耿氏二极管及其安装结构制造技术

在半导体基板上依次层叠有第１半导体层、活化层和第２半导体层的耿氏二极管，具有设于第２半导体层上的对活化层施加电压用的第１、第２电极、从该第１电极周围向着第２半导体层和活化层切入并将与第１电极连接的第２半导体层和活化层作为起耿氏二极管作用的区域划分出来的凹部。因为起耿氏二极管作用的区域划定是通过将形成于该区域上部的电极层作为掩模的自配合的干法刻蚀进行的，故能减少其特性差异。并公开了其制造方法和安装结构及ＮＲＤ波导耿氏振荡器。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种在半导体基板上依次层叠有第１半导体层、活化层及第２半导体层的耿氏二极管，其特征在于具有：配置在所述第２半导体层之上、对所述活化层施加电压用的第１、第２电极，以及，从该第１电极周围起向着所述第２半导体层和所述活化层切入、将所述第１ 电极连接的所述第２半导体层和所述活化层作为起耿氏二极管功能的区域划分出来的凹部。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中川敦，渡边健一，
申请(专利权)人：新日本无线株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]