硅异质结太阳电池非晶硅钝化层的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硅异质结太阳电池非晶硅钝化层的制备方法，包括如下步骤：a、向载有硅片的反应腔室内通入二氧化碳气体，沉积形成氧化硅钝化层；b、形成氧化硅钝化层后，向所述反应腔室内通入硅烷气体，沉积第一本征非晶硅薄膜；c、第一本征非晶硅薄膜形成后，向所述反应腔室内通入硅烷和氢气的混合气体，沉积第二本征非晶硅薄膜。本发明专利技术的方法能够在抑制外延的基础上降低对衬底表面的损伤，降低界面载流子复合，提高钝化效果，提高了电池开路电压和转换效率。转换效率。

【技术实现步骤摘要】
硅异质结太阳电池非晶硅钝化层的制备方法


[0001]本专利技术属于硅异质结太阳电池
，具体涉及一种硅异质结太阳电池非晶硅钝化层的制备方法。

技术介绍

[0002]在诸多类型的太阳电池中，硅异质结太阳电池因具有转换效率高、温度系数低、无LID 及PID衰减等优点而逐渐在光伏产业确立显著的优势地位。硅异质结电池获得高效率的一个重要原因是本征非晶硅薄膜对晶硅衬底表面的优异钝化作用保证了电池的高开路电压。本征非晶硅薄膜对晶硅表面的钝化效果与薄膜沉积工艺密切相关，通过薄膜沉积工艺的优化以减少载流子在非晶硅/晶硅界面处的复合，提升界面钝化能力，从而提高电池开路电压。
[0003]现有技术中涉及制备钝化层的方案主要包括两种：
[0004]一种方式是采用单层本征非晶硅薄膜钝化晶硅表面，在沉积过程中通入大量氢气来稀释硅烷，以降低薄膜内缺陷密度，提高薄膜本身质量。该方法中，在晶硅与本征非晶硅界面处极易形成外延生长层，该外延层会导致界面较多的悬挂键未被钝化从而对界面钝化作用产生严重危害。
[0005]另一种是采用叠层本征非晶硅薄膜钝化晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅异质结太阳电池非晶硅钝化层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：a、向载有硅片的反应腔室内通入二氧化碳气体，沉积形成氧化硅钝化层；b、形成氧化硅钝化层后，向所述反应腔室内通入硅烷气体，沉积第一本征非晶硅薄膜；c、第一本征非晶硅薄膜形成后，向所述反应腔室内通入硅烷和氢气的混合气体，沉积第二本征非晶硅薄膜。2.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池非晶硅钝化层的制备方法，其特征在于，所述步骤a中，所述氧化硅钝化层的厚度为1
‑
5nm。3.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池非晶硅钝化层的制备方法，其特征在于，所述步骤a中，所述沉积功率为10
‑
40mW/cm2，沉积时间为1
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10s，所述二氧化碳气体的流量为1000
‑
5000sccm。4.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池非晶硅钝化层的制备方法，其特征在于，所述步骤b中，所述沉积功率为20
‑
60mW/cm2，沉积时间为3
‑
20s，所述硅烷气体流量为1000
‑
5000sccm。5.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池非晶硅钝化层的制备方法，其特征在于，所述步骤b中，所述反应腔室中通入氢气，所述氢气与所述硅烷气体流量比为0.1
‑
0.5。6.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池非晶硅钝化层的制备方法，其特征在于，所述步骤c中，所述沉积功率为15
‑
50mW/cm2，沉积时间为5
‑
50s，所述氢气的流量为3000
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20000sccm，所述氢气与硅烷流量比为2～25。7.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池非...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，赵晓霞，宿世超，田宏波，王雪松，宗军，李洋，
申请(专利权)人：国家电投集团科学技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：