一种降低碎片率的薄硅片HJT电池制备方法技术

本发明专利技术公开了一种降低碎片率的薄硅片HJT电池制备方法，涉及太阳能电池制造技术领域，包具体为：将硅片采用碱性溶液进行各向异性腐蚀，在硅片正背面形成对称的金字塔结构绒面，得到结构化硅片；在上述结构化硅片的正面和背面进行沉积，形成非晶硅薄膜层；在非晶硅薄膜层的正和背面进行沉积，形成掺杂非晶硅薄膜层；在掺杂非晶硅薄膜层的正面和背面进行沉积，形成导电薄膜层；在导电薄膜层的正面和背面覆盖金属电极，然后固化。其中在不增加整线工艺流程及设备投资前提下，只通过简单的工艺方法，即可降低生产过程的碎片率，使成本明显下降，有利于大规模推进HJT电池产业化进程。有利于大规模推进HJT电池产业化进程。有利于大规模推进HJT电池产业化进程。

【技术实现步骤摘要】
一种降低碎片率的薄硅片HJT电池制备方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池制造
，更具体的说是涉及一种降低碎片率的薄硅片HJT电池制备方法。

技术介绍

[0002]硅基异质结太阳能电池因其转化效率高、稳定性好以及简单的低温工艺而受到广泛关注，但是硅基异质结太阳能电池成本较高，大规模应用仍然受到经济上的限制。目前，降低硅基异质结太阳能电池成本的方式主要包括：(1)采用薄硅片代替厚硅片直接降低原材料的消耗量，进而降低成本；(2)加速银浆和靶材的国有化，有效降低了耗材成本；(3)提升设备单位时间内的产能，降低单瓦设备投资。
[0003]但是，传统PERC电池因为背部的铝背场和硅片的温度系数不同，在高温制程(>900℃)中P型硅片容易隐裂、翘边，所以降低硅片厚度的空间十分有限。而HJT电池的制程温度低(<200℃)、热应力小，有望实现薄型化；但是对于N型硅基衬底而言，短路电流随硅片厚度的减小而减小，由于HJT优异的钝化性能，其开路电压随随硅片厚度的减小而增加，从而使电池效率随硅片厚度的减小变化并不是很大。而本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低碎片率的薄硅片HJT电池制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将硅片采用碱性溶液进行各向异性腐蚀，在硅片正背面形成对称的金字塔结构绒面，得到结构化硅片；(2)在所述结构化硅片的正面和背面进行沉积，形成厚度对称非晶硅薄膜层；(3)在所述非晶硅薄膜层的正面和背面进行沉积，形成厚度对称掺杂非晶硅薄膜层；(4)在所述掺杂非晶硅薄膜层的正面和背面进行沉积，形成导电薄膜层；(5)在所述导电薄膜层的正面和背面覆盖金属电极，然后固化。2.根据权利要求1所述降低碎片率的薄硅片HJT电池制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述硅片包括N型准方的单晶硅片；所述硅片的厚度为50
‑
200μm、电阻率为0
‑
9Ω
·
cm
‑1；所述碱性溶液采用质量浓度为40
‑
50％的KOH溶液或NaOH溶液；所述金字塔结构的底部对角线长度为1
‑
9μm。3.根据权利要求1所述降低碎片率的薄硅片HJT电池制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述沉积的气体为SiH4，温度200
‑
250℃，气体流量700
‑
400sccm，沉积速率为0.5
‑
3A
·
s
‑1，时间为5
‑
30s；所述非晶硅薄膜层的厚度为3
‑
10nm。4.根据权利要求1所述降低碎片率的薄硅片HJT电池制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述沉积的气...

【专利技术属性】
技术研发人员：李莎，黄金，杨立友，王继磊，鲍少娟，杨文亮，张娟，杨骥，贾慧君，
申请(专利权)人：晋能清洁能源科技股份公司，
类型：发明
国别省市：