一种改变平面玻璃镀膜后承受极限压力的工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种改变平面玻璃镀膜后承受极限压力的工艺，包括下述步骤：1）加工钢化层：在平面玻璃上镀一层钢化层；2）软性材料层加工：在钢化层上加工一层化学特性比较软的材料；3）加工增透膜系：采用离子源辅助镀膜的方式在软性材料层上加工膜系；4）镀防水材料：膜系加工完成以后，再镀一层厚度为12~25nm的防水材料；能够有效的改变镜片承受的极限压力，从原镀膜加工后压力8~12Kg增加至25~35Kg，提升产品品质。升产品品质。

【技术实现步骤摘要】
一种改变平面玻璃镀膜后承受极限压力的工艺


[0001]本专利技术涉及平面玻璃加工
，具体地说，是一种改变平面玻璃镀膜后承受极限压力的工艺。

技术介绍

[0002]平面玻璃加工现如今使用于各行各业，应用于军事、生活各方面，目前镜片加工环境是玻璃在经过镀膜加工以后承受的极限压力基本在8~12Kg，因此在产品使用的时候品质会出现易碎的特征。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于设计一种改变平面玻璃镀膜后承受极限压力的工艺，能够有效的改变镜片承受的极限压力，从原镀膜加工后压力8~12Kg增加至25~35Kg，提升产品的品质。
[0004]本专利技术通过下述技术方案实现：一种改变平面玻璃镀膜后承受极限压力的工艺，包括下述步骤：1）加工钢化层：在平面玻璃上镀一层钢化层；2）软性材料层加工：在钢化层上加工一层化学特性比较软的材料；3）加工增透膜系：采用离子源辅助镀膜的方式在软性材料层上加工膜系；4）镀防水材料：膜系加工完成以后，再镀一层厚度为12~25nm的防水材料。
[0005]进一步的为更好地实现本专利技术，特别采用下述设置方式：所述步骤2）中，在进行软性材料层加工时，不使用离子源辅助。
[0006]进一步的为更好地实现本专利技术，特别采用下述设置方式：在进行膜系加工时，离子源针对膜系第一层辅助镀膜时的设置参数为：Beaml:100~200ml， BeamV:200~400V，ACCV：100~200V。
[0007]进一步的为更好地实现本专利技术，特别采用下述设置方式：在进行膜系加工时，离子源针对膜系第二层辅助镀膜时设置参数为：Beaml:700ml， BeamV:900V，ACCV：700V。
[0008]进一步的为更好地实现本专利技术，特别采用下述设置方式：所述化学特性比较软的材料为BP500、Ti3O5、SiO2中的任一种。
[0009]进一步的为更好地实现本专利技术，特别采用下述设置方式：在钢化层上进行化学特性比较软的材料加工时，电子枪按下述参数设置：BP500：8mA，Ti3O5：360~300mA，SiO2：6mA。
[0010]进一步的为更好地实现本专利技术，特别采用下述设置方式：在镀防水材料时，电子枪的加工参数设置为：70~80mA。
[0011]本专利技术与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：本专利技术改变平面玻璃的极限压力，采用该工艺加工所得的平面玻璃体系实用于手机镜头、手机面板、安放镜头等各个领域，可以有效的降低用户在使用过程中因个人失误造成因压力过大而将玻璃压碎的风险。让用户对产品使用得更放心。
具体实施方式
[0012]下面结合实施例对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式不限于此。
[0013]为使本专利技术实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施方式，对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本专利技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本专利技术保护的范围。因此，以下提供的本专利技术的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施方式。
[0014]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上， 除非另有明确具体的限定。
[0015]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“设置”、“布设”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体，具体通过什么手段不限于螺接、过盈配合、铆接、螺纹辅助连接等各种常规机械连接方式。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0016]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0017]值得注意的是：在本申请中，某些需要应用到本领域的公知技术或常规技术手段时，申请人可能存在没有在文中具体的阐述该公知技术或/和常规技术手段是一种什么样的技术手段，但不能以文中没有具体公布该技术手段，而认为本申请不符合专利法第二十六条第三款的情况。
[0018]实施例1：一种改变平面玻璃镀膜后承受极限压力的工艺，包括下述步骤：1）加工钢化层：在平面玻璃上镀一层钢化层；2）软性材料层加工：在钢化层上加工一层化学特性比较软的材料；3）加工增透膜系：采用离子源辅助镀膜的方式在软性材料层上加工膜系；4）镀防水材料：膜系加工完成以后，再镀一层厚度为12~25nm的防水材料。
[0019]采用该工艺加工所得的玻璃体结构至外而内依次为防水材料层、膜系层、软性材料层、钢化层和平面玻璃层。
[0020]进一步的为更好地实现本专利技术，特别采用下述设置方式：所述步骤2）中，在进行软性材料层加工时，不使用离子源辅助。
[0021]进一步的为更好地实现本专利技术，特别采用下述设置方式：在进行膜系加工时，离子源针对膜系第一层辅助镀膜时的设置参数为：Beaml:100~200ml， BeamV:200~400V，ACCV：
100~200V。
[0022]进一步的为更好地实现本专利技术，特别采用下述设置方式：在进行膜系加工时，离子源针对膜系第二层辅助镀膜时设置参数为：Beaml:700ml， BeamV:900V，ACCV：700V。
[0023]进一步的为更好地实现本专利技术，特别采用下述设置方式：所述化学特性比较软的材料为BP500、Ti3O5、SiO2中的任一种。
[0024]进一步的为更好地实现本专利技术，特别采用下述设置方式：在钢化层上进行化学特性比较软的材料加工时，电子枪按下述参数设置：BP500：8mA，Ti3O5：360~300mA，SiO2：6mA。
[0025]进一步的为更好地实现本专利技术，特别采用下述设置方式：在镀防水材料时，电子枪的加工参数设置为：70~80mA。
[0026]实施例2：一种改变平面玻璃镀膜后承受极限压力的工艺，包括下述步骤：1、平面玻璃先镀一层钢化层。
[0027]2、在钢化层的表面加工一种化学特性比较软的材料（BP500、Ti3O5、SiO2中的任一种），改变整个玻璃结构的张力，但不会造成玻璃结构的透过率发生改变并且在加工的过程中不使用离子源（RF源）本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改变平面玻璃镀膜后承受极限压力的工艺，其特征在于：包括下述步骤：1）加工钢化层：在平面玻璃上镀一层钢化层；2）软性材料层加工：在钢化层上加工一层化学特性比较软的材料；3）加工增透膜系：采用离子源辅助镀膜的方式在软性材料层上加工膜系；4）镀防水材料：膜系加工完成以后，再镀一层厚度为12~25nm的防水材料。2.根据权利要求1所述的一种改变平面玻璃镀膜后承受极限压力的工艺，其特征在于：所述步骤2）中，在进行软性材料层加工时，不使用离子源辅助。3. 根据权利要求1或2所述的一种改变平面玻璃镀膜后承受极限压力的工艺，其特征在于：在进行膜系加工时，离子源针对膜系第一层辅助镀膜时的设置参数为：Beaml:100~200ml， BeamV:200~400V，ACCV：100~200V。4. 根据权利要求1或...

【专利技术属性】
技术研发人员：李仕武，卢成，
申请(专利权)人：成都国泰真空设备有限公司，
类型：发明
国别省市：