、一个匹配电容、一个磁体和一个磁铁。多层基片是将多层绝缘层彼此堆叠起来形成的。多个中心电极设置在多层基片中，在电气上彼此绝缘的状坊下彼此相交。匹配电容的多个电容部件在多层基片中堆叠着，与每一个中心电极相连接。磁体面对各中心电极设置。磁铁则用来将直流磁场加到各中心电极上。按照这种结构，只要适当调整堆叠在多层基片上的电容部件的数目就可以确保匹配电容所要求的电容值。这样就可以增加匹配电容的电容值而无须扩大多层基片平面区的面积，从而可以缩小不可逆电路元件的平面大小，进而使元件小型化。本专利技术的另一个目的是提供既可以小型化又可以降低造价的不可逆电路元件。在按本专利技术另一方面的不可逆电路元件中，多层基片是通过将彼此堆叠着的多层绝缘层烧固制成一个整体形成的。按照这种结构，通过一次烧制工序就可以使多层基片形成一个整体。因此，烧制工序的次数比上述一般不可逆电路元件少，因而降低制造成本。在按本专利技术另一方面的不可逆电路元件中，第一固定部分在多层基片上形成，用以将磁体面对着各中心电极固定就位，因而磁体是由这个第一固定部分固定的。按照这种结构，只要将磁体装设在多层基片的第一固定部分就可以自动设定磁体相对于中心电极的相对位置。这样就可以取消复杂的定位工序，从而降低制造成本。在按本专利技术的另一方面的不可逆电路元件中，在多层基片中还形成第二固定部分，用以将磁铁面对着各中心电极固定就位，因而磁铁是由这个第二固定部分固定的。按照这种结构，只要把磁铁装设在多层基片的第二固定部分上就能自动设定磁铁与各中心电极的位置关系。这样就可以取消复杂的定位工序，从而降低制造成本。本专利技术的上述多个中心电极也可以在多层基片的不同高度形成。在此情况下，上述多个中心电极可以在用整体烧制技术制取多层基片时在不同的绝缘层表面上形成。此外，上述中心电极还可以这样形成第一中心电极各部分配置在基片一个绝缘层的一个表面上，第二中心电极各部分配置在另一个表面上，各通孔导电部分在绝缘层中形成，用以将第一和第二中心电极各部分彼此电连接起来。在此情况下，上述通孔导电部分可以在用整体烧制技术制取多层基片时在一个绝缘层上形成，使第一和第二中心电极部分在绝缘层的上表面和下表面形成，或者可以令第一中心电极部分在设有通孔导电部分的绝缘层的一个表面上形成，使第二中心电极部分在另一绝缘层与该绝缘层另一表面接触的一个表面上形成。附图的简单说明图1是本专利技术第一实施例的一个环行器的部件分解斜视图，示出了环行器的结构。图2是图1环行器结构的剖视图。图3是本专利技术第一实施例的环行器中所设的多层基片结构的部件分解斜视图。图4是说明图3所示多层基片的结构的示意图。图5是示出本专利技术第二实施例环形器的结构的部件分解斜视图。图6是示出本专利技术第二实施例环形器的结构的剖视图。图7是说明本专利技术一个修改方案的环行器各主要部分的部件分解斜视图。图8是示出构成一般环行器的多层基片的结构的部件分解斜视图。图9是示出一般环行器的结构的剖视图。专利技术的最佳实施例现在，为了解本专利技术的内容，参照附图说明本专利技术不可逆电路元件的一些实施例。第一实施例图1至图4示出了本专利技术第一实施例集中参数式环行器的结构。参看图1，环行器1有一个多层基片3、一个下座2和一个上座6。下座2和上座6由磁性金属制成，两者分别从上下方向将多层基片3封包起来，形成盒形。多层基片3靠近上座6的上部分开有用以承接铁氧体构件4的第一凹口26和用以承接永久磁铁5的第二凹口25，多层基片3靠近下座2的两端则形成有凸出部分7、7。这些凸出部分7、7从上座6与下座2之间的间隙突出来，从而使外电极8a至8c和9a至9c在外部露出来，分别作为输入/输出端子和接地端子。环行器1装配到电路板上时，外电极8a至8c和9a至9c就与电极板上的电极线相连接。铁氧体构件4装在多层基片3的第二凹口25中。另一方面，永久磁铁5则装在铁氧体构件4上方的第二凹口25中，接地板27介于永久磁铁5与铁氧体构件4之间。如图3和图4中所示的那样，多层基片3是用整体烧制法烧制许多绝缘层形成的烧结体，烧结体中埋设有各电极。这里，为便于说明起见，将仍然处于未烧制的每一个绝缘层都用参考编号表示，说明各部分的结构。首先，参看图4，多层基片3主要分为六层，识别为L1～L6。第一层L1由例如两个第一绝缘片12构成，其上开有用以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：出弘基，长谷川隆，石浦丰，儿堂义一，松井博志，小川圭二，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：